Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1427268

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Александровский, Дьяков, Рубинина, Яковлева

МПК: G01N 25/02

Метки: комнатной, метастабильных, монокристаллов, растворов, совершенства, структурного, твердых, температуре

...элементов. 5Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.Способ осуществляют следующим об разом,Г Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т соответствующей двухфазной об ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени й, которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2 О фазы поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения ( 1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп,...

Номер патента: 1430842

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Нижная, Ферлегер

МПК: G01N 23/203

Метки: исследования, монокристаллов, поверхности

...полярныеуглы рассеяния 3,иможно представить в виде(3) Рсоя ( ( - 1 пр ) - Рсоя ( - 8 пр) + Йсоя ( 3 - пр ) соя ( 92 пр)У = я .п ( (А - г) 45 Формулы (3) позволяют по измеренным значениям углов 3, и 3 и известным величинам й, 9 = а"сяг.пф "15 / Р(а, ) = 1,73(К," " )-" Г 2(ш,Цт где Е, и 2 - порядковые номера падающего иона и адсорбированного атома 20 соответственно; энергия Е, - в электронвольтах; Р - в ангстремах, найти искомые координаты х и у.Выбор средних энергий ионов (Ег - 1 - 50 кэВ) определяется тем, что 25 при малых энергиях (Е ( 1 кэВ) рез; ко падает интенсивность пиков двукратного рассеяния с.первым рассеянием на атоме матрицы и вторым - на адсорбированном атоме, а при высоких энергиях ионов щелочных металлов и инертных газов...

Номер патента: 1432383

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Галусташвили, Дрияев, Саралидзе

МПК: G01N 3/24

Метки: деформирования, исследовании, механических, монокристаллов, свойств

...за счет исключения влияния захватных частей на деформируемую зонуи соседних с рформируемой зоной сло.М.г Гч( ффев кристалла, атакже получения различных сдвиговых напряжений в различных сечениях деформируемой областикристалла,На чертеже изображено устройство 15для деформирования ионных монокристаллов с системами скольжения,Устройство содержит нагружатель,имеющий стойку 1 П-образной опоры срабочими поверхностями 2, на которых 20размещены грани кубического монокристалла 3 квадратного сечения. Уголмежду поверхностями 2 стоек 1 равен90 О, т,е, углу между гранями монокристалла 3. Пуансон 4 имеет рабочие поверхности 5, образующие между собойтакже угол 90 О. Ширина Гпуансона 4меньше расстояния Ь между стойками 1.Способ осуществляют...

Номер патента: 1436035

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Бельтек, Охрименко

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, дифрактометра, монокристаллов, рентгеновского

...4. Это достигается при юстировке дифрактометрас помощью контрольного слитка монокристалла. Затем на держатель помещают слиток монокристалла 16,(фиг.2 и 31. Слиток монокристалла 16касается своей образующей фрикционныхроликов 4, образующая которых соэпадает с осью рентгеногониометра. Одновременно слиток монокристалла 16 давит на колеса 15 и посредством связей колесо 15 - ось 11 - рычаг 10,13 заставляет рычаги 1 О и .33 повернуться вокруг вала 2. В то же время, при повороте рычагов 10 и 13 вокруг ала 2, рычаги 12 и 14 поворачиваются вокруг осей 9 и опускаются вдоль оси 3 посредством связей рычаги 12 и 14 - ось 9 - упор 5 - ось 3. В то же время пружина б, которая подпружинивает упор 5, препятствует движению рычагов 12 и 14 вниз, что, в...

Номер патента: 1468987

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Волков, Захаров, Каргин, Кистенева, Неляпина, Петухов, Скориков

МПК: C30B 15/04, C30B 29/32

Метки: висмута, монокристаллов, титаната

...Значение фоточувствительности монокристалла и оптической однородности прн комнатнойтемпературе дено в таблице.П р и м е р 3. Шихту, содержащую97,6 мас.7 В 1 Оз и 2,3 мас.7 ТО, вколичестве 400 г 360,8 г ВгОз и .9,2 ТО, ) смешивают с ЕпО, взятомв количестве 2,0 г (0,5 мас.7), прикомнатной температуре в агатовойступке и затем помещают в цилиндрическом платиновом тигле в печь для выращивания. Выращивание монокристалла проводят методом Чахральского при скорости вытягивания 2,0 мм/ч и скорости вращения затравки 100 об/мин. Получают монокристаллы бледно-зеленого цвета диаметром 15-20 мм и длиной 60-80 мм, которые затем отжигают в инертной атмосфере азота (М ) прио600 С в течение 6 ч. Данные лакальнога рентгеноспектрального анализа...

Номер патента: 1031256

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Богдасаров, Елисеев, Емельянов, Ильин, Резников, Старостин, Суходольский, Федоров

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...перемещения в полости нагревателя, токоподводы в верхней части снабжены сухарями и скобами, последовательно охва.тывающими друг друга, образуя гнездо для крепления клина и конца нагревателя, и виполненными в средней части с выемками, в которой установлены сухари между клиньями и концами нагревателя, а нижние полувитки нагревателя расположени в два ряда в шахматном порядке.55 вид нагревателя с токоиодводами ваксонометрии.Устройство содержит камеру, в которой размещены экраны 1, Внутриэкранов неподвижно установлен прутковый нагреватель сопротивления,нитки которого образованы верхними 2 инижними 3 полувитками,причем нижниеполувитки расположены в два ряда вшахматном порядке, а концы 4 нагревателя соединены с токопроводами...

Номер патента: 1497533

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Адищев, Верзилов, Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...определения интегральной ширины профиля, как впрототипе, Так же замечено, что угловая ширина центрального минимума несколько уменьшается с уменьшениембрэгговского угла отражения.Чувствительность и точность способа будут определяться угловой шириной центрального минимума, статистическими ошибками измерений, разрешением детектора, а также методическими погрешностями (угловой расходимостью пучка заряженных частиц,многократным рассеянием и др.). Дляисключения методических ошибок исследуется профиль углового распределения от эталонного кристалла, который считается совершенным, имеет такие же размеры и располагается нэксперименте в той же геометрии, чтои исследуемый.ПКИ образуется по всей толщинекристалла, на пути пролета черезнего...

Номер патента: 1522027

Опубликовано: 15.11.1989

Автор: Чередов

МПК: G01B 9/10

Метки: монокристаллов, ориентации

...Затем измеряют углы,являющиеся проекциями на плоскостисреза углов между линией пересеченияплоскостей спайности с плоскостьюсреза, и рассчитывают направляющиекосинусы плоскости среза, которые однозначно определяют ориентацию монокристалла. ности с плоскостью среза. Грани микровыбоинки являются кристаллографическими плоскостями, угол между которыми является известным углом спайности о, зависящим от спайности монокристалла по кубу (001) или по октаэдру (111) .Далее измеряют углы р, и р, являющиеся проекциями на плоскость сре за углов между линией пересечения -плоскостей спайности и линиямипересечения плоскостей спайности с плоскостью среза, путем последовательного совмещения риски объектива микроскопа с указанными...

Номер патента: 1527331

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Башаров, Лебедев

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом

...фазового перехода репер- ного материала 5, то сигнал логической единицы на выходе элемента 14 задержки с помощью элемента ИЛИ 12 "замораживается" и при поступлении сигчнала логическои единицы с выхода второго элемента 15 задержки на выходмультиплексора 16 проходит сигнал свыхода сумматора 6, который формируется путем сравнения сигнала с задат.чика 9 эталонного сигнала и сигналадатчика 1 температуры в период Фиксации фазового перехода реперного материала 5. Сигнал с выхода мультиплекстора 16 попадает на его первый аналоговый вход и "замораживается".После окончания фазового переходапоказания датчика 1 температуры вновьначинают изменяться, поэтому сигнал на выходе компаратора 1 О вновь падает до уровня логического нуля. При этом...

Номер патента: 1530979

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Журтов, Шебзухов

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, металлических, монокристаллов, поверхностной, свободной, температурного, энергии

...через интенсивности дифракционного рефлекса брэгговского отражения 1(Е, Т) и 1 (Е, Т)Е 1 Ь 1Линейный коэффициент Ктеплового расширения по нормали к плоскости поверхности монокристалла можно также определить экспериментально из вы- ражения энергетическое смещениебрэгговского пика Е приизменении ЬТ температурыисследуемого образца;число атомов на единицеповерхности;координационное число вобъеме;число недостающих ближайших соседей у атома наповерхности; 1(Т,)и 1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от поверхности,1(Т) и1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от внутреннего40слоя монокристалла при температурах Т и Т,Ь Е - энергетическое смещениебрэгговского пика при изменении температуры монокристалла на дТ;е,а,-...

Номер патента: 1544709

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Люцко, Шифрина

МПК: C01B 25/45, C01G 23/00

Метки: выращивания, калийтитанилфосфата, монокристаллов, шихты

...темпратурс и ,1,101.1 ьцостц ц; грц; цп 1 коли)нцг) ц1 а, ил 1 п(1 я пооб(1 по изнссгному опонц м1 мпрцры00(Г(:, длительц)тг пцГа 5 1 и, а нх),1 це превыц(т11 рс;1.агамый способ требует гемпсра. тры 60( 1)50(;, с;о длительность не превышает 2 ч,; выход достигаег 95,3)о от теортцчсского.11 рокалп)анис при 1 м иератур менее б(1(1 (, н тс 1 циврмсцп мснсс 1 ч вд.т к па;(сцпк) выхода продукта. 11 ркагиванне при 1 мир 1 р выше 650"(: и в течение времени глс( 2 ч нецелесообразно, поскольку це ц;1 т и 111 льн 11 п(ему увеличении) ц 1, к).ц 11;)и(укга. 1 рг) нсдцисинтеза без промежуточного перетирания смеси снижает ны од до 50,(. РО)я / 1 г гг 1)оре Генгг.ч(,пособ получения иикты калийтитацилфосфата для нырацивация мопокристаллов, включающий...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Номер патента: 1562363

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...

Номер патента: 1562364

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/02, C30B 7/10

Метки: висмута, выращивания, монокристаллов

...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...

Номер патента: 1574696

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Абдуллаев

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...

Номер патента: 1583479

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Педько, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления

...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...

Номер патента: 1583809

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/207

Метки: искажений, монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных

...0 припо 45 верхностных слоях кристалла толщиной0,2-50 нм.На заданном кристалле выбираетсясемейство кристаллографических плоскостей, составляющих угол ( с поверхностью кристалла. Это условие необходимо для того, чтобы дифракционное рассеяние пространственно разделилось с лучами, испытывающими простое полное отражение. Поскольку интенсивность ДЗП определяется интенсивностью "хвоста" кривой дифракционного отражения, то из практических соображений имеет смысл выбирать 94угол клина на 1-3 меньше угла Брэгга для выбранного порядка отражения,чтобы интенсивность ДЗП была ещедостаточно высокой.Параметры поверхностных слоев(фактор Дебая-Валлера, толщина аморфного слоя) определяют, сравниваяФорму и интенсивность дифракционногозеркальчого пика, а...

Номер патента: 1365756

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Доливо-Добровольская, Коломенский, Перелыгин, Стеценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кубической, монокристаллов, симметрии

...фф дает либо с направлением (111)(табл.1) либо с направлением (011)(табл.2),эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал. - лов Криста лы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота у = 90, широта= 1928, боковые стороны раз3 365756 4резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота с= 99 о 28, широтанатами; долгота= 6600,:широта= 6446.ое 90 00 ,ф о р м у л а из о б р е т е н и яАналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло5врезыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты...

Номер патента: 1009117

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Андреев, Каплун, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

...и тепловой оси тигля 1. Так как каждыйиз них коаксиален этим осям, то температура у любых эквивалентных частейформообразователя, расположенных пообе стороны от осей, одинакова.1Устройство работает следующим образом,В тигель 1 через отверстия в крышке 2 загружают сырье, Устройство помещают в установку для выращиваниякристаллов известной конструкции, Вростовой камере создают контролируемую среду и, повышая температуру,расплавляют сырье. Расплав по капиллярам поднимается в зону кристаллизации. Затем к формообразователямподводят затравку плоской 9 (фиг. 3)или цилиндрической 10 (фиг. 4) формы,.Затравочный кристалл 9, 10 может бытькруглого или прямоугольного сечения,перекрывающего каждый формообразователь хотя бы в одной точке. Затравку 9, 10...

Номер патента: 1589077

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Коробкин, Согоконь

МПК: G01J 5/50

Метки: анизотропных, градиента, изменения, монокристаллов, процессе, температур, температуры

...прибору. При нагревании кристалла, например, излучением ИК лазера, на самопишущем приборе фиксируются шесть синусоид периодических изменений интенсивности излучения в центре коноскопической фигуры. Сравнивая между .собой каждые две синусоиды, выделяют смещение Л 1 экстремальных значений. Затем измеряют расстояние ЛХ между двумя участками монокристалла, от которых получены сравниваемые синусоиды, Предварительно измеряют температуру Т, соответствуюгцую одному периодическому изменению интенсивности излучения в центре коноскопиче1589077 Формула изобретения Составитель В. АТехред А. КравчукТираж 428комитета по изооретенисква, Ж - 35, Раушский комбинат Патент дриановКоррект Г 1 одпис Редактор Е. КопчаЗаказ 2532НИИПИ...

Номер патента: 1599447

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...

Номер патента: 1604865

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Буткевич, Коротаев, Линейцев, Хамитов, Чумляков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: железа, меди, монокристаллов, никеля, основе, сплавов

...и 2%. кобальта. 15 Температура плавления сплава около 1200 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 5. Получают монокристаллы сплава на основе кобальта, со держащего 46% никеля и 7% титана.Температура плавления сплава около 1440 С,. Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 6. Получают монокрис таллы сплава, содержащего 50% никеля и 50% титана. Температура плавления сплава около 1350 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.Из данных таблицы видно,что выход годных модокристаллов по предложенному способу в 2-3 раза выше.Таким образом, способ получения монокристаллов сплавов металлов позволяет существенно повысить выход годных и, соответственно, повысить производительность...

Номер патента: 1606541

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Галстян, Долуханян, Кузьмина, Никитенко, Регель, Скуратов, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 31/22

Метки: монокристаллов, оксида, цинка

...с энергией 110 МэВ и дозой 1,3 10 4 ион/см, Затем образец отжигают на воздухе при 850 ОС в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч.Заказ 3529 Тираж 348 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Основные параметры высокоомного слоя соответствуют примеу 1,.П р и м е р 3, Монокристалл оксида цинка, выращенный гидротермальным методом сз концентрацией примеси лития б 10 см,имллантируютионамикислоро. дасэнергиейот 00 кэВдо 110 мэвидоэой 1,3 10 ион/см . Затем образец отиигают на воздухе при 850 С в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч....

Номер патента: 1611999

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Гавалешко, Жовнир, Сочинский, Фрасуняк

МПК: C30B 13/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, монокристаллов

...изотермиат. долио,оо Твердый раствор не образуетсв Качество хорошее Оптимальный вариант То же Качества хорошее Качество паховМонокристалл без пор и включений Та же. Манокристалл бвэ пар и включений То жеКачество хорошее То же Качества плохое То же20 20 16 2 0,22 0,14 0,26 945 900 9 БО 956 бо 400 420 200 975 9 БО 993 958 0,10,050.150,05 8 9 10 11 ДендритныйпаликристаллРастрескиваниеманок исталла 25 993 923 200 0,15 12 ческой выдержкой в.течение 10 - 50 ч при температуре, превышающей на 20-30 К его температуру ликвидуса. Охлаждая ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры, получают поликристаллический 5 слиток НдТ-хМпхТе.Для проведения направленной пере- кристаллизации поликристаллический слиток Нд 1-хМпхТе целиком...

Номер патента: 1612000

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Иванцов, Николаев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, нитрита, травитель

...1 - 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора, Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИУ 4,2 и электронном просвечивающе. микроскопе УЭМ, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях 301). При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.Глубина ямок травления, оцененная поневому контрасту в электронном микроопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.Кристаллографическая ориентация поверхностикристалла Результаты обработки Состав т авителя,мас,Этиловый спирт15 Эффективное травление выходов...

Номер патента: 1624062

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Ракин

МПК: C30B 29/56, C30B 5/00

Метки: выращивания, геле, монокристаллов

...геля в обоих сосудах поверх геля заливают дистиллированную воду, Спустя 14 ч из пробирки раствор сливаюти добавляют поверх еля расгвор хлористого кальция концентрацией 10 вес.%, Зародыши образуются спус я сутки на расстоянии 1,3.лм с плотностью 8,8 см, Коэффициенты, рассчитанные на основе этих данных, составляют К 1=. 14,9, К 2 0,12. Прогнозируя плотность ээродышей-кристаллов в основном кристаллизаторс равную 1 см или около 5 кристаллов2в обьеме, рассчитывают время промывки ТК 1/К 2 й - 123 ч, что составляет около 5 сут. В течение всего этого времени в христаплиэаторе промывают гель. Затем ;. з;рх геля заливают раствор хлористо.с кальция концентрацией 10 весь и че, ез 8 сут в геле на расстоянии 4 лм образуются первые зародыши...

Номер патента: 1624064

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Абдуллаев, Азизов, Алексеев, Алиев, Петрова

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2...

Номер патента: 1627972

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Айрапетян, Арутюнян, Кочарян, Унанян

МПК: G01N 23/20, G01N 29/00

Метки: добротности, монокристаллов

...зависит от значения амплитуды напряжения на электродах пьезокристалла, то отношение амплитуд напряжения под логарифмом в формуле (1) можно заменить отношением интенсивностей в те же моменты времени. Если подобрать значения интенсивностей так, чтобы одно из них1 равнялось максимальному значению интенсивности, а второе 1; было бы меньше первого в е рээ, то выражение для добротности упрощается 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 а =л 1 г, (2)где г - время, зэ которое интенсивность уменьшается в е раз.Как видно из фиг, 3, минимальное значение интенсивности отличается от нуля, поэтому, чтобы получить истинные значения величин интенсивностей, надо брать разность между максимальным и минимальным 11 = 1 макс 1 мин, д также между промежуточ. ным и...

Номер патента: 1629361

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Гатчин, Козлов, Осипов, Початков

МПК: C30B 15/14

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких