G01N 23/203 — путем измерения обратного рассеяния

Номер патента: 72939

Опубликовано: 01.01.1948

Авторы: Альтшуллер, Цукерман

МПК: G01N 23/203, H01J 35/08

Метки: анализа, атомной, например, постоянной, прибор, рентгеноструктурного, решетки

...периода атомной решетки интенсивность лучей, попадающих в камеру, будет меняться. Наблюдая за изменением показаний электроизмерительного прибсра и меняя расстояние о 1 сбразца до пленки, можно по максимальному току гальванометра найти положение вершины интерференционного конуса.В одном из возможных вариантов прибсра катод заземлен, а анод предс 1 авляет собой кольцо, внутренняя конусная поверхность которого является источником рентгеновских лучей. Корпус катода представляет собой полый сосуд, выполненный из феррохрома, и заключает в себе разрядное пространство прибора.М 72939 Келудеобразные ок а, служащие для выхода лучей, сделаны из стекла Линдемана или Гетман. Диафрагма предусмогренз для применения с электрическим индикатором...

Номер патента: 161971

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: G01N 23/203

Метки: 161971

...Лл 1), градуировка с достаточной степенью точности может быть осуществлена при помощи алюминиевой фольги.Чтобы устранить внесение поправок на распад р-излучателя, градуировочпую кривую строят в относительных единицах (фнг, 3):П по оси ординат откладывают отношение (где п 0 - скорость счета при нулевой толщине покрытия, а п - скорость счета при данной толщине покрытия нагара и лака), а по оси абсцисс - толщину слоя лака и нагара с 1.Для измерения количества лака и нагара определяют скорость счета на поверхности плиты до испытания и, и после испыташя п.иО Затем по отношению - с помощью кривои,призображенной на фиг. 3, определяют колпче. ство нагара и лака. Кривая на фиг, 3 оппсыивается уравнением - = Ае + В, где0А = 0,49; В = 0,51; р, =...

Номер патента: 162355

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: G01N 23/203

Метки: 162355

...излучения приемниками излучения.Предложенный способ проще и позволяет достаточно быстро определить содержание тяжелых металлов, например сурьмы, в рудах и продуктах их обогащения.Отличие предложенного способа заключается в том, что при определении интенсивчости излучения регистрируют интенсивность обратно рассеянных р-частиц высокой энергии непосредственно приемниками излучения, например счетчиками Гейгера - Мюллера, работа 1 ощими в режиме среднего тока и включенными по схеме сравнения.Результаты испытания способа на Кадамджайской обогатительной фабрике показали, что за 3 мин можно определить содержание сурьмы в концентрате 7 - 34% со средней квадратичной ошибкой 0,69 абс. %, а в руде в диапазоне 0 - 5% со средней квадратичной...

Номер патента: 263170

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Скобло

МПК: G01B 15/02, G01N 23/203

Метки: 263170

...производной скорости счета от тол квадратному корню из полнои скоро та для измеряемой толщины при подложки больше аналогичного от при отсутствии подложки. 2 исоединением заявкиИзвестен способ измерения толщины с помощью обратно рассеянного гамма-излучения, заключающийся в том, что изделие облучается гамма-лучами и регистрируется обратно рассеянное излучение, по величине которого судят о толщине изделия, а прямое излучение задерживается защитным устройством, выполненным в виде кону са.Недостатком известного способа является утяжеление массы датчика и невозможносгь уменьшения погрешности при измерении толщин изделий из материалов с малым коэффициентом обратного рассеяния гамма-квантов.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с...

Номер патента: 341088

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Тумулькан

МПК: G01B 15/02, G01N 23/203, G12B 13/00 ...

Метки: измерительных, калибровки, приборов, радиоизотопных

...пересчетного прибора соответствует десяткам единиц толщины, в пг-й декаде - единицам толщины, в (т - 1) декаде - десятым долям единиц ц т. д, Для каждого сочетания материалов основы ц покрытия прц калибровке необходим свой набор эталонов. Результаты измерений получают в форме цифрового отсчета непосредственно в едпцццях толщины или поверхностной плотности.В бета-толщиномере рабочий поток бета- излучения регистрируется детектором 1, импульсы которого через формирователь 2 ц блок 8 предварительного пересчета поступают на вход декадного измерительного пере- счетного прибора 4. Вспомогательцый (фоновый) поток регистрируется детектором 5, импульсы которого через формирователь 6 ц блок предварительного пересчета 7 пода)отся на общий...

Номер патента: 371821

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Библ

МПК: G01B 15/02, G01N 23/203

Метки: датчика, контактного, крышка, листовых, нленочных, радиоизотопного, толщины

...поверхности для отвода пыли, образованы подковообразные барьеры, заостренной частью распсложенные навстречу движению материала.На чертеже показана констгаемой крышки контактного рдатчика. Крышка имеет основную контактирующую поверхность 1, измерительное окно с защитной пленкой 2 в месте расположения источника, измерительные окна с защитными пленками 3 в местах расположения детекторов, утопленную поверхность 4 для отвода пыли, основание 5 крышки, контактирующее с материалом б, блок 7 источника.Проникновение излучения непосредственно в детекторы, минуя измеряемый материал, в предлагаемой конструкции предотвращается плотным прилеганием движущегося измеряемого материала к подковообразным барьерам вокруг измерительного окна источника за...

Номер патента: 574172

Опубликовано: 25.09.1977

Авторы: Дэвид, Роберт

МПК: G01N 23/203

Метки: ионного, рассеяния, спектрометр

...и выходной диафрагм анализатора 11 в ионный де. тектор 12, в котором поступаккцие ионы генериру. ют электроны, собираемые коллектором 16, преоб. разующим ток элЕктронов в электронный сигнал, принимаемый схемой 17 обработки сигнала. Сигнал со схемы 17 затем моют быть воспроизведен на индикаторном устройстве 8 любого известного типа, Используемый ионный детектор 12 содержитб 10 16 20 25 30 35 40 50 55 камеру 18 и непрерывный канальный электронный умножитель 19, запитываемый от высоковольтного источника 20,Источник 6 переменного напряжения предло. чтительно содержит программируемый источник 21 высокого напряжения, выходной сигнал которого может управляться путем изменения сопропвления на его входных клеммах, переменное сопротивле. ние...

Номер патента: 819654

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Бондаренко, Виноградова, Иванов, Маренов, Махлин, Шишин, Шнырев

МПК: G01N 23/203

Метки: заряженных, исследования, кристал-лов, помощью, частиц

...рукояткой привода 9,Обечайка 10 (фиг. 2) рабочей камеры выполнена в виде усеченного конуса, обращенного внутрь рабочей камеры, и своим большим основанием герметично закреплена во фланце, а в меньшем основании обечайки, расположенном в непосредственной близости от образца, помещенного в центре Фамеры, закреплен одним концом сильфон 11 другой конец которого связан с источником заряженных частиц. Подвижный детектор 12 соединен с днищем рабочей камеры посредством сильфона 13, а неподвижный детектор 14 жестко соединен с рабочей камерой 1, Образец 15 жестко установлен в держателе 16 криостата 17, который также жестко соединен с крышкой 18 рабочей камеры 1,Работа устройства может быть проиллюстрирована на примере проведения эксперимента по...

Номер патента: 1060018

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Андреев, Сапожков, Смекалин

МПК: G01N 23/203

Метки: диэлектриках, потенциала, распределения, электрического

...2, установленного в защите 3. Детекторы 4 измеряют количество обратнорассеяняых электронов в отсутствийи при наличии электрического поляв условиях приложения магнитного поля с индукцией В, вектор которойпараллелен поверхности образца.Необходимо, чтобы накладываемоепостоянное магнитное поле обладалоазимутальной симметрией, т.е. изменялось бы лишь по координате х. Минимальная величина ирпукции магнитного поля должна быть порядка 10 110 Тл. Магнитное поле может бытьнаправлено таким образом, что онобудет способствовать уменьшению глубины проникновения в образец электронов, что обеспечивает воэможностьизменения такого параметра Функциичувствительности, как х ;т.е.Макс .возможность реализации различныхФункций чувствительности....

Номер патента: 1239570

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Блехер, Брытов, Кораблев

МПК: G01N 23/203

Метки: веществе, длины, пробега, свободного, средней, электронов

...пучка соответствуетпорогу возбуждения Е -уровня вана 3дия то неупругие взаимодействия пер.-вичных электронов с веществом пленки приводят к уменьшению среднегозначения интенсивностинауугловых зависимостях спектров ПВМРИ,а отношение /уо, характеризует частьтока первичных электронов, прошедшихпленку не испытав неупругих взаимо" 40действий. , , и- средниезначения интенсивности на угловыхзависимостях спектров ПВМРИ, полученных от чистого монокристалла и.моно-.кристалла с нанесенной на него пленкой соответственно, Под средним значением интенсивности угловых зависимостей спектров ПВМРИ понимают зна.чение интенсивности ПВМРИ, соответствующее подложке, не имеющей упорядоченной структуры. Среднее значениеинтенсивности на угловых...

Номер патента: 1247730

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Почежерцев, Пузанов, Пяткова

МПК: G01N 23/203

Метки: взаимной, гетероэпитаксиальной, кристаллических, ориентации, пленки, подложки, решеток

...рассеяние 5 на большой угол ядрами атомов одного сорта. Чем выше энергия, тем ближе к поверхности произошел акт рассеяния, Разрешение по глубине определяется энергетическим разрешением спектрометрической системы, тормозной способностью вещества мишени и геометрией рассеяния. При энергии ионов 0,5 МэВ/нуклон для большинства веществ легко достижимо разрешение по 15 глубине 0,01 мкм. Имея в наличии совокупность спектров обратнорассеянных ионов, измеренных при различных углах 6 между направлением регистрации и кристаллографическим направле нием, строят зависимость х(9) для выбранного интервала глубин рассеяния (= сопят).Такая зависимость для образца 1 пР/СаАз имеет вид, показанный на 25 фиг,3. Значение угла 8, при котором . х(В) = х ,...

Номер патента: 1430842

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Нижная, Ферлегер

МПК: G01N 23/203

Метки: исследования, монокристаллов, поверхности

...полярныеуглы рассеяния 3,иможно представить в виде(3) Рсоя ( ( - 1 пр ) - Рсоя ( - 8 пр) + Йсоя ( 3 - пр ) соя ( 92 пр)У = я .п ( (А - г) 45 Формулы (3) позволяют по измеренным значениям углов 3, и 3 и известным величинам й, 9 = а"сяг.пф "15 / Р(а, ) = 1,73(К," " )-" Г 2(ш,Цт где Е, и 2 - порядковые номера падающего иона и адсорбированного атома 20 соответственно; энергия Е, - в электронвольтах; Р - в ангстремах, найти искомые координаты х и у.Выбор средних энергий ионов (Ег - 1 - 50 кэВ) определяется тем, что 25 при малых энергиях (Е ( 1 кэВ) рез; ко падает интенсивность пиков двукратного рассеяния с.первым рассеянием на атоме матрицы и вторым - на адсорбированном атоме, а при высоких энергиях ионов щелочных металлов и инертных газов...

Номер патента: 1548726

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Косячков, Трилецкий, Черепин

МПК: G01N 23/203

Метки: анализа, поверхности, твердого, тела

...ГКНТ СССР( ) Институт металлофизики АУССР(56) Патент СНА У 3480774, кл, 25049,5, 1 969.Н, ЧегЬее 1 ег а 1, Мераг 1 че Ьусгояеп акоп Гогшасхоп Ьу Ьас 1 ясаггег.прйгош Яо 1 Ы ЯцгГасея ЯигГ Ясе. 1980,чо 1, 95, И 2-3, р, 380-390,бретение относитс ских методов иссл ел, а более конкре рассеяния медленмой для структуронцентрапионного го анализа повер бретения - снижение степеия анализ ируемой пове рхносервичных ионов беэ снижетельности анализа.изобретения заключаетсяании в качестве первичныхательно заряженных ионов и его изотопов.е р, Проводили анализ пористаллического вольфрам образец помещали в свермную камеру и выставляли ЛИЗА ПОВГРКИОСТИ ТВЕР ия медленных ионов структурного, элеционного и физико-х мического анализа поверхности твердо3...

Номер патента: 1569685

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Зелимханов, Трофимов

МПК: G01N 23/203

Метки: вещества, диэлектрическую, кондерсации, молекулярного, подложку, пучка, электропроводящего

...и теневое изображение 6 края подложки 1 с пленкоР конденсата имеет не" искаженный характер. По появлению такого неискаженного теневого изображе ния 6 индицируютконденсацию молекулярного пучкаП р и м е р 1. Берут в качестве 10 подложки свежий скол кристалла хлористого калия (КС 1), с поверхностным сопротивлением= 10 Ом/цполмещают в колонну электронограФа ЭГИ, которую откачивают до давле ния 10Па. На поверхность подложки направляют пучок быстрых электронов с энергией 80 кэВи током в пучке 50 мкА под скользящим углом 1-3 . Лю минесцентным экраном, ориентированным 20 перпендикулярно направлению падающего электронного пучка, регистрирукт некогерентно,рассеянные подложкоР электроны. При этом наблюдают теневое изображение края подложки в...

Номер патента: 1582098

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Косячков, Трилецкий, Черепин

МПК: G01N 23/203

Метки: анализа, атомной, поверхности, структуры

...комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 О,(111), равное 4,47 А, что хорошо соответствует объемному значению 4,44 А в этом же направлении, Ошибка при определении д составляет 0,03 А при точности определения критического угла скольжения 0,25.При исследовании атомной структуры поверхности Мв (111) известным способом из-за неопределенности в выборе уровня нахождения критического угла скольжения 0,5 - 0,9 от максимальной интенсивности ,значение а, (170) меняется от 49 до 52, При этом возникает неопределенность в измерении д,+0,2 А. При измерении того же расстояния предлагаемым способом с учегом того, что точность определения критических углов скольжения составляет 0,25, ,из-за неопределенности в выборе уровня в...

Номер патента: 1704048

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ефимов, Иванов, Лучинин, Павленко, Флоринский

МПК: G01N 23/203

Метки: кристаллографических, однородности, структур, характеристик

...кодтраст за счет каалираоаияэлектронов на фоне более сльцых видовКантРаСта (таК Х, Ках ТОПОДРс;. -=-СК 1 й ИЛИ:страст за счет атамцадо цал ера).Сда кснтГ "стг.Поставленая цель;,эстдается тем,:.о .а.ч," й -О, с с". Г аз рс тс 1 ргруют,СЛЭО 1 Я Брэдда, даСтатаОЭ ловтЬ УГОЛ:-здда ца оелу, саотоетстсусш, ю удло 5 10 15 20 25 30 35 л 0 45 50 55 сай,; 1 е "че,",нсй" ли раоцсй ей "белсй" ца ти линии каналирооания.Сущность предлагаемого изобретения с тсцки зре:я пост: лсцОй цел;1 заклачается в следующем. Необходимым услооием реализации изоестнода способа яоляется РЕДИСтРсЦЯ МаЛЫХ ИЗМЕНЕН ЧИСЛа ОтРаженьх электроноо, вызоачцых эффектом каналирооания электронов.На чертеже приведена схема реализации способа.Образец помещают о микроскоп 1.В...

Номер патента: 1721484

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Горлов, Онищенко

МПК: B03B 13/06, G01N 23/203

Метки: качества, конвейера, ленте, угля

...111 121 31 "115 125;135 111 121 131щ 115 125 135 с 1 ие 121 131 ффффф )15 25, 135 и 20 значений соответствующих им показателей качества А 1, ., А 5 . Я)р )/)/5, р 1, , р 5,31, .Б 5 запоминают как градуировочные,Определяют эвклидовы расстояния иэ меренных интенсивностей от заложенных в памяти средних значений интенсивностей при различных зольностях(8) 15 Определяют диапазон влажности на этом суммарном расстоянии( сть, соответстивностям (1, 12 Вз 4= В 5= Сравнивают между собой все пятьстояний и определяют два наименьшиних. Пусть, например, это будут В 2 и Взсвидетельствует о том, что точка с измеными интенсивностями 11, 12 и 13 лежит мду второй и третьей градуировочнточками по 30 льнОсти (112, 122, 132) и (113133). Определяют сумму...

Номер патента: 1322800

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/203

Метки: вещества, исследования, структуры, электронной

...системы его плоскостей, Возникающеемонохроматическое рентгеновское излучение выходит под тем гке углом ук вектору Г и под углом ( -2 г ) коси падающего на монокристалл пучкаэлектронов и попадает на образец 3Рассеянный на образце 3 пучок фотоновпопадает на спектрометрический детектор 4, который установлен за образцом 3 под углом Ф /2 к пучкуфотонов падающих на образец, в плоскости, перпендикулярной к плоскости,проходящей через вектор 7 моноРкристаллического радиатора 2 и осьисточника 1 электронов.При прохоадении релятивистскихэлектронов через кристаллы электромагнитное поле электрона могкет быть представлено в виде спектра псевдофотонов с угловым распределением в пределах ьОс ш,с 7 Е,у , где- Лоренц-факторг Е, - энергия электрона;ш...

Номер патента: 1799625

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Онищенко

МПК: B03B 13/06, G01N 23/203

Метки: веществ, состава

...неконтролируемых веществ компонентов.В каждой 1-й пробе 1-га сорта измеряют сигналы Хгь Уп и Ен.По значениям и сигналов определяют параметры эллипсоидов рассеяния сигналов в пробах каждого Ио сорта,Измеряют сигналы Ха, Уа и ага в пробе вещества неизвестного состава.- КхУь Кггь) + 2 ХЬ 2 ь (КхУь КУгь - Кхгь КУУЬ) + +2 Уь 2 фхххь Кхгь - Кххь Кхгь)+ вь (Кхх 1 Кггь- Кхгь ) + Ь (Кххь ЗЬУь - КхУь )01+1; (7)15 Кххь, КхУь, Кхгь, КУУЬ, Кугь и Кггь - элементы ковариациснной матрицы рассеивания сигналов в пробах О+ 1)- го сорта поступают так. Записывают уравнение прямой, проходящей через точки А и О): ХД - Уа 1+д 1 =0; Ху) - 2 а) +е 1 =О,(10)гдЕ а 1 = Х 1- Ха, ф 1 = У - Уа; У) = 21-2 а;д 1 = Х 1 Уа - ХаУ 1; 81= Х 12 а - Ха 2. (11) Аналогично...

Номер патента: 1762637

Опубликовано: 27.03.1997

Авторы: Егоров, Петухов, Чистяков, Шагов, Юровицкий

МПК: G01N 23/203, G01T 1/16

Метки: концентрации, элементов

1. Способ определения концентрации элементов по градуировочной зависимости сосчитанного за установленный интервал времени числа импульсов n1, зарегистрированных первым детектором рассеянных анализируемой средой нейтронов источника, от концентрации элемента C n1 f1 (c) с учетом зарегистрированного вторым детектором фонового излучения nф, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и достоверности определения концентрации элементов в условиях переменного нейтронного фона, определяют градуировочную зависимость n2 f2(c) для второго детектора, размещаемого на отличном от первого расстоянии от источника нейтронов, регистрируют импульсы (n1 + nф) и...