Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 320760

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Лубе, Скв, Таткин, Хейкер, Цеп

МПК: G01N 23/207

Метки: автоматический, дифрактометр, исследования, монокристаллов

...интеноивности оттражения с задансньвви индетесаяи.На чертеже,прооведена блок-схема дифрактометра,Первичный паучок,из источника излучевия 1 направлен на исследуемый кристалл 2. Дифратированное кристаллом,излучение попадает в детектвор 3. Иипульсы детектора уаизвиваются усилителем 4 и через диоцримвнатор 5 гооступают в интенсиметр б и переочепный,гцрибор 7. Число,импульоов, накопленное пересчстным прибсром 7, записьпвается системой 2реписпрации 8. Блок 9 подает стабилизнрованноо напряжение для питания детепстора т, Готииометр 10 устанавливает кристалл и детектор в положение максимума опражелпия.5 Схема сравнения ористаллапрафичес(кихиндеисов 11 сравнивает индексы очереди 1 оопо отражения, нахадящиеоя в ячейке:памяти 12, с индексаГхои...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 295579

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Барсукова, Кузнецов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: метатитанатасвинца, монокристаллов

...не менее 1350 С в течение 30 мин,затем со скоростью 2 град(мин расплав охлаждают до 1100 С, после чего нагрев выключают.Способ заключается в следующем. 30 Кристаллизацию РЬТ 1 Оз производят из расплава под давлением воздуха 110 в 1 атл в пластиковых ампулах. Исходной шихтой является предварительно прокаленная при температуре 1100 С смесь окислов РЬО и Т 102. Ампулу с шихтой помещают в установку, представляющую собой стальной сосуд высокого давления с внутренним нагревателем, В установку нагнетают воздух до давления 110 - 120 ат.и и ампулу нагревают до температуры 1350 С. Давление воздуха препятствует улетучиванию РЬО и нарушению стехиометрпи кристаллов, а также восстановленшо свинца до металла из его окиси, что возможно прп использовании...

Номер патента: 298532

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бакшутов, Бутт, Гринева, Илюхин, Кузнецов, Московский, Тимашев

МПК: C01B 33/24

Метки: гидросиликатов, калбция, монокристаллов

...температуре 600 С и д 25%-ном водном растворе конечный продукт состав (фаза у) с размерами кри высокой степени совершенс авлении 2800 атм в 1 чаОН. Получают6 СаО ЗЯОг НгО таллов до 3,0 мм и тва. Предмет изобретен Известен способ получения монокристаллов гидросиликатов кальция в гидротермальных условиях при температуре 170 С и давлении 8 атм в водной среде, Размер полученных кристаллов менее 10 мк.В целях повышения выхода совершенных монокристаллов и увеличения их размеров процесс ведут в две стадии: при температуре 170 в 1 С и давлении 8 - 10 атм в водной среде и затем при температуре 300 в 7 С и давлении 1000 в 30 атм в 20 - 30% -ном водном растворе ХаОН.П р и м е р. Исходную шихту, состоящую из СаО и ЯОг, в водной среде выдерживают...

Номер патента: 299776

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Головачев

МПК: G01N 3/34

Метки: монокристаллов, хрупкости

...анизотропии хрупкости монокристалла, определяют отношение средних длин трещин разноименных кристаллографических символов в фигурах удара,нус с углом 10 и притупленном до диаметра 0,2 лтм,Игла Франка жестко закрепляется в штатиВе, снаокенным столиком с уп 1 угой подлоикой из корковой пробки, в которой против острия иглы прорезано цилиндрическое отверстие диаметром 5 лл. Разбег иглы постоянный и регулируется таким образом, что заглубление ее острия в пластины слюды должно составлять 0,5 лм. Точки нанесения ударов располагаются на пластинах слюды в шахматном порядке по сетке 1010 ллт и более редкой с таким расчетом, чтобы концы лучей смежных фигур удара отстояли достаточно далеко один от другого, Пластины должны подаваться под удар иглой...

Номер патента: 312220

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Воробьев, Жернова, Зуев, Павликер, Павловска

МПК: G01T 1/20

Метки: контейнер, монокристаллов, сцинтилляционных, упаковки

...изменения температуры, не превышающей 2 С в минуту. Эти контейнеры состоят из корпуса с оптически прозрачным окном, отражателя, поджимающего устройства, крышки и средств для герметичного уплотнения. С целью повышения энергетическошения упакованных монокристалловрения температурного диапазона допредложенный контейнер снабжен поправой с гнездом под окно, причемство между монокристаллом, отраяокном заполнено оптическим масломстве материала для корпуса испольвар, а в качестве материала для окначеский кварц.С целью избежания появления пвоздуха в масле при неоднократномнии и нагревании монокристаллов, в материала для отражателя использован фторопласт.На чертеже схематически изобра 0 ен предлагаемый контейнер для упаковки сцинтилля цпонного...

Номер патента: 315104

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Генкин, Горьковский, Макарычев

МПК: G01N 23/207, H05G 1/02

Метки: дифракционной, изображений, монокристаллов, развертки, рентгеновской, топографии

...в предложенном устройстве для развертки изображений при рентгеновской дифракционной топографии монокристаллов, содержащем рентгеновскую трубку, коллиматор, рентгеновский гониометр с держателем кристалла и кассеты с фотопленкой, рентгеновская трубка с укрепленным на ней коллиматором и рентгеновский гониометр с кристаллодержателем и кассетой с фотопленкой установлены на поворотных устройствах, соединенных с приводом синхронного поворота одного относительно другого в процессе топографирования кристалла.11 а фпг. 1 представлена принципиальная схема устройства; на фиг. 2 - схема падения луча и перемещения монокрисгалла в процсссе топографпрования.Устройство содержит рентгеновскую трубку 1 с коллиматором 2, установленные в поворотном...

Номер патента: 342661

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ордена, Павликов, Патг, Тресв

МПК: C30B 29/12, C30B 29/62, C30B 9/12 ...

Метки: монокристаллов, соединений

...с атомным номером, большим трех.Отличием предлагаемого способа является осуществление кристаллизации охлаждением нагретого до температуры 1200 - 1250 С раствора, содержащего 5 - 15 вес. % фтористого магния, со скоростью 300 - 800 С/мин. Это дает возможность получать манокристаллы фтористого магния игольчатой формы.По описываемому способу исходные компоненты смешивают, смесь плавят при температуре 1200 - 1250 С и после гомогенизации расплава охлаждают, Полученный твердый сплав обрабатывают горячей водой до полного растворения хлорида (или хлоридов), после чего осадок промывают и высушивают. Размеры игольчатых монокристаллов регулируют, изменяя скорость кристаллизации в диапазоне 300 - 800 С/мин,П р и м е р, Навески фтористого магния...

Номер патента: 346139

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Антонов, Сойфер, Эйдельман

МПК: B28D 5/04

Метки: монокристаллов, раскалывания

...а подпружиненный ударный механизм выполнен со спусковой скобой, фиксируемой в выемках направляющих.Предлагаемое устройство схематически изображено на чертеже.На массивном основании 1 расположен поворотный столик 2, несущий неподвижно укрепленный нож 8, который с помощью винтов 4, продольного 5 и поперечного б суппортов может передвигаться и фиксироваться в горизонтальной плоскости, Направляющие 7 несут на себе корпус 8, на передней части которого закреплен подвцжныц цож 9, а на з ней - пружинный ударный механизм 10, р положенный в направляющих 11.Раскалываемый монокрцсталл 12 помещается между двумя цожамц 8 и 9, предварительно выставленными в одной вертикальной плоскости, и слегка поджцмается между ними с помощью продольного суппорта...

Номер патента: 384208

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб

МПК: C30B 29/36, C30B 29/62

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных

...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...

Номер патента: 391847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петров, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г:...

Номер патента: 394094

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Люкшин

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, магний-марганцевых, монокристаллов, ферритов, шихта

...магта: 21,5 МдО, 34,9выращенного по меменьшей из нескольквов шириной линиинанса (Л Н), равной9470 Мгц при комнат и ширину линии фмр, измеренную при комнатнон температуре на частотах 4850 и 9100 Мгт 1 в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам, 5 П р и м е р. Сернокислые соли магния имарганца (да) и железоаммонийные квасцы (ОЧ), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем 10 вновь перемешивают и обжигают при 1250 Св течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/смг. Монокристаллы выращивают на аппарате с использованием двухканальной ки 1 з слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 -...

Номер патента: 394315

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Сапожников, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, граната, иттрий-железного, монокристаллов, шихта

...путем кристаллизаиз раствора компонентов УзОз, 1.-е,Оз, з в распл авс РЬО - РЬГз - ВзОз. Отлилсч тем, что, с целью увеличения коэфепта использования окиси иттрия и поии 51 Выходя крупных кристяллОВ, В шиходят двуокись свшша, а исходные комты берут в следующем соотношешш, %: иттрицииСаСОчаюафицивышету ввПЕНЕ 1вес. УзОз 1 езОз РЬО РЬ) В 20 з РЬОз СаСО 5,4 - 10,811,42 - 17,5530,9 - 34,1833,62 - 37,62,36 - 2,77,25 - 7,650,01 - 0,05 Опубликовано 22.7111.1973. Бю Изобретение относится к области хими 11 еской технологии и касается получения моно- кристаллов магнитных полупроводниковых материалов.Известна шихта для выращивания моно- Б кристаллов иттрий-железного граната (ИКГ) следующего состава (вес. %): 11,03 УзОз15,65 1;"е,Оз39,3 РЬО...

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Номер патента: 396124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Березенко, Блецкан, Мисюра

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов

...криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну...

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 363021

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Институт

МПК: G01J 4/04, G01N 21/21

Метки: класса, компонент, монокристаллов, нелинейной, поляризуемости, тензора

...компонент тензора нелинейной поляризуемости монокристаллов класса В.,д, с целью одновременного измерения абсолютных и относительных значений последних, измеряют зависимость интенсивности излучения второй гармоники, возникающей в плоскопараллельном образце, вырезанном параллельно кристаллографической оси Х, от угла а между плоскостью колебания электрического вектора и плоскостью, проходящей через оптическую ось кристалла и нормаль к образцу. Затем по величине интенсивности при а = О определяют абсолютное значение 44, а по отношению интенсивностей при а = О и а = - относительное значение4 где 1(от) и 1(2 а) - интенсивности излучения основной частоты и второй гармоники соответственно;5 1 - толщина образца;п(от) и п(ао) - его показатели...

Номер патента: 369748

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных

...на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в...

Номер патента: 376235

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ермаков, Коровин, Малинин, Сверлов, Украинский, Ушков

МПК: B28D 5/02

Метки: монокристаллов, ориентированной, резки

...3 слитка, стопорные винты 4, фиксатор б и ось б.Поворотный кронштейн и основание имеют 15 шкалу с конусом для отсчета углов поворотапилы в диапазоне -1-10 С точностью -1-10 ман.Поворот и закрепление кронштейна в требуемом положении производится стопорными винтами 4.20 Держатель 3 слитка А состоит из спутника иповоротного основания. Спутник изготовлен из текстолита и предназначен для наклейки слитка. Он закрепляется на поворотном основании винтами. Поворотное основание имеет 25 ось для подвижного соединения с кронштейном 2 и вырезы под фиксатор б, обеспечивающие поворот слитка на 90 с точностью -+-10 мин вокруг оси У - У. Закрепление поворотного основания в фиксированном положе нии производится гайкой."е 46 агк 676 Подписное аказ...

Номер патента: 421355

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Артамонова, Гликин, Николаева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: бифталата, выращивания, калия, монокристаллов

...способов, гсмпературы задают пепосле чего ведут кривке. При выращивании снижения температуры а кристалла постепенно Изобретение относится к области выращивания монокристаллов бифталата калия.Известсн способ выращивания монокристаллов бифталата калия методом осаждения вещества, например, снижением температуры из водного раствора с добавками.Известньш способ не позволяет кристаллизовать бифталат калия из его стехиометрического водного раствора при температурах ниже 25 С, так как при этих температурах стехиометрические составы располагаются в пределах поля устойчивости соли КС 8 Н 404 ( М 4 С 8 Н 604 Х 4 НеО.Зто обстоятельство слов при их выращиватем пер атуры.Цель изобретения - расширение температурного диапазона процесса...

Номер патента: 403226

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Гончаренко, Изобретени, Инский, Смушков

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: величиной, малой, монокристаллов, напряжений, остаточных

...отжпга в пзотсрмичсских условиях при температуре близкой к Т плавления.Нсдостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет процесс.С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре от Тпор до 1"Т,:, - 100 С .Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повышает его надежность и упрощает условия проведения отжига.П р и м е р. Чонокристальную булю изнатрия хлористого диаметром 140 мм вы сотой 8 б мм помещают в печь отжига.Температуру повышают со скоростью 10%ас до 450 С. При этой...

Номер патента: 437529

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Гончаров, Дудник, Кузнецов, Смирнов

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...верхней частью, входящей в отверстие в дне тигля, ниже которого установлена кольцевая подставка, диаметр которой меньше диаметра тигля и больше диаметра сливной емкости.Кроме того, устройство может быть выполнено таким образом, чтобы высота части штока находящейся в полости емкости превышала высоту ее стенок на величину, меньшую толщины дна тигля, а наружная поверхность дна тигля имела кольцевой паз с размерами, соответствующими диаметру и толщине стенок сливной емкости,На чертеже изобрамого устройства,1. Устройство для вытягивания из расплава монокристаллов по способу Чохральского с тиглем, поддерживаемым подвижным по вертикали штоком, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности слива расплава из тигля, шток выполнен с...

Номер патента: 441487

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Ковьев, Фокин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракции, монокристаллов, углов

...кристаллом пучки,производят колебания эталонногокристалла и измеряют угол междуего положенивщ, в которых имеютместо минивумы йнтенсивности диафрагированного исследуемым кристаллом чка,чертеже приведена оптическая схема, иллюстрирующая предлагаемый способ.Исследуемый присМлл 1 устанавливают в отражающее положение.Эталонный кристалл 2, углы дифракции которого известнй с большоиточностью и который слабо поглощает рентгеновские лучи, установлентаким образом, чтобы йервичный 3и дифрагировайный 4 пучки проходили через него. Затем производятколебания эталонного кристалла 2,причем он последовательно попадает, в оттижаюшие положения по отноше -3441487нию к первичному 3 и дифрагирован" в том-,"что опредбляют угловое сменому 4 исследуемым...

Номер патента: 442827

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, гидротермального, монокристаллов, окиси, цинка

...укрупнение мелкодисперсной окиси цинка и ооразуются мелкие кристаллики ХпО, в дальнейшем питающие раствор. Такая схема составления шихты позволяет избежать образования многочисленных нежелательных центров кристаллизации и одновременно значительно упрощает и ускоряет процесс насыщения раствора, позволяя исключить предварительную стадию и сразу создавать в автоклаве нужные условия для роста на затравку.Растворителем служат растворы едкого натрия, едкого калия концентрацией 10 - 15 М, содержащие 1 - 3 моль 1.ЮН, 0,1 - 0,4 моль ХН 4 ОН марок х. ч., ос. ч.,Для повышения удельного сопротивления получаемых монокристаллов в шихту вводят КС 10 з,КМп 04, АягОг и другие окислители.Затравками служат кристаллы окиси цинка, полученные в...

Номер патента: 445463

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Горбачева, Киргинцев

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов

...нальном требуемому числу проходами зоны, Верхний конец контейнера остается незаполненным. После сообщения контейнеру вращения вокруг продольной оси осущесгзляют зонную плавку при перемещении зоны сверху вниз, в результате чего слиток перемещается в припо днятую часть контейнера и после заданного числа проходов выращивается в ниде моноиристалла любым известным методом,Таким образом в одном и том же контейнере можно очистить и вырастить монокристаллы сохраняя герметичность контейнера на протяжении всей работы с веществом.Прр, В стекюпвнй цилиюический юйтейнер диаметром 2 мм, длиной 400 мм вносят олово инока 037-000.Длина загрузки ЖЙ мм. Контент закрепляют в жтановке. имеющей наклон к445463 ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ составитель И,1...

Номер патента: 447288

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Поляченко, Скляров

МПК: B28D 5/06

Метки: монокристаллов, резки, санок, химической

...переносят раствор в место реза на монокристалле. Сила, с которой монокристалл автоматио усилия 25 Станок относится к вспомогательному научному оборудованию и относится к устройствам, предназначенным для бездеформационной резки монокристаллов,Известен станок для химической резки, со держащий механизм подачи с рычажным механизмом, на одном плече которого укреплен поворотный стол со съемным кристаллодержателем, а на другом противовес, раму с режущими струнами и приводом возвратно-посту пательного движения, кювету с кислотой для смачивания режущих струн. Постоянный контакт монокристалла со струнами обеспечивается некоторым разбалансом рычага. Однако в известном станке затруднена настройка и 15 поддержание в процессе резки оптимального...

Номер патента: 448403

Опубликовано: 30.10.1974

Авторы: Баулин, Лаврентьев, Матвеев

МПК: G01R 33/00

Метки: исследования, магнитооптического, монокристаллов, пленок, ферромагнитных

...катушка выполненатрехсекционном каркасе, причем крайних секциях расположены об отки,а в средней по меньшей мее два смотровых отверстия, предетный столик установлен в окне аркаса первой катушки,когорая ртогонально усгановлейа в окне аркаса вгорои катушки, причем могровые огверстия катушек совещены.При необходимости создать зенитное поле в трех взаимно ерпендикулярных направлениях стройство дополнительно содерт трегью катушку, в окне карса которой усгановлены первая вторая катушка, каркас третьей тушки выполнен из теплопровоИзобретение относится к устройсгвам для исследования элесментов автоматики и вычислительной гехники, в основу когорых мзаложены прйнципы перемещения 5 вамагнитных доменов.Извесгно устройство для маг-...

Номер патента: 412713

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Алфименков, Курцман, Суворов

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллизатор, монокристаллов, растворов

...выращивания монокриз растворов, содержащий термостат,емкость с магнитной мешалкой, для создания вращающегося маголя, отличающийся тем, что, исключения загрязнения раствора, я мешалка выполнена плавающей средственного механического контакдыми элементами рабочей емкости. Крист сталлов 5 рабочую средства нитного с целью магнитн 0 без неп та с твеИзобретение касается выращивания моно- кристаллов из растворов и может использоваться в химической и радиоэлектронной промышленностях,Известен кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов, содержащий термостат, рабочую емкость с магнитной мешалкой, средства для создания вращающегося магнитного поля. Однако магнитная мешалка находится в контакте с твердыми элементами конструкций. Это...

Номер патента: 466906

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Березин, Бессонова, Васильев, Гуляев, Егоров, Жвирблянский, Затуловский, Левинзон, Окунь, Сачков, Смирнов, Чайкин

МПК: B01J 17/18

Метки: монокристаллов

...10Однако вырез в экране создает асимметрию теплового поля, а наблюдать за положением фронта кристаллизации под острым углом к оси кристалла неудобно,С целью устранения асимметрии теплового 15 поля, создаваемой вырезом в экране, и обеспечения более удобного обзора зоны кристаллизации в предлагаемом устройстве экран выполнен сплошным, а нагреватель - с петлевым витком в верхней части, вытянутым по 20 горизонтали, на уровне щели которого расположен верхний край тигля.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства.Устройство содержит тигель 1, помещенный 25 в полость щелевого нагревателя 2. Нагреватель 2 выполнен с петлевым витком 3, а тигель 1 установлен таким образом, что его верхний край находится на уровне горизонтальной щели...

Номер патента: 468139

Опубликовано: 25.04.1975

Автор: Генкин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, решетки, эталонного

...ражаясь от которого рторами Д Л й2 3 я дет Целью изобрчности измер етения является повышение ний.выбранной точке исследуеодновременно форентгеновских п ля этого го кристалла менее двух кусируют учков под личным глами, соотверэгговским уг тствую рот исгол межлам, произво сталла и изм следуемого крду его отражаю яют лож Кроме того фокусируют пуч щими различнь одной системы стэй, на исследуемый кристалли под углами, соответствуюм порядкам отражения отристаллографических плоскоПроцесс дифракт следующим образомии осуществля зобретение относится к рентгенострукому анализу, в частности к эталоннымдам определения параметров элементарячеек кристаллических решеток. параметров элементарных ячеек идвухкристального спектрометра.Однако...