Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 776269

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Андрющенко, Говорова, Зубенко, Квитницкая, Шабалтас

МПК: G01T 1/20

Метки: контейнеризации, монокристаллов, сцинтилляционных

...до полной вулквнизации (а не непосредственно между корпусом детектора и монокристаллом, как в прототипе) исключает адгезию между корпусом детектора и монокристаллом, а также расширяет применение заливочной отражающей массы как холбдного, так и горячего отверждения.Термообработка полученной отражающей оболочки при температуре 50-60 С в течение 2-3 ч обеспечивает полное удаление летучих до контейнеризации при минимальном количестве затрачиваемого времени и исключает взаимодействие летучих с поверхностью моно- кристалла после контейнеризации.Выбранные режимы термообработки являются оптимальными, так как выход за нижний приводит к резкому увеличению времени выдержки, а выход за верхний предел может привести к ухудшению качества...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1468025

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата

...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...

Номер патента: 1803765

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Галусташвили, Дрияев, Политов, Саралидзе

МПК: G01N 1/00

Метки: дислокации, знака, монокристаллов, одного, содержащих

...кристалла ипластинки-держателя и используя для последней материалы различной жесткости,можно менять положение плоскости нулевых напряжений вплоть до ее смещения запределы кристалла, Фотография на фиг.З,полученная в поляризационном микроскопе, иллюстрирует смещение плоскости нулевых напряжений к границе образца всторону стальной пластинки-держателя,Ниже приведен конкретный примеросуществления предлагаемого способа деформирования монокристалла ЦЕ, позволившего сместить плоскость нулевыхнапряжений точно на границу образца спластиной-держателем,Пластинку из монокристалла фтористого лития длиной И = 25 мм, шириной Сг=4мм и толщиной аг = 1,5 мм концами жесткоскрепляют с пластинкой из инструментальной стали удлиной Ь = 50 мм, ширинойС 1 = 25...

Номер патента: 415916

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гуревич, Мустафина, Панова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, сцинтилляционных

...позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной...

Номер патента: 1806157

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Кононов, Лашицкий, Липинская, Мельников, Педан, Ревенко, Стрелкова, Чечера, Яцук

МПК: C09G 1/02

Метки: абразивная, дии-20, кремния, монокристаллов, пластин, суспензия, шлифования

...пластин в опытной партии, шлифованной с использованием абразивной суспенэии ДИ Инаблюдалосьдополнительное повышение выхода годныхизделий за счет уменьшения скрытого бракапосле шлифования,Предложенная абразивная суспензияДИИ - 20 бактерицидная, не вызывает раздражения кожи рук рабочего персонала, неимеет неприятного запаха, не корродируетоборудования, легко удаляется с обработанных пластин кремния,Порядок приготовления абразивнойсуспенэии ДИИ.Состав абразивной суспензии готовятследующим образом:1. Сначала в течение 1 - 2 ч выдерживаютв небольшом объеме питьевой воды (1 л)комнатной температуры желатин технический до набухания. Затем разбавляют и растворяют его горячей водой (70-80 С) вобъеме 2 - 3 л. Полученный раствор заливают в...

Номер патента: 1806224

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дербенева, Райская

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: монокристаллов, рутила

...окончания распыления продолжают перемешивэние в гечение 5 мин., фф лассе чего лоаученную сусленсию отфиаатровывают на воронке Бюхнера и отжатый осадок ТКОНк НтО отжигают е камернои (Д печи при температуре 900 .фС в течение 1,5 ч. Пудру ТО 2 просеивают через сито й 0,056, Выход мелкой фракции 85-90%, Частицы изометрической формы. Содержание фракции размером 0,31,2 мкм = 78%. Из полученной пудры выращивают монокристаллы рутила методом Вернейля со скоро1806224 Таблица 1 Та стью 3 мм/ час при соотношении газов Н 2:02 = 1:2 с ориентацией оптической оси к оси роста 0.Затем монокристаллы отжигают при 1400 ОС в течение 24 ч в печи с продувкой кислорода. Кристаллы рутила не содержат пузырей и непроплавов, Выход качественных...

Номер патента: 1807101

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гриднев, Ростовцев, Рудницкий, Сидоров, Стукалов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: выращивания, магнитных, монокристаллов, сплавов

...на боковой поверхности формы не происходит. П р и м е р, Выплавляют сплавыНДК 35 Т 5, ЮНДК 40 Т 8 по ГОСТ исходные поликристаллдиаметром 24 мм. Загото180 101 Таблица 1Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использования огнеупорных форм от условий изготовления (выращивание на установке"Кристалл ЕМ", диаметр кристалла 24 мм) Кратность использования огне- упорных Количество Темпера- Скорость турный гра- выращива Магнитная Производи"паразитэнергия,кДж/м тельность тех, процесса выращивания моно ния,мм/минных" кристалловв верхней части отливки, шт диент град/ммсвойствам защигцают и помещакп в кер мические формы и окиси алюминия, собранные формы усганавливлют в тепловой узел...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Адонкин, Данько, Калашников, Катрич, Качала, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Номер патента: 1039253

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бобырь, Васецкий, Даниленко, Заславский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, основе, сцинтилляционного, щелочногалоидных

...освобожденным от органических примесей сырьемпомещают в ростовую печь, плавят в ампулесырье и выращивание ведут, как обычно,методом направленной кристаллизации (т.е. 750-760 С и 560 - 580 С), ампулу перемещают иэ горячей зоны в холодную через. водоохлаждаемую диафрагму со скоростью2 мм/ч, градиент гемпературы в зоне кристаллизации 25 - 30 С/см,Процессы выращивания кристалловИаЦТ 1) с предварительной термо-кислородно-воздушной обработкой сырья в ампулепо методике, описанной в примере 1, проводили с различным количественным составом кислородно-воздушной смеси,содержание кислорода в которой составляло 45,50,55 и 60 об, .Сцинтилляционные параметры детекторов на основе кристаллов Ма 1 Т 1), выращенных в ампулах, подготовленных согласнопримеру...

Номер патента: 1143128

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Даниленко, Заславский, Колоколова

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...покрытие выполнеове фторопластэ толщиной, - 0,005 толщины стенки камеры. мещенныи женный с щий. тепло установлен чем на внут поверхност крытие, о т целью увел и повышен нокристалл но на осн равной 0,6 центральный штуцер в крышке 3 в обьем камеры введен вращающийся водохлаждаемый шток 7 затравкодержателя. Охлаждающая вода циркулирует между внутренними стальными обечайками 8 полукорпусов 1 и 2 и рубашками 9, а в крышке 3- между нижней плитой 10 и рубашкой 11, Подача охлаждающей воды и вывод ее осуществляется через патрубхи 12 Фторопластовое защитное покрытие 13 нанесено на рабочие поверхности обечаек 8, крышки 3 и на наружную поверхность штока 7.Устройство работает следующим образом. В тигель 4 загружается исходное сырье (йодистый...

Номер патента: 1700954

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...

Номер патента: 176565

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Захарин, Коновалов, Костенко, Куцикович, Мохир, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: активированного, выращивания, йодистого, монокристаллов, натрия, спектрометрических, таллием

...или в гтредварительно вакуумированных ампулах Однако полученные монокристаллы содержат примеси, влияющие на их спектрометрические свойства.По предложенному способу непосредственно перед выращиванием монокристаллов проводят полную дегидратацию сырья в вакууме вплоть до его расплавления. Затем впускают в ампулу сухой воздух для сжигания органических примесей. содержащихся в расплаве, и удаляют летучие продукты химических реакций дополнительным вакуумированием.П р и м е р. Соль йодистого натрия заливают в ампулу с длинной трубкой, выходящей наружу из печи, На конце трубки имеются два патрубк один из которых используется для откачки и впуске воздуха, к 5 Ц 17 б 565 А.1 Пэ С 30 В 11/02, 29/12 другому с помощью гибкого вакуумного...

Номер патента: 1810400

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кизяев, Кожемякин, Косушкин, Курочкин

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...1 атм, Загруженные в тигель арсенид галлия и флюс оасплавляют, опувювЪ скают в расплав затравку, проводят затравливание, включают ультразвуковой генератор с частотой 5 10 кГц и вытягива.зют на затравку монокристалл при постоян ной скорости вытягивания при увеличении частоты ультразвуковых колебаний в предеказ 1422 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 лах 8 - 10 кГц на 1 см длины выращиваемого монокристалла. После исчерпания расплава в тигле монокристалл охлаждают и после остывания извлекают из камеры установки,Выращивали монокристаллы арсенида галлия полуизолирующего по технологии...

Номер патента: 1810401

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...

Номер патента: 1813816

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков

...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...

Номер патента: 1813818

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Есин, Панкин, Пономарев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: дендритной, монокристаллов, никельсодержащего, сплава, структурой

...выращивании использовали универсальную высокотемпературную установку для направленной кристаллизации конструкции Института кристаллографии АН СССР, Подбирали условия оыращивания, обеспечивающие стабиллное развитие дендритного ансамбля для монокристаллоо обоих сплавов. Для высоколегирооанного сплава тигель с расплавом выводили из зоны нагрева со скоростью 1,4 мм/мин, для бинарного 10 мм/мин, Диаметр образцов 9,5 мм, длина 80 мм, Асимметричную межфазную поверхность формировали путем асимметричного расположения тигля в концентрическом нагревателе. Наклон межфазной поверхности определяли путем металлографического анализа образцов, полученных в специальных экспериментах с остановкой доижения тигля и быстрым охлаждением после затвердевания...

Номер патента: 1816813

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Головей

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: калия, монокристаллов, ортосиликата, свинца

...м е р 5, Аналогично и. 2, но вырам 1свинца, При выращивании монокристаллов щивание ведут из состава с избытком,Оиз стехиометрического состава происходит мол,% окиси свинца. Полученные кристаллыобеднение расплава окисью свинца и появ- не содержат блоков трещин, твердофазныхление твердофазных включений. Добиться и газовых включений.устранения твердофазных включений уда П р и м е р 6. Аналогично и. 2, но вырается засчетдобавления небольшого избыт- щивание ведут из состава с избытком 1,2ка (0,2-1,0 мол,) окиси свинца. В этом мол. окиси свинца. Кристалл содержитслучае в течение времени, необходимого твердофазные включения.для вцращя выращивания кристалла изменение соФП р и м е р 7, Аналогично и. 2, но вытя.Пстава расплава...

Номер патента: 1816814

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ильинская, Минаков, Хахин, Хворостухин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации

...изменения шероховатости в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости (фиг. 2) осуществляют по формуле: где Н - относительная микротвердость, ед.;Йа - шероховатость поверхности, мкм.Поскольку полученная круговая диаграмма изменения относительной микро- твердости подобна круговой диаграмме изменения микротвердости, полученной экспериментальным путем по известному способу, то по ней также можно определять кристаллографическую ориентацию иэделия из монокристалла,П р и м е р. Образцы из монокристаллического никелевого сплава имели цилиндрическую форму, причем заранее известно, что ось образцов совпадала с кристаллографической ориентацией 001. Наружная цилиндрическая поверхность образцов была подвергнута чистовой токарной...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1819921

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/08

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов

...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...

Номер патента: 1838457

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента

...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...

Номер патента: 1476982

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов, Сирота

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов, термообработки

...металлической струны в рабочем пространстве электроэрозионного станка, Возникающее придвижении струны трение приводит к износутела направляющей вставки и из-за ее разрушения к поломке станка, Условия работынаправляющей вставки напонимают шлифование корунда закрепленным абразивом.Целью изобретения является увеличение срока службы изделий иэ монокристаллов корунда,П р и м е р. Корундовые направляющиевставки помещают в закрытый молибденовый контейнер и загружают в печь СШВЛ1:3,2/25. Рабочее пространство печи откачивают до давления 5 105 мм рт.ст, Печьнагревают со скоростью 500 град/ч до температуры Т 1 (см.табл.), выдерживают приэтой температуре в течение времени т 1,снижают температуру со скоростью 500 25град/ч до температуры Т 2,...

Номер патента: 1440098

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Атрощенко, Васильчук, Колыбаева, Сало, Селин

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов, термообработки

...м е р, Монокристаллы дигидрофосфата калия КДР) в количестве 4 шт. размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями 001) помещают в печь при комнатной температуре и нагревают со скоростью 25 град/ч до 120 С, со скоростью 4 град/ч до 150 ОС, со скоростью 0,7 ОС/ч до 170 С и скоростью 0,3 С/ч до достижения температуры 195 С; выдерживают при этой температуре 15 сут, а затем охлаждают с такой же скоростью, как и при нагреве, в тех же температурных интервалах.До и после отжига определяют величину внутренних напряжений, лазерную и механическую прочность. Величину внутренних напряжений определяют по измеренным Формула изобретенияСПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО- КРИСТАЛЛОВ ДИГИДРОФОС ФАТА КАЛИЯ, включающий нагрев, выдержку и охлаждение,...

Номер патента: 1275931

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты

...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...

Номер патента: 1345688

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки

...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...