Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 543856

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Дашковский, Максимкин, Маскалец, Скоров, Хижный

МПК: G01N 21/60

Метки: монокристаллов, ориентации

...следующим образом,Приготовляют образец с двумя взаимноперпендикулярными полированными гранями,На поверхности образца вблизи ребра, образованного пересечением взаимно перпендикуляр ных поверхностей инициируют двойник одним)из известных методов,Затем измеряют углы с( и с( (фиг.1)образованные ребром АВ со следами плоскости скольжения на полированных гранях 25образца, и записывают уравнение плоскости К в системе координат м у 2. Далееизмеряют высоту ступенек и и Ь, образованных двойниковой прослойкой на шлифованных поверхностях образца, например, З 0с помощью интерферометрического микроскопа и определяют направляющие косинус:,углов проекции ц направления сдвига 74на плоскость ЕуВ системе координат (уЕ записываютуравнение прямой, являющейся...

Номер патента: 521819

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Ворошилов, Никогосян

МПК: G01N 21/46

Метки: монокристаллов, способориентации

...лазера (или любо го, другого генерирующего в видимом диаиа зоне и попадающего по частоте в полосу прозрачности кристалла). Для достпжс; ия необхо- димой точности ориентации лазер работает в режиме основной поперечной моды, конфокальный параметр сфокусированного лазерного пучка намного превышает линей ные размеры кристалла, Плоскость поляризации лазерного луча вертикальна. Йследствие большого двулучепреломления нели- И нейных кристаллов луч лазера, проходя через кристалл, разделяетса на два луча с противоположной поляризацией - обыкновенный луч и необыкновенный луч. При помощи микроскопа, сфокусированного на вы хопную грань криста 1 и 1 а, измеряется рас 1 СФстояние Ь между пятнышкам, соответствуюни 1.,1 и обыкновенному и ы...

Номер патента: 548312

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Ефимченко, Заславский, Рыбкин, Соломаха, Стадник

МПК: B01J 17/18

Метки: активированных, монокристаллов, разращивания

...расплава и 15 на восстановление уровня, понизпвшегося засчет расхода расплава на кристаллизацию.Профиль разращпваемого кристалла задают соотношением скорости вытягивания кристалла и скорости опускания тигля при под вижном датчике (илп подъеме датчика принеподвижном тигле),П р и м е р. Выращивание кристалла цезияйодистого, активированпого таллием, Диаметр затравки 43 ми. Заданный диаметр кри сталла 300 мм. Тигель конический с угломпри вершине 130, В тигель помещают исходное сырье и расплавляют. Столб расплаваравен 15 мм, площадь расплава - 50 мм. При этом отношение площадей расплава и фронта 30 кристаллизации затравочного кристалла рав548312 Ф ор мул а из о бр етен ия Составитель Н. Гангардт Техред Л, ГладковаРедактор Т. Пилипенко Заказ...

Номер патента: 552750

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Багдасаров, Приходько

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...мм и толщиной 1 мм), ориентированное параллельно поверхности границы.С помощью жесткого стержня 4 диск соединяется с остальными элементами устройства: индукционным датчиком 5 амплитуды колебаний, датчиком 6 положе. ния диска, магнитоэлектрическим датчиком 7 для возбуждения колебаний, упругим элементом 8.Диск 3 под действием инддатчика 5 совершает вынужденейные колебания в направленидикулярном поверхности контрграницы.Затем определяют положение границы 1 раздела фаз путем определения положения диска 3 и измерения величины од ного из параметров, характеризующих его колебания и зависящих от расстояния между телом и границей раздела фаз (например, измерения амплитуды колебаний датчиком 6). При этом измеряемый пара3метр колебаний тела,...

Номер патента: 552993

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Батог, Иткина, Портнова

МПК: B01J 17/06

Метки: гидроксодов, двойного, металлов, монокристаллов, соединения, щелочных

...кв/см) наблюдается сегнетоэлектрический эффект.П р и м е р. Для синтеза исходного материала готовят смесь из 62 мол. % гидроксида лития и 38 мол. % пидроксида калия, т. е. состава, отвечающего перитектической точке на диаграмме плавкости системы 11 ОН - КОН. Смесь расплавляют в серебряной чашке в инертной .атмосфере при 360 С и гомогенизируют в течение 3 - 4 час. Охлажденный сплав помещают в кристаллизационную установку. Расплав находится не непосредственно в печи, а в специальном кварцевом сосуде, в котором создается инертная атмосфера, Сосуд представляет собой цилиндр с двумя отводами, в которые впаяны прозрачные кварцевые пластины для визуального наблюдения за процессом кристаллизации, Внутри сосуда на552993 Формула изобретения...

Номер патента: 526094

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Старостин

МПК: B01J 17/06

Метки: веществ, выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...и установпенного на опорах из отрезков вольфрамового прутка. Од нако это устройство не позволяет доби равномерности нагрева контейнера по допьными участками из неск ов, контактируюшихвсей длине, соединенныкже продольно распопоотрезками, выступаюслужат опорами,На фиг, 1 показано предлагаемое устройство; на фиг. 2 - развертка нагреватпя,Устройство состоит цзой водоохпаждаечой кач прикрепленного непосредственнороводач 3 и 4, системы экранов 5,ера 6, механизма и ения 7, установпенцого на повороти ре Р, и вакуумной системы 9.Нагреватель 2 выполнен пз петепь вопьфрамового прутка с продо 1 п участками из нескольких прямых отрезков 10, контактируюшпх друг с другом по всей длине. Продольные участки соединены чежду собой продольно распопоженными...

Номер патента: 577589

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Зданович, Пухов, Соколов

МПК: H01L 21/465

Метки: монокристаллов, полирующий, растворов, ртутькадмий-теллур, твердых, травитель, тройных

...ржит азотную , а компоненшении (об,%)30-40 30-35 ислот истоводородна 30-35мпонентов от уквь. кислотаОтклонение значензанных пределов приввврхности образцов. т к окислению поОбразны, вырезанные изйТ 6, шлифуют микропольно промывают водой Пример 1 кристаллов С 3 рошком М, и химически полир о,2 6 тшат Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенныхкристаллов, так и при изготовлении приборовиз этих кристаллов, в частности, тройных 5твердых растворов ртуть кадмийдтеллур,Известен полируюший травитель монокристаллов, представляюший собой 5 О/ ный раствор брома в метиловом спирте 1.Однако при полировании этим травителем Она поверхности образцов остаются трудноудалимые следы...

Номер патента: 276921

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Старостин

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов

...чертеже изображено описываемое И ,устройство, общий вид. устройство имеет кристаллизациониую камеру 1, в полости которой установлен нагреватель 2, шлюзовой от- з 0 сек 3, расположенный на поворотной каретке 4, к систему откачки 5, соеди" ненную с камерой и отсеком.отдельными линиями б и 7. В корпус камеры встроен вакуумный затвор 8. ИЛодочку 9 с исходньи материалом помещают в отсек 10 камеры, после чего в нвй создают. заданные температурные условия и давление. Выращивание осуществляют перемещением лодочки через 80 крис таллиэационную камеру в шлюзовой отсек.Шлиэовой отсек отделяют от камеры прн помощи вакуумного затвора и после охлаждения лодочки отсоединяют от камеры. Лодочку с выращенным моно" кристаллом извлекают иэ отсека, в отсек...

Номер патента: 283188

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Седаков, Федоров, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...без дополнительного отжима. б 10 ормула изобретен Способ выращивания монокристалло гоплавких окислов направленной кр ллиэацией расплава в молибденовом Изобретение может быть использовано преимущественно для получения монокристаллических пластин корунда.Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере,Предложенный способ отличается осуществлением зонной плавки в лодочке вусловиях остаточного дазвления газовойсреды над расплавом 10 , - 5 10ммрт .ст. при соотношении поверхности иобъема расплава не менее 1 -см", скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурномградиенте на фронте кристаллизации неболев 1 ф С/мм.Проведение...

Номер патента: 584234

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, параметров, реализации, решетки

...эталонный кристалл 2. От второго источника 3 рентгеновские лучи также попадают на эталонный кристалл. Отраженные лучи с углом раствора 2 фокусируются на исследуемый монокристалл 4 (например,;на эпитаксиальную пленку), угол дифракции которогоив не равен углу дифракции эталонного кристалла в Ф в . Вращение исследуемого кристалла вокруг вертикальной оси приводит к последовательному отражению лучей 1 и 11. Через прорези 5 в эталонном монокристалле можно пропустить вторичные кванты и фотоэлектроны, возбуждаемые в исследуемом кристалле, в регистрирующую систему 6 (вторично-электронный умножитель, электронный спектрометр, рентгеновский датчик). Вся система находится в вакуумной камере (не показана) и источники излучения 1 и 3 установлены...

Номер патента: 566424

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Васильева, Огаджанова, Соболева

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, меди, монокристаллов, хлоридов, цезия

...8Г 13 алло к Р 2 Н Ои СиСР10являекристытатком известного спение несовершенныхмером до 10 мм гете особамелкихроген лов, ра тавае Изв лов Са крист о ао соористал" 15ост )этихния раст-,стен также способ полученияСОСк из водного растворааллов осуществляют путем исп полученыкрис ии примонокристалов СЬСМСРО ведут на пературы отов хлорида 25 еровис талл"2 Нтемство в р 12 .Зтим способом, однако, таллы размером более 10 мС целью увеличения разм лов процесс выращивания кр СВ СО СгиСЗ СОСЕ затравку методом йонижени 47 до 18,5 С из водных р го Знамени институт,кристаллограсд;.,1никова цезия в хлориде меди в весовых соотношениих С 5 ССО СР =1 р 2; 5:1; 3;4 (соответ:ственно) со скростью снижения температуры0,05-0,12 град/сутки,Оптимальные...

Номер патента: 589015

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Кокойкин, Мельников, Суворов

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллов, нитевидных, шихта

...шихты загружают в реакционное пространство электрической печи сопротивления. Загружают в следуюшей последовательности: графит, илгнеэнт, сульфид алюминия. Реакционное пространство золируют корундовым акоаном. Теаеуратуру в печи подни мают до 145 ОС нтвыдерживают не менее 2 час.589015 формула изобретения Составитель С, Кокойкин Редактор Л, Гребенникова Техред Н. Андрейчук Корректор Н. ЯцемирсЗаказ 296/7 Тираж ЙФ Подписное ОНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская набд, 4/5Фипиап ППП Патент г. Ужгород, уп. Проектная, 4 П р и м е р 1. В реакционное пространство электрической печи загружают 70 г графита, 25 г металлургического магнезита и 5 г супьфида алюминия,...

Номер патента: 296396

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Клевцов, Павлюк

МПК: B01J 17/06

Метки: калий-иттриевого, молибдата, монокристаллов

...способ получения монокристаллов 5 калий-иттриевого молибдата из расплава при повышенной темпеоатуре с последующей кристаллизацией при медленном охлаждении.Основными недостатками известного способа являются незначительные размеры и недостаточно высокая степень чистоты монокристал 1 О лов.С целью устранения этих недостатков процесс кристаллизации ведут на вращающуюся затравку в атмосфере. воздуха при наличии осевого до.1 С/мм и радиального до 3 С/мм градиентов температуры расплава с последующим15 охлаждением со скоростью 1 - 3 С/ч.При этом кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную в направлении 11001.Пример. В платиновый тигель помещают О г предварительно синтезированного калий. р иттриевого молибдата и нагревают до расплавления...

Номер патента: 595665

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Фомин, Шашков, Шумский, Щеголькова

МПК: G01N 23/207

Метки: модификаций, монокристаллов, политипных

...вращения или качания при съемке на просвет с фоторегистрацией 11. 11 аиболсе олцзким к изобретению техничским решением является дифрактометрический метод определеш 1 я политипных модификаций, который основан на съемке кристалла в монохроматцческом излучении с длиной волны л и записи некоторого углового интервала между двумя (тремя) сильными структурными отражениями типа (ООО и регистрации слабых сврхструктурных отражений, подсчет количества которых дает однозначное решение вопроса о принадлежности монокриЛномер политцпной модцфцкациц, и измеряот интенсивность этого отраже 1 шя, на длине волны г. и интегральную интенсивность, 1;:апримср с помощью амплитудного д:1 фференциального дцскрцзгинатора, и по разлц- чц 1 О в измеренных...

Номер патента: 600387

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Абен, Бросман, Каплан

МПК: G01B 11/16

Метки: кубической, монокристаллов, напряжений, образцах, поляризационно-оптический, сингонии, цилиндрических

...=Сг+ С 4 (х 1+ г 1+ С 4 ХС 4 - СХ (х 1+ г 1)1+ (х 1 - г 1) бй. (13)После интегрирования последнего выражения получим линейную систему уравнений дляопределения коэффициентов С 2, С 4, Сб,СгРг(х)+С 4 Р 4(х,1) + .С 4 - С,",1 ХГ - 6(5) 55 где хх у 111 1 (6)60Если измерить разность ходами(х) притзначениях координаты х, т. е. при х;=1, 2 , то из соотношения (4) получим линейную систему уравнений для определения коэффициентов а 0 а 2 а 4 а 2 п 65 21 а - / 61 - Х 111(16) дающем с одной из двух кристаллографических осей 100 или 001 образца. Измеряют по всему. диаметру образца суммарную разность хода излучения, прошедшего через излучения, прошедшего через образец, Лналогично проводят измерения при просвечивании образца под углом Р к оси г в...

Номер патента: 605721

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Завилинский, Засимчук, Поляченко

МПК: B28D 5/06

Метки: монокристаллов, резки, химической

...включает станицу, лтеханиэм подачп крттстапподержатепя 1 со следящимэлектроприбором, состоящий иэ стопа 2,штока 3, редуктора 4 и электродвигателяподачи 5. На станине расположены каретка6, иесутцая коромыспо 7 весовой системы т 5ц эпектродвигатепь 8, осуществляющий возвратно-поотупатепьцое перемещецие каретки,кривошипнс-шатунного механизма 9 и реечного дифференциала 10, На одцолл плече коромысла эакреппена режущая струна 11, а 20другое его плечо связано с датчиком перемещений 12, На коромысле имеется противовес 13, служащий дпя балансировки весовой системы, и груз 14 задания усилия нажатий режущей струны на моцокристалл. Нарежуцтие струны надеты втулки 15, соединенные эластичными трубками 16 с резервуарол. 17 рабочего...

Номер патента: 611142

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Аветян, Авунджян, Безирганян, Шабоян

МПК: G01N 23/04

Метки: монокристаллов, рентгеновской, топографии

...устройство.Источником 1 рентгеновского излучения служит рентгеновская трубка с достаточно большой удельной мощностью и с точечным фокусом, Питание рентгеновской трубки осуществляется высоковольтным источником с помощью высоковольтного кабеля. Охлаждение трубки производится проточной водой. Пучок рентгеновских лучей из источника проходит через щель коллиматора 2 шириной 0,4 мм, расположенную на расстоянии 20 см от фокуса трубки (такое расположение оптимально). Это дает возможность 30 получить достаточно интенсивный узкий параллельный рентгеновский пучок с достаточным разрешением для получения изображения дислокаций величиной 25 мкм и более без длительных экспозиций. с Дифрагированный от монокристалла 3 пу" чок, проходя через...

Номер патента: 618291

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Катрич, Сидельникова

МПК: B28D 5/06

Метки: монокристаллов, образования, образцах, отверстий, профилированных

...осуществляют следующим образом.Рабочую поверхность исходного образца покрывают формообразователем, представляющим собой пластинку из тугоплавкого металла (вольфрама, молибдена и т. и.) с профилированными отверстиями требуемой формы. С целью исключения взаимодействия углерода с материалом формообразователя в процессе высокотемпературного образования отверстий в подложке формообразователь подвергают предварительной карбидизации, что повышает эффективность протекания реакции взаимодействия между окислом металла и углеродом. Карбидизацию проводят путем нагревания его в контакте с графитом в вакууме или инертной среде до температуры, соответствующей наибольшей скорости образования карбидов данного металла. В профилированные...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 627984

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Генделев, Зверева, Лаповок, Щербак

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллов, сфер, ферритов

...- АСМ на метаппокерамической связке, ипи путем механической обработки (чащечиый кругв сюростьвращениа 1000-2000 обРмин), материапинструмента-КЗ+ЭБ на керамической связке. Продопжитепьность обработки 1,01,5 ч при испопьзовании зернистости40 мкм и 2-3 ч при зернистости 20 мкмЗатем заготовки полируют путем ваханичвокой обработки (чашечный шпифовапьный ада, скоростьвращенки 6 ООО об/мин),Материаи инструмента - порошок АСМюа Эпьборна дереве. Продолжитепьвость обработки арн исповьзоиайФ зериистосйй 10 мкм - 3-5 ч, 5 мкм - 3060 мйе 3 мкм30 минэ 1 мкм30 мжн,Изготовление сфер иэ монокристаллов ферритсв по предложенному способу поз- вопяеФ существенно повысить выход годных изделий. с весьма малыми отклонениями от сферичности. (10%), тогда...

Номер патента: 528837

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Киргинцев, Маловицкий, Соловьев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов

...примыкающим к цим нагревателем 4 и надетыми обмоткамц 5, укрепляют затравку 6, имеющую диаметр, близкий к диаметру контейнера. В другом конце ук репляют стержневую загрузку 7 исходногоматериала. Через канал 8 в пустотелом керце 9 прц открьтом вакуумном кране 10 в контейнер подают аргон. На стыке затравки и загрузки включением трубчатого нагревателя сопротивления образуют зону расо плава с температурой 1000 в 1200 С.После подачи воды в обмотки статора,выполненные из восьми витков медной трубки диаметром 6 мм, цх включают через понижающий трансформатор в электрическую сеть и устанавливают ток 300 А. Расплав начинает вращаться относительно контейнера со скоростью 200 об/мин в определенную сторону. Затем сообщают контейнеру вращение в...

Номер патента: 568309

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Баркан, Сафронов

МПК: G03H 1/18

Метки: лития, монокристаллов, ниобата

...возникающей в кристал ле, измерялась с использованием излучения Не - йелаэера (633 нм).Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (дпинаволны 488 нм, плотность мощности21 Бт/см ), Кривая 2 изображает процессстирания голограммы излучением того желазераКривые, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8,9 и 10 изображают соответственно второй,третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том жеместе кристалла.Как видно иэ фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладаетсимметрией. Воспроизводимость характеристики отсутствует,На фиг. 2 показана реверсивная характеристика шести последовательных цикловзапись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 667878

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Налбандян, Погосов, Шабоян, Эйрамджян

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, работы, рентгеновской, топографии

...уста новлены на платформе, подвижной отно, сительно держателя исследуемого кристалла и средств визуализаЦий; "Кроме того, одна из трубок используется в импульсном режиме, 15На фиг.1 показана принципиальнаясхема предлагаемого устройства; нафиг.2 - относительное размещениедвух рентгеновских трубок; на фиг.Зтопограмма, полученная с помощью 20предлагаемого устройства,Устройство содержит острофокусныерентгеновские трубки 1, 2, выходныеокна 3 которых расположены на однойпрямой, на которой находятся и фокусы 25трубок, коллиматор 4, исследуемыйкристалл 5 на держателе, щель 6;видикон 7, предварительный усилйтель8 и приемно-регистрирующее телеустройство 9. Из колЛйматора 4 выходитсовмещенный пучок 10 обеих трубок,а на видикон 7 попадает...

Номер патента: 673404

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Каракозов, Кардашова, Понимаш, Терновский, Шабалин

МПК: B23K 19/00

Метки: давлением, металлов, монокристаллов, сварки

...сколлжение при деформировании проявляет себя возникновением на боковых поверхностях образцов тонких прямых параллельных линий скольжения, Вторичному скольжению отвечают линии вторичного скольжений которые пересекают первичные, образуя с ними сетку линий скольжения. Этим можно воспользоваться для фиксирования перехода от одиночного сколлжения к множественному и выбора момента завершения процесса сварки. Кроме того, можно воспользоваться и другими способами, например переходом от первой стадии деформационного упрочнения материала ко второй по диаграмме сопротивление деФормации - деформация, регистрируемой в процессе сваркй по методу вынужденного деформировакия, либо по изменению угла поворотаоси кристалла при достиже673404...

Номер патента: 475809

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Демьянец, Дудеров, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: германата, монокристаллов, свинца

...сегнетоэлектрического и электрооптического материала.Известен способ получения монокриствллов германата свинца состава 5 РЬО фЗОеОа по методу Чохрвльского.Однако полученные кристаллы имеютхарактерные дефекты в виде нестехиометрии состава,С целью получения монокристалдрв стехиометрического состава, проводят процесс гидротермального выращивания и охлаждения в водных растворах КГ конценчрацией 20-45 вес.%. при температурах450-550 С и давлениях 500-.1500 втмогДля стабилизации Р 1 в растворе вовремя синтеза в исходную шихту вводят2 вес. % СцО по отношению к Р О,С целью укрупнения кристаллов послев режиме проводят снижениеры до 200 С со скоростью 1 па. Температура зоЬ 1 = 30 С, время всуток, после выдерждится программноесо скоростью 1 град200...

Номер патента: 681626

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Вербицкий, Носачев, Силин, Сысоев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, халькогенидов, цинка

...(макропоры), а в крупных образцах (длиной более 20 мм) возможны концентрационные выпады примесей падлине.Целью изобретения является улучшение оптического качества монокристаллав5 за счет уменьшения количества и размероепор,Поставленная цель достигается тем, чтаплавление сырья ведут под давлением инертного.газа 10 - 20 атм, а перед кристаллиза 10 цией снижают давление,да величины,соответствующей упругости пара халькогенида в интервале температур Ткр -(Ткр+50 ОС), где Ткр - температуракристаллизации.15 П р и м е р 1. Выращивание монокристаллов сульфида кадмия (СбЗ),Тигель с навеской порошкообразногоСбЯ (500 г) помещают в кристаллизацианную камеру компрессионной печи. Систему20 вакуумируют до давления 10 мм рт.ст. Камеру нагревают до 700 С;...

Номер патента: 685967

Опубликовано: 15.09.1979

Автор: Чащин

МПК: G01N 27/00

Метки: значений, металлических, монокристаллов, параметров, плазмы, сдвигов, электронной

...для регистрации квантовыхосцилляций поверхностного импеданса, остаются меньше толщины подвергнутого воздействию поверхностногослоя,Ограничение исключает вклад внутненней части образца, не подвергавшейся воздействию, в образованиесигнала осцилляций поверхностногоимпеданса.На чертеже изображена копия за 25 писи,одновременно зарегистрированных квантовых оспилляций поверхностного импеданса , и квантовыхосцилляций магнитной восприимчивости всего объема образца впридх/ийИ 2двух температурах: Т = 2,05 ОК иТ = 1,7 К, Интенсивность сигнала Аизображена в относительных единицах,а зависимость от магнитного поля Нв едИницах обратного магнитного поля Н КЭ . Направление магнитногополя Н совпадало с направлениемкристаллографической оси1010 1-Н //...