Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 163759

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Юбретеии

МПК: C30B 11/00

Метки: аппарат, выращивания, высокотемпературных, зонной, монокристаллов, разлагающихсясоединений

...регулируется путел 1 отпускания натянутой струны. 25 ддлов рЬлд- давлеуса, в ель ц оцокрис атурных ава под и из кор нагреваля выращивания л стки высокотемпер единений из расплго газа, состоящн рого установлен Аппарат д и зонной оч гающихся со ннем инертно полости кото В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зониой очистки высокотемпературных разлагающихся соединений з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение,Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним...

Номер патента: 165670

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Костин, Техническдй

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: выращивания, монокристаллов, слюды

...перегреве в центре печи(1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения 25 или нагрева. Спосоо выры из расплав 0 тигля с распл одписнпя группо ЛБ 33 Известны способы выращивания монокристаллов елоды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания тигля с раснлавом сквозь зону максимального нагрева. Процесс требует много вр(меня и ведется ступенями.В предлагаемом спосоое, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разо.ретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный...

Номер патента: 166841

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Александров, Йсессю

МПК: C30B 1/08

Метки: металлов, монокристаллов, полупроводников

...при со температуры и давлен зия таким условиям = 22 000 кг/см 2 и 1 = 19 р = 40 000 кгсл 2, г = 2 здании определеннои я, Например, для цесоответствуют р = 7 С, для рубидия - 0 С мого способа является о производят при давсоответствующих эквой плавления или криорф ного превращения вещества. При этих усия или полиморфное ят без изменения объеазование врожденных дме обретен Способ получени лов и полунровод сталлизацией расп цией в твердой фаз с целью получения сталлов, кристалли ленин и температ ремальной точке к тической точке по перекристаллизуем и ла е, лым числом дислокапособу могут быть пороцессе зонной переодписная гргггпа16 Известен сметаллов и пдислокацийрасплава илфазе.Отличием описываето, что кристаллизацилении и...

Номер патента: 167069

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Капустина, Павловска

МПК: G01N 24/08

Метки: блочности, мозаики, монокристаллов, некубических

...трудоемки, имеют малую точность. Способ электронного парамагнитного резонанса накладывает существенные ограничения на размеры образцов.Предложенный способ контроля блочности мозаики с помощью ядерного магнитного резонанса основан на том, что спектр для моно- кристаллов некубической сингонии с осью симметрии не ниже третьего порядка при наличии электрического квадрупольного момента резонирующих ядер состоит из 21 компоненты. Положение этих компонент зависит от ориентации кристалла в магнитном поле спектрометра ядерного магнитного резонанса, Исследуемый монокристалл устанавливается в спектрометре ядерного магнитного резонанса так, что его ось симметрии образует некоторый оптимальный угол О , с направлением поля магнита. Производится...

Номер патента: 167820

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Валов, Горюнова

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: бора, монокристаллов, фосфида

...СОБ ПОЛУЧЕН НОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОР вой а 1300нии влы ф фосфичью осуи ВР из да бора 0 С, вы- темперас печью. Способ получения да бора, отгичающий ществлеия процесса раствора, шихту, состо и фосфида никеля, н держивают в течение туре, после чего охл монокристаллов я тем, что, с це кристаллизаци ящую из фосф гревают до 130 часа при этой ждают вместе ггисная группа39 С целью осуществления процесса кристал. лизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в те чение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в...

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...

Номер патента: 169064

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Изергин, Калашников, Сибирский, Черниговска

МПК: C30B 15/10, C30B 29/42

Метки: ампула, выращивания, кварцевая, монокристаллов

...б. Затравка 7 перемещается с помощью системы магнитного подъема 8. Заданное распределение температуры обеспечивают регулировкой печи 9, индукционного нагревателя 10 и холодильника б. Ампула соединена с фланцем 11 с помощью обычного вакуумного уплотнения 12. Вакуум-провод 13 Перед началом работы внутренние стенки ампулы и ее содержимое тщательно очища После сборки ампулу дополнительно очища путем прокаливания в вакууме мышьяка при 250 в 3 С в течение 2 - 4 час 1 галлия при температуре 600 в 8 С около 2 час). При этом температура стенок ампулы все время поддеркивается 700 С. Затем температуру мышьяка повышают до 608 С, Некоторое количество его конденсируется в наиболее холодной части ампулы вблизи холодильника. Мышьяк создает узкое...

Номер патента: 171382

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бажал

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, монокристаллов

...заявкил. 12 с, 2 МПК В 01 д ДК 66,065.5(088,8 иоритет Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень11 Дата опубликования описания 28.И.1965 ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО редмет изоб Известныйсталлов метоных растворолен. посоо выращивания монокрим кристаллизации из насыщендлителен и малопроизводитеени Предлояенныи способ лишен этих недостат. ков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер ату ре кипения насыщенного раствора в строто герметизированном объеме и постоянном давлении,одписная группаГосударственный комитет по делам изобретений и открытий СССРСпособ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом 5 кристаллизации из насыщенных растворов,отлссчаюи 1 ийся тем, что, с целью интенсификации процесса,...

Номер патента: 171586

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Гришина, Мильвидский, Омель, Фистуль

МПК: C22F 1/02

Метки: высоколегированных, германия, монокристаллов, типа, электронного

...монокристаллов гг-типа кремния и арсеница галлия. Спосо нокрист проводи личаюиг соколеги бильньв теристиг вергают чение 2 последудггисная грг 1 гггга Лг 161 Известен способ получения высоколегированных монокристаллов германия гг-типа проводимости (с концентрацией Аз до 10 хосм - 3) вытягиванием из расплава.Для получения высоколегированных моно кристаллов германия со стабильными во времени электрическими характеристиками предлагается вытянутый монокристалл подвергать термообработке путем нагрева в течение 2 - 4 час при температуре "-870 С с последующей 1 закалкой.Монокристалл германия вытягивают из расплава, легированного мышьяком, по способу Чохральского.Часть допорной примеси в вытянутом кри сталле не входит в твердый раствор,...

Номер патента: 172287

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Волынец, Губен, Козлов, Охапин, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: газопламенного, монокристаллов, отжига

...того, с целью уменьшения концентрации дислокаций В монокристалле, ВО Врсмя кристаллизации проводят поочередное, начиная сверху, подключение трубок, расположенных по спирали.Данный способ иллюстрируется конкретным примером его осуществления для выращивания и Отжига моно,рцсталлОВ корунда (температура плавлсш 1 я 2050-С) длиной 150 х 1,1 и диаметром до 25 з 1,11 с крцсталлографической ориентировкой 0, 15", 40, 60, 75 и 90 в стандартной печи. В зоне отжцга были проделаны нормальцыс к поверхности печи (стальНОИ 1 у ,Ожуку ц адуцдовой жарОВО ТрубЕ) круглые отверстия, расположенные по спцральнОи криВО 1 таким ООразом, что каждое слсду 1 ощее ОтВерстне Вын 1 с (ц 1 и нцжс) предыдущего на 12 я,11, а их Осц смс 1 цецы в проекции ца...

Номер патента: 173202

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Биол, Клевцов

МПК: C30B 29/32, C30B 7/10

Метки: монокристаллов

...(088,8) ликовано 21 Ч 1,1965. Бюллетень15 ата опубликования описания 26,Ч 111.1 Авторыизобретения цов и Л. М. Кефели П аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Общеизвестен способ получен таллов методом гидротермаль при температуре выше 400 С. рического состава, либ олибденового катализато монокрисо синтеза тов стехио шок желе пор Предмет 5 Способ получения жащих железо, гид при температуре 450 тем, что, с целью и либдата железа, их 10 водном растворе хло лов Ге О - ЗмоО;, и молибденового катализобретен монокристаллов,ротер мальным си- 500 С, отличаюолучения кристаллвыращивание веристого железа изли из порошка иизатора. идроучаеза способ голяет пол тбдат желедут в автоклаи температуре40 - 50%, велеза. Питаткислов исход одписная...

Номер патента: 173421

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Буслаев, Козлова, Рез, Роде, Сафронов, Сперанска

МПК: C30B 29/32, C30B 9/12

Метки: выращивания, луч, монокристаллов

...кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для...

Номер патента: 184246

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего...

Номер патента: 185087

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, фосфидабора

...с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 203498

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Говорова, Зайцева, Лукашенко, Савраева, Титова, Шахнович

МПК: B24B 1/00

Метки: монокристаллов, полирования

...оптических деталей из фтористого лития для применения их в коротковолновой ультразвуковой области спектра.Способы полирования монокристаллов фтористого лития, в соответствии с которыми монокристаллы обрабатывают полировальником, поливаемым суспензией абразивного порошка, известны.Применение известных способов полировки приводит к уменьшению прозрачности отполированного монокристалла по сравнению с прозрачностью на сколе кристалла.Известные способы обеспечивают сохранение прозрачности для длин волн, больших 1400 А,Предлагаемый способ полирования моно- кристаллов фтористого лития отличается от известного тем, что монокристалл полируют суспензией окиси хрома с размерами частиц л,/5. В качестве полирующего материала для окончательной...

Номер патента: 203639

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гул, Литвинов

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...в виде двух керамических полуцилиндров 1 и металлического корпуса, также состоящего из двух полуцилиндров 2. Части муфеля соединены с частями корпуса, шарнирно установленными на вертикальной штанге д аппарата с помощью перекрестных рычагов 4, которые через ролики б связаны с эксцентриками б приводного вала 7. Части корпуса прижаты друг к другу пружинами 8, степень сжатия которых регулируют с помощью гаек 9. На валу 7 может быть расположено несколько пар эксцентриков, количество которых соответствует числу аппаратов ростового блока,5 11 одготовленное к работе устройство закрывают, поворачивая приводной вал. 11 ри этом эксцентрики взаимодействуют с роликами рычагов, и керамические части муфеля соединяются. Части корпуса установлены...

Номер патента: 205152

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Косов, Мачковский

МПК: H01L 21/00

Метки: монокристаллов, ориентированной, резки

...за световог картиной и используя лимбы поворотного ме ханизма, устанавливают монокрпсталл в та кое положение по отношению к пиле 9, чтобь разрезать его по требуемой кристаллографи ческой плоскости.В результате устранения переноса кристалла между операциями ориентации и резкт 30 точность ориентированной резки возрастает. строистве для п анной резки, о ции совмещена разной пилы, ленная к нему зное отверстие ачестве экран вана внутренн вышения тическая с осью ля чего дисковая вдоль их системы я стенка но описываемое устро мы оптическои ориентаостоит из спстанка резки,ции ической ориентации содержит ающий узкий пучок света, экве которого используется внут- стенка дисковой головки 3, и ханизм 4, к которому через пестину 5 крепится...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...

Номер патента: 212237

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Деларова, Дукельска, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, веществ, выращивания, монокристаллов, приготовления, шихты

...тем, я шихты,мк смеиготов ристал обжи ссифи устр а;рупно порош ичеств верхно астираСпособ пр вания монок включающи чснием и кла что, с целью 1фракцию с шивают с взятой в кол вания на по ного слоя, р кислоты, я образо- лекуляр- ссифици 0 с присоединением заявкиОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВИзвестные способы приготовления шихты для выращивания монокристаллов по Вернейлю включают в качестве заключительных операций обжиг, измельчение и классификацию, Подготовленная таким образом шихта при транспортировании по магистралям питателя комкуется и налипает на стенки питателя и горелки, чем нарушается равномерность ее подачи на растущую поверхность. Отличием описываемого способа является смешение фракции с крупностью частиц до 60 мк с...

Номер патента: 219821

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Борисов, Гуревич, Ком, Лубе, Маклаков, Миренский, Рогачев, Хейкер

МПК: G01B 9/10, G01N 23/207

Метки: автоматический, дифрактометр, исследования, монокристаллов, программным, управлением

...вр2, Дифрактоме тем, что, с целью дования кристал мени измерения ния времени изх раз по отношени 25 По основному авт. св.160866 известен автоматический дифрактометр с программным управлением для исследования монокристаллов, содержащий генераторное устройство с рентгеновской трубкой, систему автоматической регистрации и записи интенсивности рефлексов, блоки ввода программы и коммутации в гониометрическую систему, а также дискретные датчики углов поворота с циклическим кодом.П 1 редлагаемый дифрактометр отличается от известного тем, что содержит дополнительные блоки: блок памяти заданных крайних значений угловых интервалов колебаний кристалла и детектора излучения, счетчик числа этих колебаний и блок секундомера-задатчика времени...

Номер патента: 257462

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аникин, Ишбз

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: веществ, монокристаллов, особенности, тугоплавких, фтор-слюды

...конечного продукта и упрощения процесса предлагается в качестве растворителя использовать смесь обезвоженных фторидов элементов 1 и 11 групп периодической системы элементов, а в качестве растворимого - поликристаллпческий конечный продукт или смесь компонентов, образующих его в процессе реакции. При этом растворитель вводят в количестве от 3 до 80% (преимущественно 20 - 60%).П р и м е р. Химически чистые ЯР, ВаР 2 смешивают со скрапом слюды КМДзА 1 Яз 01 о 1 Р 2 фракции 0,5 - 1 мм в соотношении ЯР 30%, ВаР 37%, слюда 33%, брикетируют и загружают в тигель из мало- углеродистой стали. После этого его вакуумируют и заполняют аргоном. Внутреннюю поверхность тигля предварительно очшцают от ржавчины и для удаления механических примесей и...

Номер патента: 232214

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баранов, Бурханов, Раскатов, Савицкий

МПК: C30B 11/10, C30B 29/52

Метки: металлов, монокристаллов, сплавов, тугоплавких

...затравку 1 из вольфрама или другоо тугоплавкого металла укрепляют на медном водоохлаждаемом штоке2, соединенном с приводом вращения и возвратно-поступательного перемещения по вертикали, В качестве источника нагрева используется плазменная струя, создаваема при помощи плазменной дуговой горелки 3, В качестве плазмообразующего газа - аргон, 1 елий, азот и другие газы, неактивные по от. ношени 10 1 перекристаллизуемому металлу, 11 сходный материал, например, в виде прутка 1, равномерно подают в процессе выращивапы в горячую зону плазменной струи, где он расплавляется и стекает в образующуюся на )Ор 110 затравки жидку 10 Ванну, удерживаезук 1 слами поверхностноо натяжения. Б качестве исходного материала может быть использоВа Также...

Номер патента: 240689

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Михальченков, Урсул

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: монокристаллов

...1 ез Это позволяет расширить границу кальцийванадиевых феррогранатов коротковолновую область приме 10 си. ри. рот росого сталл ос н 0 гс в сд Ъ,з примев ы со- амагместоОнь еня более8 -10 едмет пзобретени альмонокрпсталловго феррограната, например алюзиз раствора в распто, с целью упрощсвойств конечногов тигле пз окиси получе 51дЙ-всзутовоых добавкамсталлизацииссйсл тем, чи улучшенияроцесс ведутэлемента. Способ ццй-вана гированн путем кр отгссчасос процесса дукта, п рующего паве,енияпропегиНастоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната Вз 2 з Са 2, 1.ез Ч,. О,в, легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации...

Номер патента: 252289

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горюнова, Орлов, Соколова, Цветкова, Шпеньков

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: меди, монокристаллов, основе

...и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С....

Номер патента: 253778

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов

...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...

Номер патента: 253953

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100...

Номер патента: 262860

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Киргинцев, Рыбин

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...способ,Исходный материал загружают в трубчатыйконтейнер 1 из графита или кварца в количестве, при котором распла загр) женного кдатериала занимает 40 - 70% объема внутренней5 полости контейнера. Контейнер устанавливают под углом 0 - 5 к горизонту и вращают со скоростью 300 - 400 об(иан. Выращивание производят на затравку 2, плотно входящую в полость контейнера. Расплав перегревают до 10 температуры не менее чем на 100 С вышетемпературы плавления кристаллизуемого материала, Затравку принудительно охлаждают для создания в твердой фазе начального осевого градиента температуры не менее 100 С 15 на 1 слд. В этих условиях происходит расслоение расплава по длине контейнера на а-расплав, примыкающий к затравке, и р-расплав, а-расплав...

Номер патента: 275412

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Верзин, Пайкин, Попов, Суетин, Фурман

МПК: C21D 6/00

Метки: биений, выращивания, затравки, компенсации, монокристаллов, осевых, печей, штока

...двигателя 10, редутора 11, подшипниковых узлов 12 и 13, установлен на самой каретке б и перемещаегся влтесте со штоком. Сигнал с датчика 14 осевых биений штока подается на вход регулятора 2. Схелта регулирования скорости привода перемещения строится как двухконтурный пропорттионально-интегральный регулятор. Кон 5 тур пропорционального регулирования управляется от задатчика напряжения 1, пропорционального заданной скорости перемещения,и замыкается по цепи датчика обратной связи по скорости двигателя, выход которого0 пропорционален среднему значению скоростиперемещения штока затравки,В качестве датчика 14 осевых биений штоказатравки предлагается использовать датчиктипа индуктивный микрометр с пределом5 ттзлтерения + 10 лкм. Подвижная...

Номер патента: 283983

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вакуленко, Либин, Носоновский

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...винтом 28.Все узлы и детали установки жестко закреплены на станине.Устройство работает следующим образом,Перед окончанием выращивания включают дополнительную горелку 1 б, факел которой омывает пространство между наружной поверхностью стакана 12 и внутренними поверхностями огнеупорных половин - полумуфелями 10 и 11. При нагревании стакана до температуры порядка 1800 в 18 С и по окончании выращивания монокристалла в ростовом блоке несколько снижают температуру основного факела. Затем подвижные полумуфели ростового блока 7 и одного из отяиговых блоков 11 перемещают по направляющим 9 и 15 в положение, необходимое для перемещения готового кристалла в вертикальной плоскости. Стакан при помощи подъемного приспособления 13 приподнимают в...