Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 957077

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Безирганян, Кочарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...ленточный пучок 1 рентгеновского излучения направляют под углом Вульфа-. Брэгга на плоский монокристалл 2. Дифрагированный. монокристаллом 2 пучок 3 рентгеновского излучения падает на клиновидный монокристалл 4. Монокристаллы 2 и 4 установлены на независимых осях поворота (не пока заны)двухкристалльного спектрометра. Дифрагированные клиновидным моно- кристаллом 4 пучки 5 и б регистрируют с помощью рентгеновской пленки. При наличии разориентации монокристаллов 2 и 4 в дифракционной картине присутствует картина муара с маятниковыми полосами.В случае идеальных кристаллов (не имеющих решеточных поворотов, растяжений и сжатий) вершины маятниковых полос должны быть расположены на центральной линии 00 отраженного от системы пучка, так...

Номер патента: 958510

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...ямки селективного травления,контролируя их плотность и распределение.П р и м е р 1. Из ориентированного кристалла парателлурита вырезают образец в виде шайбы так, что 60плоскости срезов перпендикулярныоси110 . Производят химическуюполировку этих плоскостей, промываюти высушивают образец. Помещают образец в травитель - в концентриро ванную хлорную кислоту НСОА и выдерживают в ней при 50 С 10, 30 и 60 мин,Результаты наблюдают на микроскопеМп - 2 н/п "Карл Цейс" при увеличении 100 хх. При травлении10 мин развиваются плохо различимые,узкие, сильно вытянутые ямки селективного травления, которые сливаютсядруг с другом в желоба. При травлении 30 - 60 мин эти желоба смыкаютсядруг с другом, образуя волнистыйрельеф (фиг, 1),П р м е р 2 , Образец,...

Номер патента: 968105

Опубликовано: 23.10.1982

Автор: Штайнбрух

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, этилендиаминтартрата

...продуктов. В отличие от всех известных способов, при которых прогрессирующие разложение лишь ограничивается или замедляется стабилизацией раствора для выращивания кристаллов с помощью смешения химического равновесия или значения рН, задача изобретения состоит также в том, чтобы с самого начала устранить причины для возникновения производных продуктов разложения и полимеризации без отрицательного влияния на процесс выращивания и на гомогенность вырашенных кристаллов,Предполагалось; что разложение ЭДТ- растворов для вырашивания кристаллов основывается на благоприятной (за счет тепла и света) реакции поликонденсации ЭДТ- продуктов расшепления. Предлагаемым способом посредством спектрохимических и химических исследований растворов и...

Номер патента: 983154

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...0013,Готовят травильный раствор, длячего в концентрированную азотнуюкислоту добавляют О,01-0,05 вес.пермангената калия и перемещаютраствор до получения однородной фиолетово-роэовой окраски. В приготовленный раствор погружают пинцетомкристалл и выдерживают его в растворе 10-60 мин, После этого кристалл,извлекают, промывают, высушивают иизучают протравленную поверхностьпод микроскопом, наблюдая ямкиселективного травления, контролируяих число и распределение. 40П р и м е р 1. Из ориентирован.ного монокристалла парателлурита вырезают образец в Форме шайбы так,что плоскости срезов перпендикулярны оси 001. Производят химическую 45полировку этих плоскостей, проьываюти высушивают образец. Помещают образец в .концентрированную хлорную...

Номер патента: 990892

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Евланова

МПК: C30B 33/00

Метки: лития, метаниобата, монокристаллов, травления

...иазотной кислот, при этом процесс ве"дут в смеси, содержащей 1 об.ч. пла;15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислотпри комнатной температуре в течение18-20 ч.Травление в течение времени менее18 ч дает менее четкую картину травления, а при травлении более 20 ччеткость картины травления также падает из-за появления вуалирующегослоя. П р и м е р 1. Образецс полированными поверхностями размером5 х 5 х 2 мм погружают в травнтель состава 1 об.ч. НР н 3,2 об.ч. ННОпри комнатной температуре на 18 ч. З 0 По окончании процесса образец про- Составитель А. Коломийцев .Редактор Н. Рогулич ТехредЙ.Гергель Корректор М. Шароши Р Заказ 67/41 Тираж 368 Подпи сиое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 994967

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Ингал, Минина, Мотора, Мясников, Соловейчик, Утенкова, Финкельштейн

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, рентгенографического

...доби"ваются появления вторичного дифрагированного луча б, несущего скрытоетопографическое иэображение распреде.ления дефектов по облуцаемой поверхности монокристалла 5. Топографичес"кое изображение неподвижного монокристалла Фиксируют на Фотопластин-,ке 7, установленной параллельно илипод некоторым углом к поверхности мо"нокристалла 5, Проанализировав топо"графическое изображение, выбирают наповерхности объекта область, представляющую интерес для исследованияс помощью анализа Формы кривой двойного отражения . Для получения кривой5 .-9949двойного отражения от указанной об"ласти устанавливают новую фотоплас-тинку 7, повторно экспонируют ее 1,ноеще не проявляют )а затем в пучок 4вводят диафрагму 8, размер которой - 5выбирают таким, чтобы...

Номер патента: 998599

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Бронштейн, Казимиров, Лебедев, Любимов

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, методом, монокристаллов, процесса, чохральского

...тока индукторе, и. сигнала, Опропорциональные весу кристалла, измеренные в промежутках между прерываниями тока индуктора, сравнивают их ипо результату сравнения корректируютразность сигналов, пропорциональныхвесу кристалла. Йли тигля с расплавоми весу кристалла заданной формы.На чертеже изображена схема устройства для реализации предлагаемого способа.Устройство содержит кристалл 1, вытягиваемый из расплава 2, образованного путем разогрева шихты индуктором3, динамометрический датчик 4, измеряющий текущий вес тигля с расплавом,сумматоры 5-71 задатчик 8 текущего46веса кристалла заданной формы, интеграторы 9 и 10, прерыватели 11-13.Устройство работает следукицим образом,При выращивании кристалла 1 иэрасплава 2 непрерывно измеряют...

Номер патента: 998601

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кудряшова, Лихолетов, Мосевич, Смирнова

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, поверхности, состав, стронция, титаната

...как четыре токсичных и огнеопасных растворителя заменяются однимбезвредным и безопасным в работе водным раствором щавелевой кислоты и перекиси водорода,1 Ф П р и м е р, Очистку поверхностимонокристаллов титаната стронция посленарезки их на пластины, шлифовки и полировки проводят в кипящем водномрастворе щавелевой кислоты и перекисиводорода,Составы растворителей и диэлектрические характеристики НК, изготовленныхиз монокристаллических пластин титанатастронция обработанных этими раствора,ми, представлены в таблице,1,6-40,5О, 37-2,25Остальное Диэлектрические характеристики НК Тавгенс диэлектрических потерь Составраствора Содержание, мас,% Управляемостьмкость,пф Щавелеваякислота 1,63 Перекисьводорода 2,25 45 10"ф 3, 33 Вода Ос тальное...

Номер патента: 998928

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Ведерников, Гаврилова, Гундырев, Есин, Мотора, Мясников, Смирнова, Соловьева

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционных, монокристаллов, рентгеновских, топограмм

...установлены толкающий механизм24 с двигателем 25, взаимодействующийс подвижным основанием 2, и неподвижный коллиматор 26, Ось шарнира 23ползуна 20 центры щелей коллиматора26 и фокус А лежат в одной плоскости,Камера работает следующим образомПри среднем положении камеры(Фиг. 1) узкий пучок характеристического излучения направляется в центробразца и по детектору 14 образец выводится в отражающее положение К,компоненты излуцения, После этого раскрываются щели неподвижного коллиматора 26 в соответствии с требуемойгоризонтальной расходимостью первичного пучка, которая определяется шириной используемой цасти спектра, углом дифракции вертикальными размерами образца (вследствие изгиба линиедифракции). Шторки 12 устанавливаются в положение...

Номер патента: 1000477

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Измаилов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации, оцк-решеткой

...неподвижных монокристаллов в полихроматическом излучении для выявления симметрии характерных точек и их ориентировки 11.Указанный способ ориентации кристаллов отличается трудоемкостью, для его реализации требуется сложное дорогостоящее оборудование. иболее близким к предлагаемому явспособ определения анизотропии крис- в том числе и с ОЦК-решеткой, пуменения микротвердости по Кнупу. пособом можно выявить направление ьшей твердости на кристаллографиплоскостях 2. Однако в общем случае известный способ не позволяет выявить кристаллографическую плоскость или кристаллографическое направление с низкими миллеровскими индексами.Цель изобретения - идентификациякристаллографических плоскостей и направлений с низкими индексами...

Номер патента: 1004833

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Беляев, Гущин, Ефанов, Лютцау

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновской, топографии

...ММ, подается на монокристалл под определенным углом и каждому лучу соотнетствует определенная длина волны рент.геновского излучения, для которой 30 выполняется условие брэггонского отражения (например лучу Г - длина волны характеристического излучения источника) от данной группы кристаллографических плоскостей. Посколь ку исследуемый монокристалл ориентирован н плоскости среза так, что линия, пересечения отражающей плоскости с плоскостями параллельных щелевых диафрагм составляет с направлением щелей угол меньше 90 и больше 0 каждый дифрагиронанный луч составля- ет свой определенный угол с плоскостью первичного пучка в зависимости от угла падения первичного луча на монокристалл, и следовательно, линия пересечения НР дифрагиронанного...

Номер патента: 1006552

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Матросов, Цветков

МПК: C30B 33/00

Метки: бериллия, монокристаллов, окиси, основе, травления, химического

...селективное травление проводятв расплаве едкого калия при 360400 С в течение 5-20 мин.П р и м е р 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного 10 в направлении 0101.Образцы в виде пластин толщиной1,0-1,5 мм, вырезанных из этогокристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в 15 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при 900 С в течение 30 мин.Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин.Затем в течение 10 мин проводятселективное травление в расплаве 1(ОНпри 360 С. Травители содержат в платиновых тиглях, образцы погружают втравители с помощью держателей, иэ 2 д готовленных иэ платиновой проволоки.Требуемой температуры...

Номер патента: 1019032

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Десяткова, Федорова

МПК: C30B 33/00

Метки: ванадия, монокристаллов, полировки, раствор

...ортофосфорной кислоты менее 10 мас.ивинной кислотыменее 3 мас.% на поверхности кристаллов образуется окиснаяпленка, При увеличении концентрацииортофосфорной кислоты более 15"и винной ЗО более 5% идет неравномерная полировкаповерхности.Концентрации водного раствора дляполировки следующие, мас.%; азотнаякислота ДО; ортофосфорная ислота;10-15; винная кислота 3-5.Результаты обработки монакристаллов ванадия в растворах разных составов40 представлены в таблице.10190321 о о. ффЧ О х хЯфи О ОО О тч еч ОО г 1 еЧ г 1 фч ф"132 40-15 мин при перемешивании. Затем ромывают водой. Обрабатывают 19 моокристаллов ванадия; 6 монокристаллов,адия ориентации 111; 7 монокрисаллов ориентации 1103; 6 монокристалов ориентации 100, При съемке на ентгеновском...

Номер патента: 875890

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович

МПК: C30B 9/06

Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических

...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...

Номер патента: 1029057

Опубликовано: 15.07.1983

Автор: Нитц

МПК: G01N 23/202

Метки: монокристаллов, структуры

Номер патента: 1035489

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Аветисян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...причем рентгеновский пучок направляют под угломВульфа-Брэгга к выбранной системе кристаллографических плоскостей идеального монокристалла и регистрируютдифракционную картину за исследуемым монокристаллом, по которой судят о его структурном совершенстве Г 23В известном способе повышение чувствительности достигается за счетдифракционного увеличения получаемойдифракционной картины эа исследуемым объектом ( монокристаллом) с помощью более. толстого совершенногомонокристалла.Однако известный способ не позволяет исследовать незначительные нарушения кристаллической решетки исследуемого монокристалла.Цель изобретения - повышение чувствительности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу исследованияструктурного...

Номер патента: 1040390

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Асланов, Ежова, Застенкер, Ким

МПК: G01N 23/227

Метки: исследования, монокристаллов, рентгено-графического

...основание, держатель образца, смонтированный на нем с возможностью поворота, средства воздействия на образецсмонтированные на том же основании источник и детектор рент 1геновских лучей, снабженные механизмами независимого относительного поворота и совместного поворота вокруг оси, лежащей в плоскости, которая проходит через образец параллельно основанию, и средствами отсчета углов поворота Э 3 .Недостаток известного устройства состоит в том, что в нем нельзя испольэовать средства воздействия на образец, обладающие большим весом, размерами и требующие для своей работы жесткой фиксации относительно оси вращения держателя образца, например, нельзя облучать образец прямым лучом ОКГ, включая ультрафиолетовое излучение, ось луча...

Номер патента: 1049577

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Евстюхин, Крапивка

МПК: C30B 29/62

Метки: металлов, монокристаллов, сферической, формы

...газа, сначала не плоской подложке, сплавляя кусочки до полусферической формы, которые зетем 55 размещают в конические лунки подложки и проводят повторное оплевление при скорости кристаллизации не более 2 мм"с,после чего монокристаллы обжигают притемпературе 0,75-0,8 Тпл.Двухстадийность процесса оплавлениянавесок обеспечивает получение шариковс незначительным отклонением от сферичности и исключает контакт расплавленногометалла с подложкой, При этом в ходепервого оплавления получаются полусферыс монокристаллической структурой, таккак кристаллизация расплавленного металла происходит на монокристаллическомслое, контактирующем с водоохлаждаемойподложкой, а скорость кристаллизациименьше 2 мм/с не проводит к появлениюновых центров...

Номер патента: 1055785

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Мининзон, Никитенко, Пополитов, Стоюхин

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, термообработки

...люминесценции по,площади скола монокристалла, что связано с 65 ухудшением условий диффузии йода на всю глубину монокристацла.Опыт показал, что для монокристаллов объемом 5 мм вполне достаточно термообработки в течение 6-8 ч, При этом достигается равномерность эффекта активации по всей глубине монокристалла. Время термообработки меньше б ч приводит к нестабильным результатам, которые связаны с йеравномерной активацией образцов. Время термообработки больше 8 ч не усиливает эффекта активации экситонной люминесценции. Следователь но,отжиг в течение 6-8 ч является Оптимальным.Увеличение скорости охлаждения монокристалйов после отжига до зна чений, больших 60 град/ч сопровождается появлением в них дислокацийи зачастую, приводит к их...

Номер патента: 1057823

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Коган, Шехтман

МПК: G01N 23/20

Метки: локальных, монокристаллов, рентгенооптических, средних, характеристик

...расположении отражающихплоскостей и поверхности монокристалла. Различие в значениях параметровобласти дифракционного отражениядля монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, и для монокристаллов, изогнутых по Иоганссону и пологарифмической спирали, объясняетсяразличными условиями сохраненияугла скольжения пучка при вращениимонокристаллов этих двух групп,Для монокристаллов, изогнутых поИоганну и Кошуа, пучок дискретносмещают в поперечном направлении,после каждого перемещения монокристалл вращают вокруг оси, проходящей через центр его изгиба, измеряют интенсивности дифра 1 ированного излучения, по ним строят дифракционный профиль и определяют егопараметры,Для монокристаллов, изогнутыхпо Иоганнсону и по логарифмической 60спирали,...

Номер патента: 1059029

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Безматерных, Близняков, Мащенко, Чихачев

МПК: C30B 9/12

Метки: монокристаллов, раствора-расплава

...сокращается температурный интервал кристаллизации, рост идет при более низкой температуре, где раствор-расплав более вязок и, .следовательно, скорости роста ниже.П р и м е р 1. Исходные компоненты берут при следующих соотношениях, вес.Ъ; Ре 0 4,87 ф, В 203 50,77, РЬ.О 763 РЪР 36,73, и наплавляют в платиновйй тигель емкостью 800 см, Тигель с приготовленным раствором-расплавом помещают в печь для выращивания кристаллов. Температуру в печи повышают до 950 С.При этой температуре в раствор-расплав загружают кольцевой кристаллоносец и вращают его со скоростью 60-80 об//мин. Перемешивание ускоряет процесс растворения кристаллообразующих окислов. Растворение длится 12-16 ч. Затем температуру понижают до 835-845 С,о что соответствует...

Номер патента: 1081244

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Боллманн

МПК: C30B 15/00

Метки: бесцветных, молибдата, монокристаллов, свинца

...в области400-4000 нм, не снижая при этомпрочие ценные качества, такие какоптическая гомогенность и ненапряженность. При известных способах после ступени выращивания из расплава для устранения напряжений предпринимается последующая обработка выращенных РЬМоО, -кристаллов путем отжига при 800-900 С в воздухе и при нормальном давлении. В результате окисляющего50 действия, содержащегося в воздухекислорода, появляется возможностьвозникновения или стабилизации вРЬМоО+-кристаллах ионов РЬз, а .также происходящих из загрязненийионов Ре+ и других, легко меняющих валентность ионов. Их следуетрассматривать в кристаллической решетке как электронные центры дефектов, и в качестве таковых они приводят к мешающим окрашиваниям и абсорбционным...

Номер патента: 1089182

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Яблонский

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентации

...дифрации и преломления падающего света (ЬЧ(Ед) или дифракции света люминесценции в плоскости кристалла наблюдается дифракционная кар тина в виде ярких световых фигур (преимущественно точек), количество и форма расположения которых определяются формой элементов дифракционной структуры, которая в свою очередь зависит от кристаллеческой структуры полупроводника или диэлектрика.Размер этих элементов 0,2 мкм сЬ 10 мкм определяется условиями возникновения дифракции. При ЬВ Ь ъ 10 мкм) возникает зеркальное отражение и фигуры дифракции не наблюдаются, а при в (ф- (в (0,2 мкм) не выполняются условия для дифракции и 15 может наблюдаться только рассеяние света, Величина диаметра сечения пучка света или возбуждающего излучения определяется из...

Номер патента: 1103126

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Александров, Афанасьев, Головин, Имамов, Миренский, Степанов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных, тонких, характеристик

...пучком рентгеновского излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и изме-, ряют интенсивность дифрагированного излучения, по которому судят о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикулярно плоскос. ти дифракции и интенсивность дифрагированного излучения в плоскости дифракции измеряют при неподвижном крис. талле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучения с поверхностью кристалла.Кроме того, для различных углов выхода к поверхности кристалла измеряют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падения. На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа,Схема...

Номер патента: 1109485

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Павлык, Сухоребрый, Цал

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, хлорида

...Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,4 П р и м е р 2. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, нагрев образцахлорида натрия проводят до 450 С иоблучают в течение 45 мин,П р и м е р 3. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, при этом нагрев проводят до 400 С и облучаюти -ечение 55 мин. В течение укаэанного времени, происходит полноевыделение водорода,После полного выделения водородаиэ обраэца 1 что определяется массспектрометрическим методом)в оптическом спектре поглощения отсутствуетсоответствующая О -полоса поглощения,обусловленная ионами водорода.Таким образом, предлагаемый спо соб позволяет очистить монокристаллыхлорида натрия от примеси водородабеэ разрушения кристаллическойрешетки...

Номер патента: 1125305

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Атаманенко, Богословская, Казимиров, Макеев, Розенталь, Розин, Соболева, Ульянов, Шишкова, Щегляева, Юшкин

МПК: C30B 15/20

Метки: исходного, легирования, монокристаллов, производстве, процессом, сырья

...следующие данные,С устройства 1 индикации данныхвводятся параметры сырья, лигатуры изадается марка кристалла.Посредством устройства 5 межпроцессорной связи передаются величинызамеров удельного сопротивления выращенного монокристалла, полученныес вычислительного комплекса 2,В вычислительном комплексе 2 производятся следующие расчеты.Расчет массы лигатуры на следующую плавку по формулеММ Йр 1- ) Р;3 11253 производится с использованием параметров сырья и лигатуры, а также величины замеров удельных сопротивлений монокристаллов.Обработка величины замеров по 5 удельному сопротивлению монокристалла по разработанному алгоритму: отбраковка недостоверных измерений по удельному сопротивлению; отбраковка по нарушению технологии выращи вания,...

Номер патента: 1127920

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Бик, Ильин, Клауч, Кущева

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...заготовокили получения на поверхности дефектов в виде трещин и сколов. На практике при обработке плоскостей кристалла необходимо заранее установить, возможно :ли резание по этой плоскости. Кроме того, часто возникает задача обработки плоскости в кристалле произвольной формы,3 112Целью изобретения является повышение качества обработки хрупких металлических монокристаллов с объемно центрированной кубической решет- кой.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки моно- кристаллов с ориентированием монокристалла и резание по заданной плоскости в заданном направлении резание про О водят по плоскости, наклоненной к плоскости 110) или 111, на угол менее или равный 15.Кроме того, резание по плоскости, наклоненной к...

Номер патента: 1132205

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Гусев, Ефанов, Комяк, Лютцау, Петрашень, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновской, топографии

...на расстояние, определяемое необходимым разрешением в горизонтальном направлении. Накопление изображения осуществляется соответствующей электронной схемой с аналоговым или цифровым запоминающим устройством, после чего изображение ,воспроизводится на телевизионном экране или любом другом средстве ви 35 зуализации иэображений.На фиг. 1 приведена геометрия ус. - тановки в вертикальной плоскости; на фиг, 2 - то же., в горизонтальной плоскости.40Устройство содержит источник 1, кристалл 2, линейный координатный детектор 3, щель перед детектором 4, экран прямоге пучка 5.Рассмотрим количественно достижимые характеристики устройства. Как видно из геометрии (фиг. 2) размытие изображения в плоскости образца, вызванное конечным размером фокуса,...

Номер патента: 1133519

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Афанасьев, Бугров, Имамов, Маслов, Пашаев, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, структурных, характеристик

...глубиной выхода электронов 0,2-0,3 мкм, с точностью до4 -10 5, характерной для вторичныхпроцессов,На фиг.1 представлено устройствОдля осуществления предлагаемогоспособа; на фиг.2 - схема; поясняющая эксперимент.Устройство содержит источник 1рентгеновскогоизлучения, кристаллмонохромагор 2, исследуемый, кристалл3, гониометр 4, счетчики 5 и 6 рентгеновского излучения, детектор 7электронов ВЭУ, ось гониометра 8.Способ реализуется следующимобразом. Рентгеновское излучение из источника 1 падает на кристалл-монохроматор 2, находящийся в положении, удовлетворяющем условию дифракции в геометрии Брэгга. Монохроматиэированное и коллимированное излучениефпадает под малым углом 1-5 на исследуемый кристалл 3, сориентированный в положение,...

Номер патента: 1133520

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Асланян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/20

Метки: варианты, его, исследования, монокристаллов, рентгенографический, совершенства, структурного

...дифракцию лентообраэного падающего пучка на ступенчатый кристалл в двух случаях: первичный пучок падает с 1 О гладкой стороны монокристалла (фиг.1), первичный пучок падает со ступенча- той стороны монокристалла (фиг. 2). При лентообразном падающем пучке 15поперечное сечение пучков, дифрагированных в ступенчатых мозаичных и со,вершенных монокристаллах, будетиметь вид, показанный на фиг. 5-12,где обозначены . ступенчатый моно Окристалл 1, первичный пучок 2, поперечное сечение 3 дифрагированногопучка, когда первичный пучок падаетс гладкой стороны, поперечное сечение 4 дифрагированного пучка, когда 25первичный пучок падает со- ступенчатойстороны,Поперечные сечения пучков, дифрагироваиных в мозаичных и совершенных монокристаллах,...