Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1116763

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1736209

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Апилат, Литвинов, Литичевский, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллов, нитевидных

...крышкой 6, в котором размещеносредство перемещения, Средство перемещения выполнено в виде двух коаксиально.55 расположенных барабанов, На валу 7 консольно укреплен внутренний барабан 8, связанный с приводом 9 вращения и осевогоперемещения, а на валу 10 в винтовой паре11 установлен наружный барабан, выполненный из двух частей 12 и 13, отъемнаячасть которого 13 фиксируется к остальной части 12 стопором 14 и имеет винтовую канавку 15 (фиг.З), шаг которой совпадает с. шагом шарико-винтовой пары 11, и прорезь 16. Внутренний барабан 8 имеет две коль цевые канавки, в которых помещен гибкий элемент - тросы 17, на концах которых укреплен затравкодержатель 18 с затравкой 19 (фиг.З), имеющий форму и размеры, точно совпадающие с прорезью 16 на...

Номер патента: 1108787

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Апилат, Вакуленко, Горилецкий, Максимов, Мюлендорф, Радкевич, Черницкий, Эйдельман

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, затравку, монокристаллов, расплава

...части 2 камеры. В нижней части камеры размещены тигель 7 с нагревателем 8 и теплоизоляционной футеровкой 9.В верхнюю часть камеры. герметично введен шток 10, связанный своим верхним концом с механизмом 11 его вращения и вертикального перемещения, установленным на карКасе 3. На свободном конце штока 10 нарезана резьба, на которой навинчен эатравкодержатель 12. Затравкодержатель представляет собой накидную гайку 12 с резьбой и свободной от резьбы частью 13 отверстия. Часть 13 отверстия имеет форму усеченнойпирамиды с вершиной, обращенной вниз, и приспособлена для охвата верхнего конца затравки 14, на нижнем торце которой выращивается монокристалл 15.Установка содержит также контейнер 16 (см. фиг,2) из жаростойкого материала и...

Номер патента: 1535087

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Абрамова, Герасимчук, Епифанов, Радкевич, Суздаль

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...нитью выносится вверх и попадает в межэлектродное20 пространство датчика 8, При этом нить 2,касаясь кристалла, получает начальное отклонение и перемещается ближе к электроду 21 датчика 8. Измерители 11 и 12фиксируют уменьшение измеряемых сопро 25 тивлений, сумматор 13 и измеритель 14 -соотношения сопротивлений, Эти режимыявляются рабочими для всего процесса резания,При резке цилиндрического монокри 30 сталла в поперечном направлении, т,е. вслучае переменной высоты контакта нити скристаллом, количество материала, разрезаемого кристалла, выносимого нитью, увеличивается до выхода на диаметр, а затем35 постепенно уменьшается. При увеличенииколичества выносимого материала концентрация его в рабочем растворе увеличивается, что приводит к...

Номер патента: 1075758

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Квичко, Коток, Некрасова, Рамакаева

МПК: C30B 15/00, C30B 29/24

Метки: выращивания, иттрия, моноалюмината, монокристаллов

...вследствие чего улучшается стехиометрия целевого продукта.Отделение твердой фазы от жидкой производят путем фильтрации на нутч-фильтре или упариванием. В результате одностадийной термической обработки (при температуре 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч) происходит твердофазное взаимодействие окисловиттрия и алюминия,5 Навеску прокаленных окислов иттрия иалюминия, взятых в стехиометрическом соотношении, загружают в барабан мельницы, добавляют жидкость (вода, спирт и др.)в количестве 1-1.2 л на 1 кг смеси окислов"0 и перемешивают на валках до полной гомогенизации смеси. Полученную суспензиюупаривают или фильтруют на нутч-фильтре.Осадок подсушивают и прокаливают притемпературе 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч,15 Полученный продукт...

Номер патента: 1609315

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: B28D 5/00, G01T 1/30

Метки: активированных, европием, иодида, лития, монокристаллов

СПОСОБ ОБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ ЕВРОПИЕМ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДИДА ЛИТИЯ для изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий распиловку монокристалла на заготовки с последующей обработкой до требуемых размеров и матировкой торцовой поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик и уменьшения времени обработки, на боковой и торцовых поверхностях кристалла создают мативированную поверхность путем шлифовки абразивным материалом с величиной зерна 14 - 40 мкм.

Номер патента: 1558052

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Головей, Исаенко, Сафонов, Семенов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: иодата, лития, монокристаллов

1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ, включающий их -облучение, отличающийся тем, что, с целью снижения оптической плотности и повышения прозрачности монокристаллов в длинноволновой области спектра, облучение ведут до дозы поглощения 180 - 720 Гр.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона в коротковолновую область, после -облучения дополнительно проводят облучение монокристаллов ультрафиолетовым светом длиной волны 270 - 300 нм интенсивностью 4 - 5 мВт/см2 в течение 2,5 - 3 ч.

Номер патента: 1752023

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.

Номер патента: 1715068

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Андрющенко, Будаковский, Гершун, Грицан, Сотников

МПК: G01T 1/203

Метки: детекторов, монокристаллов, основе, паратерфенила, сцинтилляционных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕРФЕНИЛА, включающий шлифовку и полировку торцовой поверхности сцинтиллятора со стороны выходного окна, предварительный изотермический отжиг с последующей упаковкой сцинтиллятора в герметичный корпус, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов и повышения их устойчивости к воздействию механических и климатических нагрузок, полировку поверхности производят олигоорганогидридсилоксаном, а изотермический отжиг сцинтилляторов проводят при 100 - 120oС в течение 2 - 2,5 ч с нанесенным на отполированный торец слоем высокомолекулярного полиорганосилоксанового каучука с молекулярной массой (6 - 9)

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 1431391

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Матвеев, Нахабцев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, теллурида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 1736214

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Квятковский, Коневский, Кривоносов, Литвинов, Шкадаревич

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: активированных, корунда, монокристаллов, них, термообработки

1. СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ путем отжига пpи темпеpатуpе не менее 1750oС в атмосфеpе кислоpода и водоpода, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой пpочности монокpисталлов и изделий из лейкосапфиpа, pубина и тикоpа, отжигают монокpисталлы с концентpацией активатоpа не более 0,2 вес. % сначала в окислительной атмосфеpе с паpциальным давлением кислоpода 103 - 105 Па, а затем в водоpоде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг в окислительной сpеде пpоводят в течение вpемени t1 = x2/8D(с), а в водоpоде в течение не менее 5 ч, где X - минимальный pазмеp монокpисталлов (см), D = 2

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1746759

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Куриленко, Саенко

МПК: C30B 11/04, C30B 29/26

Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1061526

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Каретников, Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00

Метки: металлов, монокристаллов, плоских, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ, включающий формирование зоны расплава между исходным прутком и верхним участком кромки горизонтально расположенной цилиндрической затравки, наращивание кристалла слоями путем перемещения зоны по дуге при повороте затравки вокруг ее оси с программным изменением скорости поворота и вертикальным перемещением затравки и прутка, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов при обработке давлением и после прокатки, затравку ориентируют по выбранной кристаллографической оси перпендикулярно или в направлении наращивания, отклоняют затравку на угол 80 - 90o, перемещают зону по дуге качанием относительно выбранного направления или нормали к нему с...

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 999439

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетман, Кацай, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04 0,4 мас. углерода.

Номер патента: 1016941

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Кацай, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов, синтеза

СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий послойное размещение в контейнере камеры высокого давления металла или сплава-растворителя, меди и графита и последующее воздействие давления при температуре в области термодинамической стабильности алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и уменьшения количества включений в кристаллах, слой меди размещают между слоями растворителя при содержании ее 2-25% от массы растворителя.

Номер патента: 1824956

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...продувают газообразный азот, содержащий 0,5-0,8 об. 7 ь влаги в объеме 0,8 + 1,2 л/кг загруженного арсенида галлия.После продувки трубку для ввода азота удаляют из расплава, в расплав вводят в затравку, проводят затравление и вытягивание монокристалла на затравку,По окончании процесса роста и охлаждения установки монокристалл извлекается из камеры и передается на обработку.П р и м е р. Выращивали монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия диа 5 10 15 20 25 30 35 40 45 метром 76-80 мм на установках "Астра". В тигель диаметром 152 мм загружали 3 кг предварительно синтезированного поликристаллического арсенида галлия и флюс - оксид бора (600 г). Флюс предварительно отжигали в вакууме при температуре 1300 С в течение 48 ч, что...

Номер патента: 1521066

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Петров, Шильников

МПК: G01R 33/12

Метки: монокристаллов, разбраковки, феррогранатов

СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий изготовление кубических образцов с последующим воздействием на контролируемый образец взаимно перпендикулярными переменным и постоянным магнитными полями и регистрацией ширины кривой ферромагнитного резонанса, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, в качестве контролируемого образца используют кубический образец, а постоянным магнитным полем воздействуют в направлении, перпендикулярном одной из граней кубического образца.

Номер патента: 1570223

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА НА ЗАТРАВКЕ, включающий размещение послойно источника углерода, металлического катализатора-растворителя и кристаллов алмаза-затравок, воздействие на данную послойную реакционную систему высокого давления и температуру с положительным градиентом ее в сторону источника углерода, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества макропримесей на границе кристаллов алмаза-затравок и выращиваемого алмаза, в зоне кристаллов алмаза-затравок дополнительно размещают кристаллы алмаза-поглотители примесей при температуре на 5 - 15oС ниже температуры кристаллов-затравок.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что разность температур обеспечивают путем расположения кристаллов алмаза-затравок...

Номер патента: 1655080

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Белоусов, Витюк, Заневский, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов, синтеза

1. СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА путем воздействия высокого давления и температуры на источник углерода на основе алмазных зерен, растворитель углерода и затравочные кристаллы алмаза, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза, в качестве источника углерода используют алмазные зерна размером не менее 100 мкм, предварительно пропитанные металлом или сплавом, растворяющимся в растворителе углерода в условиях синтеза.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл берут из группы, включающей медь, олово, цинк, никель, а сплав из группы, включающей железо-никель, железо-алюминий, медь-олово.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя углерода...

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 403300

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Зверева

МПК: C01G 49/00

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Ba Fe12O19 из раствора в расплаве на основе флюса BaO B2O3, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения анизотропии скорости роста монокристаллов и увеличения скорости роста по оси С, исходные компоненты шихты берут в следующих соотношениях, мас.Барий углекислый 51,74 55,25Окись железа 33,56 38,10Окись бора 10,16 11,19

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Номер патента: 1450409

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 29/34, C30B 5/00

Метки: монокристаллов, цеолита

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЦЕОЛИТА (NA,LI)F, включающий образование геля из исходных растворов кремнийсодержащего реагента и алюмосиликата натрия с отношением Si Al 1 2 1,5 1, смешивание геля с раствором гидроксида лития в объемном отношении 2 1 1 2 до соотношения Li Na 1 2 1,5 1 в смеси и кристаллизацию при 80 100oС, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, в качестве кремнийсодержащего реагента используют раствор силиката натрия с содержанием 0,25 0,30 М SiO2, а исходный алюминат натрия берут с содержанием 0,25 - 0,30 MAlO-2, гидроксид лития берут в количестве, обеспечивающем в смеси 2,5 3,5 М (Na, Li) ОН и [SiO2][AlO-2] =...