Патенты с меткой «монокристаллов»

Страница 16

Композиция для обработки монокристаллов силленитов

Номер патента: 1577405

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: композиция, монокристаллов, силленитов

1. Композиция для обработки монокристаллов силленитов, содержащая полирующий порошок, травитель и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости полированной поверхности монокристаллов к мощному лазерному излучению, композиция дополнительно содержит комплексообразователь, например трилон Б, и вещество, предотвращающее гидролиз травителя, например хлорид аммония, а в качестве травителя используют хлорид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полирующий порошок - 0,1 - 5,0Трилон Б - 0,5 - 5,0Хлорид аммония - 1,0 - 15Хлорид цинка - 1,0 - 50Вода - Остальное2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит...

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития

Номер патента: 845506

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.

Способ получения монокристаллов пентабората калия

Номер патента: 1508611

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: калия, монокристаллов, пентабората

Способ получения монокристаллов пентабората калия, включающий приготовление насыщенного водного раствора пентабората калия растворением борной кислоты и калийсодержащего соединения в воде и выращивание монокристаллов на ориентированную затравку при снижении температуры раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса, увеличения полезного объема кристаллов и их прозрачности, перед растворением борную кислоту прокаливают, в качестве затравки берут изометричные кристаллы с неповрежденными швами двойникования и выращивание ведут при рН раствора 7,4-7,8.

Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла

Номер патента: 1469918

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Гуров, Цветков

МПК: C30B 15/02, C30B 29/20

Метки: монокристаллов, основе, хризоберилла

1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов -модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.

Способ выращивания монокристаллов иодата лития

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Способ получения монокристаллов фосфата калия титанила

Номер патента: 1473378

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Бобков, Вшивкова, Маслов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/12

Метки: калия, монокристаллов, титанила, фосфата

Способ получения монокристаллов фосфата калия - титанила KTiOPO4, включающий кристаллизацию на затравку из расплава раствора на основе K6P4O13 и вытягивание монокристалла при охлаждении расплава раствора, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста и улучшения качества монокристаллов, вытягивание производят со скоростью 0,075-0,09 мм/ч при вращении монокристалла со скоростью не менее 30 об/мин, при этом температура расплава раствора понижается от температуры 1050-1080oC с начальной скоростью охлаждения 1,0-1,25 град/сут, которую увеличивают на 0,2 - 0,5 град/сут, до температуры не ниже 980oC.

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -liio3

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1 оксида (ром)

Номер патента: 1764285

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Мазур, Овечко, Петренко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 3-метил-4-нитропиридин-1, выращивания, монокристаллов, оксида, ром

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута

Номер патента: 965240

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: висмута, германата, монокристаллов, полирующий, травитель

Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%:Соляная кислота - 5 - 35Многоатомный предельный спирт - 10 - 85Вода - 5 - 85

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Устройство для выращивания монокристаллов

Номер патента: 342395

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Лобачева, Черневская

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.

Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов дифторида бария

Номер патента: 1281085

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: бария, дифторида, монокристаллов, полирования, травитель

1. Способ полирования монокристаллов дифторида бария, включающий подачу травителя на тканевый полировальник, вращение полировальника вокруг оси и прижатие обрабатываемых монокристаллов к полировальнику, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки поверхности, травитель на полировальник подают с расходом 5 10-8 - 1,66 10-7 м3/с, а полировальник вращают вокруг своей оси с угловой скоростью 1,0 - 1,66 об/с.2. Травитель для полирования монокристаллов дифторида бария на основе водных растворов соляной и серной...

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия

Номер патента: 1110222

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Орлов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: индия, металла, монокристаллов, соединения, щелочного

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17oC/ч вытягиванием ампулы вверх.

Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Состав для полирования монокристаллов

Номер патента: 1450438

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Арзуманян, Журавлева, Нестерова, Павлов, Циглер

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полирования, состав

Состав для полирования монокристаллов, включающий этиленгликоль и неорганическую кислоту, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности полирования монокристаллов -йодноватой кислоты с высоким классом чистоты поверхности, в качестве неорганической кислоты он содержит 24,5-25,7%-ную азотную кислоту, а дополнительно включает раствор насыщенной йодноватой кислоты и алмазный микропорошок при следующем количественном соотношении ингредиентов, %:Этиленгликоль - 9-1124,5-25,7%-ная азотная кислота - 65,5-69,5Раствор насыщенной йодноватой кислоты - 6-8Алмазный микропорошок - Остальное

Устройство для выращивания монокристаллов по способу вернейля

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Способ получения монокристаллов in sb lt; bigt;

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.

Способ получения монокристаллов гамазова и устройство для его осуществления

Номер патента: 1825537

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Гамазов

МПК: C30B 11/06, C30B 29/40

Метки: гамазова, монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут на затравочный кристалл с дополнительным теплоотводом и подпиткой раствора-расплава компонентами из жидкой фазы при его конвективном перемешивании и диффузии компонентов к фронту кристаллизации при двукратном увеличении прямого градиента температуры в диффузионном слое, получаемом за счет двухслойного...

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора

Номер патента: 1695709

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/10, C30B 29/36 ...

Метки: бора, боридов, карбида, карбидов, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.

Тигель для выращивания монокристаллов

Номер патента: 811884

Опубликовано: 27.07.2004

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/10

Метки: выращивания, монокристаллов, тигель

Тигель для выращивания монокристаллов, содержащий сосуд для подпитывающего материала с отверстием в дне, установленный в верхней части тигля, и поплавок, снабженный направляющим стержнем, расположенным в отверстии сосуда, отличающийся тем, что, с целью предотвращения проливания подпитывающего расплава при приготовлении исходного раствор-расплава, поплавок снабжен тарелкой, закрепленной на направляющем стержне и размещенной в сосуде для подпитывающего материала.

Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 940344

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, синтеза

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.

Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 752877

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/04

Метки: вытягивания, монокристаллов, раствора-расплава, синтеза

Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов, включающих летучий компонент, содержащее тигель для расплава, установленные сбоку трубку для подпитки расплава летучим компонентом и трубку для вывода летучего компонента, и перегородку, отделяющую область подпитки от области вытягивания кристалла, отличающееся тем, что, с целью увеличения поверхности взаимодействия подпитывающего компонента с расплавом перегородка в тигле выполнена в виде кольцевого канала, закрытого сверху.

Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, aggas 2

Загрузка...

Номер патента: 1839796

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Шевырдяева

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: aggas, монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, AgGaS 2, путем направленной кристаллизации расплава в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью получения более однородных и оптических прозрачных кристаллов без трещин и двойников, кристаллизацию ведут под давлением газа в ампуле выше 20 атм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава стехиометрического состава.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава с добавкой избытка Ag2S по отношению к стехиометрическому составу.

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути

Загрузка...

Номер патента: 1839797

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Рычик

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, ртути, тиогаллата

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути HgGa 2S4 путем охлаждения расплава сульфидов исходных компонентов, взятых с избытком сульфида ртути, в ампуле с противодавлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и улучшения их оптической однородности за счет уменьшения дефектов структуры и включений примесных фаз, в расплав дополнительно вводят избыток серы при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сульфид ртути 51,827-52,042Сульфид галлия 47,662-47,061 Сера 0,511-0,897а охлаждение ведут направленно путем вертикального опускания ампулы со скоростью 2-30 мм/сутки.

Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра

Загрузка...

Номер патента: 1839799

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Троценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, включающий его синтез путем взаимодействия элементов при нагреве в горизонтально расположенной ампуле и последующую вертикальную направленную кристаллизацию в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптической однородности кристаллов, уменьшения в них трещин и двойников, при синтезе к элементам добавляют индий в количестве 0,04-5 вес.%.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе элементы берут в стехиометрическом соотношении, соответствующем формуле AgGaS2.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе к элементам добавляют избыток AgS2 по отношению к стехиометрии.

Устройство для шлифования монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1213907

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Жалнин, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов

МПК: B24B 51/00, H01L 21/304

Метки: монокристаллов, шлифования

Устройство для шлифования монокристаллов, содержащее шлифовальный круг, стол для закрепления обрабатываемого изделия и фотоприемники инфракрасного излучения, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных, стол для закрепления обрабатываемого изделия выполнен с окном, прозрачным для инфракрасного излучения, а фотоприемники инфракрасного излучения размещены с возможностью оптической связи с окном стола.

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов

Загрузка...

Номер патента: 1811725

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Иващук, Коваленко, Колесниченко, Латаш, Шаповалов, Шейко

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов, включающее камеру роста, поддон с затравкой, установленный в камере с возможностью вертикального перемещения, плазменный источник нагрева, размещенный над поддоном, высокочастотный индуктор с токоподводами, прикрепленный к стенкам камеры соосно поддону и снабженный охлаждаемыми металлическими секциями, имеющими торцы в виде сопряженных криволинейных поверхностей, установленными последовательно с зазором в полости индуктора по контуру его внутренней поверхности и закрепленными на нем через электрический изолятор, отличающееся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества за счет регулирования...