Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 650274

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Лорьян, Рассветаев

МПК: B01J 17/24

Метки: монокристаллов, шихта

...способ характеризуется нерав. номерным распределением вводимых примесей в процессе роста по всему объему кристалла мпонент готовят следующим3 650274Для приготовления второго компонента в алюмоаммонийные квасцы вводят сернокислый бериллий в виде водного раствора иэ расчета 15, 712 г на 10 кг квасцов.Полученную смесь подвергают термическому 5 разложению в газовой печи при 1130 С в те.чение 1,5 ч. Образовавшуюся после термического разложения массу просеивают. 75% перво.гс компонента и 25% второго компонента смешивают и из полученной смеси выращивают кристаллы со скоростью 18 г/ч. Полученные кристаллы имеют равномерно распределенную по всему объему оранжево желтую окраску.П р и м е р 2. Шихта для выращивания оранжевого корунда состоит из...

Номер патента: 712249

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: B28D 5/06

Метки: монокристаллов, окислов, полировки, состав, тугоплавких, химической

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 скую решетку и образованием в пределах поверхностных слоев промежуточных соединений, например А 1 Рз для А 120 з.Применение предлагаемого состава обеспечивает сокращение времени, необходи мого для промывки отполированного изделия в 50%-ном растворе кипящей соляной кислоты. П р и м ер 1, Берут порошок буры и сме шивают его с 2% фтористого лития. Моно- кристаллы окиси алюминия полируют этим составом следующим образом,Смесь буры с фтористым литием засыпают в платиновый тигель, помещают впечь, 15 нагретую до 900 - 950 С. В случае необходимости увеличения уровня расплава в тигель досыпают порошок той же концентрации.После расплавления буры с добавкой 20 фтористого лития образцы...

Номер патента: 717999

Опубликовано: 25.02.1980

Авторы: Иоахим, Конрад

МПК: B01J 17/34

Метки: кремния, легирования, монокристаллов

...способы с ориентацией затра- тывается в конструк вочных кристаллов (111)(100)или 1.15) . с проведением высок Предусматривается также вращение 40 процессов, например кристалла кремния, содержащего гер- В данном способе маний, в процессе облучения нейтро- регулируемое введен нами. В качестве источника излуче- с хорошей точностью ния применяют известные ядерные параметров: изменен реакторы типа реактора с легкой или З 5 мания в сплаве и иэ тяжелой водой или реактор с графито- ности или времени о вым замедлителем. Применяя предлаг П р и м е р 1. Исходным матери- лось впервые получи алом является поли кристаллический ческие кремниевые ст кремниевый стержень длиной 900 мм 40 тельно больших диаме и диаметром 35 мм, который имеет распределением...

Номер патента: 723425

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Десяткова, Федорова

МПК: G01N 1/32

Метки: молибдена, монокристаллов, полирования, электролит

...при концентрации сульфвминовой кислоты больше 5% поверхность шлифв получается эрозированной, неровной.Электролит для полирования готовят следуюшим образом: 40-50 г сульфаминовой кислоты растворяют в 850-930 мл72342дистиллированной воды, добавляют 100.30 мл 307 о раствора перекиси водородаи перемешивают.П р и м е р 1. Монокристаллы молибдена диаметром 17 и 23 мм подвергают полированию в электролите, содержащем, масс.%: сульфаминовой кисйоты 5, перекиси водорода - 3, остальноевода. Катод из нержавеющей стали темоФпература раствора 20-25 С, плотностьанодного тока 1-2 а/см. Продолжительность процесса 10 мин. Затем монокристаплы извлекают из электролита, промываютводой и снова погружают на 1-2 мин вэлектролит, содержащий...

Номер патента: 661966

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Горилецкий, Мюлендорф, Радкевич, Эйдельман

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...поступает в тигель через отверстие в общей стенке. Однако в связи с тем, что нагреватель расположен коаксиально кольцевой емкости, в которой создается перепад температуры, расплавляемый материал кристаллизуется на стенках емкости и подпитка расплава в тигле прекращается. Цель изобретения - обес рывности подпитки расплава вании твердого измельченно результате предотвращения зации в кольцевой емкости. Это достигается тем, что емкости расположено выше верстие в общей стенке тигл полнено на уровне дна и н полнен из двух секций, од расположена под дном тигл дном кольцевой емкости. На чертеже изображено устройство. Оно содержит камеру 1, в рой установлен тигель 2 и661966 ставитель Т, фирсова Техред В. Серикова ректор В, Петро Редактор Т. К...

Номер патента: 779866

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Голицын, Скупов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, структуры

...ось вращения 17 имеют такжела-монохроматара, эталонного кристалла рентгеновские трубки 2 и 1 1, Эта осьи кристалла-анализатора, прйчем источни О проходит через центры фокусов трубок.ки рентгеновского излучения и держатели Ось 17 является неподвижной, жесткокристаллов-анализаторов спектрометров, связанной с основаниями спектрометров,установленных с возможностью независи- а переход на другие порядки дифракциимьа поворотов вокруг общих осей, держа- осуществляется поворотом рентгеновскихтели кристалла-монохрохматора и исследу источников.емого кристалла первого спектрометра Гониометры кристаллов-анализаторови держатели кристалла-монохроматора и 5 и 14 также имеют общую ось враще-эталонного кристалла второго спектромет- ния 18, багодаря...

Номер патента: 793412

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Вольфганг, Конрад, Херберт

МПК: C30B 13/06

Метки: кремния, монокристаллов

...одиовитковой катушки, диаметр которой больше диаметра стержня максимально на Ю мм, и при глубине зоны расплава по краям стержня, равной 1/10 - 1/3 ди.аметра стержня.На фиг, 1 - схематическое изображение процесса эонной плавки; на фиг, 2 - характеристика удельного сопротивления исходного материала, полученного путем облучения. тепло.выми неитронами; на фиг. 3 - характеристи.ка удельного сопротивления после зонной плаа.3 79341Устройство состоит из исходного стержнякремния,одновитковой катушки 2, соединеннойс источником мощности 3. Зонную плавку ведут на глубину от 1/10 до 1/3 диаметра стержня, область Т, Зона расплава 4 с глубиной Т,меньшей чем радиус кремниевого стержня 1,перемещается, как минимум, один раэ вдольслитка с...

Номер патента: 815752

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Генделев, Тимофеев, Травкин

МПК: G11B 5/42

Метки: магнитныхголовок, монокристаллов, сердечников, ферритовых

...Относительно этой оси распределение в кристалли ческой буле остаточных температурных напряжений сжатие - растяжение, симметрично. Это же распределение остаточных температурных напряжений сохраняется и в пластине, вырезанной, ЗО из були.815752 формула изобретения Составитель Б.ДарийТехред Н.Келушак Корректор Ю. Макаренко Редактор Ь. Шишкина Заказ 1043/80 Тираж 645 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патвитфф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 В процессе изготовления сердечников Ферритовые пластины. шлифуют.Однако любая шлифовка служит источником деформации. В результате происходит разрушение кристаллаШлифовка же вдоль длинной стороны, параллельной...

Номер патента: 817552

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Безирганян, Дрмеян

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционной, микрорентгено-графии, монокристаллов

...схема увеличения интерференционных картин с движущейся щелью; на фиг. 2 - схема получения рентгеновских топограмм,Первичный рентгеновский пучок 1 падает под углом Вульфа-Брегга на интерференционную систему из тонких монокристаллов 2, Дифрагированный пучок 3 падает на совершенный .монокристалл 4, толщина которого выбрана из условия нормального прохождения рентгеновского излучения и который установлен в. отражающее положение. На пути пучка 3 установлена щель 5. Прошедший через совершенный монокристалл 4 пучок регистрируется на фотопленке 6. При этом производят синхронное перемещение щели 5 и817552 талла пучка; тличаюнирование исуществляют установленной совершенным дифрагировантличаюнирование исуществляют пу" осительно мацки,и...

Номер патента: 840717

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Гаврилюк, Ременюк, Фомин

МПК: G01N 23/20

Метки: держатель, дифрактометра, длярентгеновского, монокристаллов

...(пружина8)механизм вращения монокристаллавокруг вертикальной оси, параллельной оси рентгенгониометра и смещеннойотносительно оптического центра гониометра на величину радиуса монокристалла, включающий фоикционный ролик 9 и 40гибкий трос 10, связующий ролик 9 сприводом 11 поворота. Для фиксации, разметки монокристалла служит ленейка-шаблон 12, Установочные винты 13 обеспечивают юстировку предлагаемого устройства относительно оптической оси рент 4генгониметра, т.е. выведение образующей монокристалла на вертикальную осьвращения рентгенгониометра.Для определения положения заданной 50кристаллографической плоскости, параллельной оси цилиндрического монокрис 7 4галла, относительно его геометрических координат (образующие цилиндрической...

Номер патента: 842519

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Лидер

МПК: G01N 23/20

Метки: измеренияпараметра, монокристаллов, относительного, решетки

...усложняет. технику выполнения измерений.Цель изобретения - упрощение относительного измерения параметра решетки с одновременным сохранением высокой точности.Поставленная цель достигается тем, что в способе относительного измерения параметра решетки моно- кристаллов, включающем облучение плоскопараллельного образца с двух842519 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 5056/45 Тираж 907 Подписное Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул,Проектная,сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров, поворот исследуемого кристалла и регистрацию двух дифракционных максимумовсоответствующих отражениям от противоположных5 сторон образца, последний выполняют двухслойным со слоем изучаемого материала на одной стороне и...

Номер патента: 716287

Опубликовано: 15.07.1981

Автор: Карлина

МПК: C09K 13/02

Метки: монокристаллов, рения, травитель, электролитическоготравления

...(Су Нум) у 5поверхностно активную аскорбиновуюкислоту или т "С С НОьПредлагаемый травитель дает четкуюкартину ростовой структуры монокристаллов Ве как по основным кристаллографическим плоскостям 10001,11100 1120, так и по плоскостямс другими кристаллографическими индексами,На основе раствора едкОго натра готовят растворы с разным содержаниемедкого йатра, г/л; ЙаОН 1,5; 1,6; 1,7;1,8; 1,9; 2,0; 1,б; осадок сока алоэПриготбвление травителяосуществляОют следующим образом. Берут 100 млсока ало -полуфабриката, приготовленного из бис-стимуляторных листьев алоэ(ФС 42-500-73), На дне емкости, вкоторой хранится сок, при отстаивании образуется осадок. Жидкость сливаот из емкости, а на ее дне и стенкахостается осадок, К части осадка, равно весу 0,3...

Номер патента: 855062

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Гурова, Новохатская, Романов, Серебряков

МПК: C22F 1/00, C22F 1/08

Метки: монокристаллов, сплавов

...окислениеПричем монокристалл меди с 0,1 мас.В алюминияподвергают 36-48-кратному термоциклированию с периодом цикла 60-120 мин,а внутреннее окисление ведут при940-96 б С.В результате такой обработкисоздается сетка субграниц с большимразмером ячейки (50-80 мкм), кото 15 рая закрепляется частицами окиснойфазы в результате последующего внутреннего окисления.Обрабатывают монокристаллы сплавамедь - 0,1 мас.в алюминия, Образцы20 монокристаллов с ориентировкой (111)подвергают 48-кратному термоциклированию в интервале температур 7501050 ОС с периодом цикла 120 мин. После этого осуществляют внутреннее окисление образцов при 950 оС в течение15 ч,Обработанные таким образом образцы подвергают испытанию на полэучестьпри 550 оС при напряжениях 8 и30...

Номер патента: 855457

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Адонин, Батурин, Михайлов, Титов, Фокин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...излучения, кристалл-монохроматор 2, коллиматор 3, исследуемый,монокристалл 4, установленный н держателе с гониометрическим устройством (не показаны), детектор 5 рентгеновского излучения, оптический детектор б, прерыватели 7 и 8, первый из которых установлен на пути падающего на исследуемый монокристалл 4 рентгеновского пучка, а второй установлен на пути люминесцентного излучения исследуемого монокристалла, идущего на оптический детектор б, Прерыватели 7 и 8 выполнены н виде дисков, синхронно вращающихся от привода 9, и снабжены отнерстиями (или системами отверстий) 10 и 11.Устройство работает следующимобразом.Монохроматизиронанный коллимиронанный пучок рентгеновского излучения падает на исследуемый монокристалл 4 под бреггонским...

Номер патента: 859490

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...монокристаллов из расплава,5 Устройство содержит тигель, 1 с расплавом 2, кристалл 3, преобразователь 4 аку-стической эмиссии в электрический сигнал,привод 5 перемещения кристалла, первыйнагреватель 6, второй нагреватель 7, источ 20 ники 8 и 9 питания, регуляторы О и 11мощности, подводимой к нагревателям, усилитель 12 импульсов акустической эмиссии,блок 13 измерения интенсивности имmульсов акустической эмиссии, регулятор 1425 скорости перемещения кристалла, электродвигатель5 привода кристалла,Способ осуществляется следующим обра859490 Формула изобретения 10 Составитель В. Федоров Техред А. Камышиикова Корректор Н, Федорова Редактор Л, Письман Заказ 2009 Изд.182 Гираж б 0 1 одписное1110 с 1 онск Государственного комитета...

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...

Номер патента: 713228

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Васильев, Мамонтов, Медник, Совертков

МПК: G01G 9/00

Метки: выращиваемых, массы, монокристаллов, непрерывного

...преобразователя 6, тяги 7, струнки 8, штока .9 с тиглем 10, кронштейна 11, упрУгих ленточных шарниров 12 - 14, сочленения 15 корпуса весов с камерой 16 установки для выращивания монокристаллов,К корпусу 1 весов жестко прикреплено основание 2, к которому с помощью разнесен. ных на большое расстояние упругих опорных шарниров 13 подвешен весовой рычаг 3, Усилие, создаваемое контролируемой массой тигля 10 с расплавом, находящегося в вакуумноплотной камере 16, передается на весовой рычаг 3 с помощью штока 9 и тяги 7, соединенной с весовым рычагом через грузоприемный шарнир 12, Кронштейн 11 нижним концом жестко прикреплен к основанию 2, а верхним введен через сочленение 15 в камеру 16. Устойчивость и центрирование тяги 7 обес. печивается...

Номер патента: 881158

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Насыров

МПК: C30B 33/00

Метки: металлов, монокристаллов, травитель, тугоплавких

...(111) и(100) монокристалловниобия и молибдена, а также болееподробно выявлять субграницы в.иссле. дуемых кристаллах,Формула изобретения Составитель В. РыцаревРедактор И. Мнтровка Техред Ж,Кастелевич Корректор Г. Назарова Тираж 336 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 9879/44 Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 серной кислоты 46, 70 -ной азотнойкислоты 17, 48%-ной фтористоводородной кислоты 29, фторида,калия 5,2,остальное вода. Время травления 4045 с, температура 20-25 фС, Шлифы,отполированные и промытые в воде,переносят в травитель со смоченнойповерхностью. На протравленной поверхности хорошо выявляются дислокации, а также...

Номер патента: 683065

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Дубовицкий, Половинкина

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ориентированных, разъемный, тигель

...И. Однако этот тигель не обеспечивает воспроизводимости структурного совершенства монокристаллов, так как пля каждой операции кристаллизации используется новая затравка.Кроме того, неопределенность пространственноя ориентациии затравочного кристал ла затрудняет выращивание монокрнстал 2лов зюпзцпой ориентации и точной геометррич ес к,1 й ф ч м м.Н лс 1 ц,306)гтеиия является повышениеструктурно о совера 1. яства моиокристаллов поср аством многократного использоваиия одной и той же затравки, управпения процессом затравливания и уменьщения напряжений при кристаллизации.Эго постигается тем, что разъемныйтигель цля выращивания ориентированныхмонокристаллов вертикальной направлеянвйкристаллизацией расплава на затравхевыполнен из...

Номер патента: 894499

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Минина, Мясников, Сидохин, Утенкова

МПК: G01N 23/207

Метки: изгиба, монокристаллов

...радиус изгиба исследуемого монокристалла 4, нои выделить вклады составляющих изменения периода решетки и собственноизгиба. Этого можно добиться путемиспользования в качестве щели достаточно толстого эталонного монокристалла, подвергнутого такой же обработке, что и исследуемый, но в силу своейтолщины практически не испытывающегосколько-нибудь заметных изгибающих.деформаций..Кроме того, предлагаемый способобладает всеми преимуществами двухлучевых методов дифракционного исследования монокристаллов, выражающихся, в частности, в отсутствии необходимости Фиксации нулевой точкиизмерения, причем этот результатобусловлен именно поочередным регистрированием дифрагированных пучков,отраженных (одновременно 1 от эталонного и исследуемого...

Номер патента: 894502

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Суходольский, Шилин

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного

...на собственном поворотном держа" теле 13, установленном на держателе 8.Все держатели 3, 5, 8, 13 снабжены, как это принято в дифрактометричес- фо кой аппаратуре, средствами юстировки кристаллов путем их перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, как зто, например, реализовано в известном устройстве, 65 Спектрометр работает следующим образом.Рентгеновский пучок от стационарного источника 1 падает на первый кристалл-монохроматор 2, установленный в отражающее положение, например, с помощью детектора (не показан), Отраженный от кристалла-монохроматора 2 рентгеновский пучок падает на воторой кристалл-монохроматор 4,установленный параллельно монохроматору 2 с помощью поворотной платформы 6 и поворотного держателя 5. При этом...

Номер патента: 898302

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин, Якимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного

...содержит стационарный источник рентгеновского излучения 1, первый кристаллмонохроматор 2, установленный в поворотном держателе 3, второй кристалл-монохроматор 4, установленный в поворотном держателе 5, который расположен на поворотной платформе 6, Исследуемый монокристалл 7 установлен в поворотном держателе 8, когорый расположен на второй поворотной платформе 9, Оси поворотов платформ б и 9 совпадают с осью поворотадержателя 3 первого кристалла-монохроматора 2, Дифрагированное исследуемым монокристаллом 7 излучение регистрируют детектором 10, который установлен с возможностью поворота относительно оси поворота держателя 8 исследуемого монокристалла 7 В спектрометр могут быть введены дополнительные детекторы для целейнастроики...

Номер патента: 797379

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Морозов, Тищенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: монокристаллов, оптически, прозрачных, разориентировки

...устанавливают перед источником света 3. За кристаллом располагают систему из двух поло797379 2О ( Составитель В. Масленников Текред Л. Куклина оррект айн Коляд едак Изд104 Тираж 515 Подписное осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, )К, Раушская наб д. 4/5 аказ 25/3 ПО По Тип, Харьк. фил. пред. Патент жительных линз 4 и 5, диафрагмы 6 н экрана 7,Кристалл,1 просвечивают параллельным пучком от источника света, диаметр которого больше поперечных размеров кристалла, Плоскости 8 и 9 кристалла, перпендикулярные направлению распространения света, предварительно должны быть отполированы.Через плоскость 10, разориентацию которой измеряют, возбуждают излучателем,З в кристалле ультразвуковой пучок, который...

Номер патента: 912778

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Зайончковский, Кудряшова, Левина, Лихолетов, Мосевич

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полировки, стронция, титаната, химической

...кристалла и не п достигать высокой чистоты обра верхности. Цель изобретения - повышение чистотьобработки поверхности.Поставленная цель достигаетсятем, что хямическую полировку монокрксталлов титаната стронция с плоскостью ф ориентации (100) осуществляют 7087 вес.%-ньтм водным раствором ортофосфорной кислоты, нагретым до 180200 оС, в течение 20-25 мин при вращении 70-80 об/мкн.П р к м в р. Проводят полировку поверхности монокристалла титанатв строяция сплоскостью ориентации 100) фос- форной кислотой разной концентрации при180 200 С, время обработки 20 25 мин.3Заметноепол иров ание 242 211 Удовлетворительпол ированиеХорошее полирование 0,170 0,135 0,165 0,105 Способ кристаллов тью ориент работкупо ортофосфор о т и я ч ацелью...

Номер патента: 623294

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Дудник, Левинзон, Логинова, Нижегородов, Соколов, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/04

Метки: германия, легированных, монокристаллов, типа

...вытягивания монокристаллов, расплавляют шихту, выдерживают расплав 5 - 10 мин, и вытягивают монокристалл из расплава по Чохрольскому на затравку, ориентированную в направлении 31, со скоростью 2 мм/мин при скорости вращения затравки и тигля, соответственно, 30 и 5 обор,/мин.Получают монокристалл германия и-типа проводимости с концентрацией оптически активного атомарного кислорода 6,0 10 в ат, см - з. Однородность распределения оптически активного атомарного кислорода по объему монокристалла составляет (6 0,5) 10" ат, см -623294 Зависимость концентрации оптически активного атомарного кислорода от содержания двуокиси германия в борном ангидриде и соотношения борного ангидрида и двуокиси германия к расплаву германия показана в таблице....

Номер патента: 935759

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Адамян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/205

Метки: исследования, монокристаллов, пьезоэлектрических, совершенства, структурного

...топограмму получают в условиях воздействия на исследуемый монокристалл постоянного электростатического поля.На чертеже показана схема получения рентгеновской топограммы методомЛанга..Рентгеновский пучок 1, прошедшийчерез коллимирующие щели 2, падает35под брегговским углом на исследуемый пьезоэлектрический монокристалл3 с косым срезом, помещенный междупрозрачными для рентгеновского излу 40чения обкладками конденсатора 4, накоторые подается постоянное напряжение от источника (не показан), Прошедший через коллимационную щель 5,задерживающую также первичный пучок1, дифрагированный пучок 6 рентгенов 45ского излучения попадает на рентгеновскую пленку 7 Монокристалл 3 ипленка 7 во время съемки топограммысовершают...

Номер патента: 462393

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Петров, Туманов

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...независи- З 0 мого перемещения по вертикали, на внутренней из которых укреплен экран.Это позволяет, в связи с интенсивным охлаждением экрана, увеличить температурный градиент по длине кармана формы и помещенной в него затравки и предотвратить ее расплавление при заливке расплава в форму.На чертеже изображена схема описываемого устройства.Устройство включает керамическую форму 1 с карманом 2 в дне, в который помещают монокристаллическую затравку 3 требуемой ориентации. Форма установлена на опорном столе (не показано) внутри нагревателя 4. Под формой расположен водоохлаждаемый холодильник, выполненный из двух телескопических секций 5 и б. Внутренняя секция 5 снабжена укрепленным сверху экраном 7 из молибденовой трубки, охватывающим...

Номер патента: 938113

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Андреева, Хапачев

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дифракционного, монокристаллов, структуры

...состоящем втом, что направляют на поверхность крис талла рентгеновский луч, измеряют интенсивность луча, дифрагированного через грань кристалла, непараллельную его поверхности, глубину исследуемого слоя изменяют при постоянном угле дифракции путем поворота кристалла вокруг двух взаимно перпендикулярных пересекающихся друг с другом и с подающим лучом 13 4осей, лежащих в плоскости поверхности кристалла, одна из которых лежит в плоскости, проходящей через падавший луч и нормаль к поверхности кристалла.Кроме того, при изменении угла падения излучения в плоскости, параллельной поверхности кристалла, в условиях некомнланарной геометрии эксперимента фиксируются различные порядки отражения. Регистрация дифрапгрованной волны осуществляется...

Номер патента: 584446

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 9/00

Метки: ванадия, двуокиси, монокристаллов

...4/5Типография, пр,Сапунова, 2 3фазы - двуокиси ванадия. Сравнительноневысокая температура процесса (800 -900 С) также снижает количество зародышей по всей массе расплава, В дальнейшем,по мере диссоциации, обеспечивается преимущественный рост незначительного числапоявившихся зародышей, причем растущиекристаллы ориентируются вдоль тигля вместе подачи неокислительного газа. Затемс целью полного разложения пятиокиси ванадия повышают температуру до 1000 -1050 С, прекращают подачу неокислительного газа, а в системе создают вакуум10 -- 10 -мм рт, ст, и процесс продолжаютеще 22 - 24 ч,На этой стадии скорость диссоциации пятиокиси ванадия значительно увеличивается, но в основном продолжается рост ужепоявившихся кристаллов двуокиси...

Номер патента: 953018

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Боллманн

МПК: C30B 15/00

Метки: бесцветных, выращивания, молибдата, монокристаллов, свинца

...ограничена.Цель изобретения состоит в том, чтобыне только устранить возникновение изменения цвета в монокристаллах РЬМо 04, ноуже вначале предотвратить его изменением З 0атмосферы выращивания,В связи с этим преследуется цель предотвратить широкополосную область поглощения в РЬМо 04-монокристаллах, максимум которой лежит в пределах Л = 400 -430 нм, которая особенно при больших тол- з 5щинах слоя понижает проницаемость значительно ниже теоретического значения,заданного показателем преломления. Этимулучшается работоспособность соответствующих оптических или акустическо-оптичес 40ких структурных групп, особенно если онинагружены светом, длина волн котороголежит между 400 и 500 нм, как это соответствует, например, для лазера ионов...