Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1282582

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Ассанович, Бодячевский, Ковалева, Лингарт, Симонов, Чередниченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его...

Номер патента: 1319645

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/42, C30B 33/00 ...

Метки: монокристаллов, натрия, фтористого

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%:

Номер патента: 893102

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерных, монокристаллов, окраски, основе, приготовления, содержащих, фторидов, центры, щелочных

1. Способ приготовления лазерных материалов на основе монокристаллов щелочных фторидов, содержащих центры окраски, включающий выращивание монокристалла из расплава соли щелочного фторида и создание в монокристалле рабочих центров окраски путем его облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью устранения сопутствующих центров окраски, поглощающих и испускающих излучение в спектральной области лазерной генерации рабочих центров окраски перед выращиванием монокристалла, расплав соли выдерживают в контакте с графитом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что расплав соли выдерживают в течение 3-5 час в контакте с графитом.

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...