Галусташвили

Номер патента: 1803765

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Галусташвили, Дрияев, Политов, Саралидзе

МПК: G01N 1/00

Метки: дислокации, знака, монокристаллов, одного, содержащих

...кристалла ипластинки-держателя и используя для последней материалы различной жесткости,можно менять положение плоскости нулевых напряжений вплоть до ее смещения запределы кристалла, Фотография на фиг.З,полученная в поляризационном микроскопе, иллюстрирует смещение плоскости нулевых напряжений к границе образца всторону стальной пластинки-держателя,Ниже приведен конкретный примеросуществления предлагаемого способа деформирования монокристалла ЦЕ, позволившего сместить плоскость нулевыхнапряжений точно на границу образца спластиной-держателем,Пластинку из монокристалла фтористого лития длиной И = 25 мм, шириной Сг=4мм и толщиной аг = 1,5 мм концами жесткоскрепляют с пластинкой из инструментальной стали удлиной Ь = 50 мм, ширинойС 1 = 25...

Номер патента: 1693452

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Галусташвили, Дрияев, Политов, Саралидзе

МПК: G01N 3/32

Метки: внутреннего, модуля, трения, упругости

...образца, обеспечивая тем самым возможность испытаний с использованием держателя малой массы в низкотемпературной камере, где для точноо определения свойств исследуемого материала невозможно разместить массивный держатель. 1 ил. Образец исследуемого материала в виде Ш-образной пластины с одинаковой длиной язычков 1 и 2 закрепляют консольно в держателе за основание 3 на расстоянии от . язычков 1 и 2, не меньшем ширины среднего язычка 2, Возбуждают резонансные изгибные колебания среднего язычка 2, по параметрам которых определяют модуль упругости и внутреннее трение исследуемого материала.Закрепление образца исследуемого материала консольно за основание 3 на рас:оставитель Н,ЯмщикоТехред М,Моргентал Корректоо И,Муск Редактор О.Х Тираж...

Номер патента: 1432383

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Галусташвили, Дрияев, Саралидзе

МПК: G01N 3/24

Метки: деформирования, исследовании, механических, монокристаллов, свойств

...за счет исключения влияния захватных частей на деформируемую зонуи соседних с рформируемой зоной сло.М.г Гч( ффев кристалла, атакже получения различных сдвиговых напряжений в различных сечениях деформируемой областикристалла,На чертеже изображено устройство 15для деформирования ионных монокристаллов с системами скольжения,Устройство содержит нагружатель,имеющий стойку 1 П-образной опоры срабочими поверхностями 2, на которых 20размещены грани кубического монокристалла 3 квадратного сечения. Уголмежду поверхностями 2 стоек 1 равен90 О, т,е, углу между гранями монокристалла 3. Пуансон 4 имеет рабочие поверхности 5, образующие между собойтакже угол 90 О. Ширина Гпуансона 4меньше расстояния Ь между стойками 1.Способ осуществляют...

Номер патента: 648007

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Андроникашвили, Бархударов, Галусташвили, Паперно, Тактакишвили

МПК: H01S 3/02

Метки: кристалла, оптической, прочности, увеличения

...- повышение пороговой плотности энергии оптического пробоя,Это достигается тем, что по предлагаемому способу кристалл предварительно нагружают.в области пределатекучести и в нагруженном сост ииоблучают потоком-лучей доэо1-210 рад.П р и м е р. Исследуемый кристаллНаС 1 в форме пластины 30 х 20 х 3 юсефподвергают одноосному сжатию вдолькристаллографического направления:(100) и облучают ) -лучами при комнатной температуре. Обработанный таким образом кристалл исследуют на;.пробой лучом импульсного СО - лазера атмосферного давления с двойнымпоперечным разрядом. Импульс излучения имеет сложную форму: за пиком длительностью 100-150 нс следу.ет фхвост продолжительностью 1,52 мкс. Длина волны излучения 10,6мкм. Луч фокусируют на...