Журтов

Номер патента: 1530979

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Журтов, Шебзухов

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, металлических, монокристаллов, поверхностной, свободной, температурного, энергии

...через интенсивности дифракционного рефлекса брэгговского отражения 1(Е, Т) и 1 (Е, Т)Е 1 Ь 1Линейный коэффициент Ктеплового расширения по нормали к плоскости поверхности монокристалла можно также определить экспериментально из вы- ражения энергетическое смещениебрэгговского пика Е приизменении ЬТ температурыисследуемого образца;число атомов на единицеповерхности;координационное число вобъеме;число недостающих ближайших соседей у атома наповерхности; 1(Т,)и 1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от поверхности,1(Т) и1(Т) - интенсивности брэгговскогорассеяния от внутреннего40слоя монокристалла при температурах Т и Т,Ь Е - энергетическое смещениебрэгговского пика при изменении температуры монокристалла на дТ;е,а,-...

Номер патента: 1323930

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Журтов, Кармоков, Шебзухов

МПК: G01N 23/20

Метки: коэффициента, поверхностной, свободной, температурного, энергии

...рефлексазеркального отражения при двух фиксированных значениях энергии электронного пучка Е и Е при температурах монокристалла Т. и Т 2 и по формуле 25 (1) определяют температурный коэффициент поверхностной энергии. Значение Е выбирают из интервала 50, 100 эВ энергии падающего электронного пучка, так как интенсивность дифракцианнаго рефлекса дает первый .атомный слой из-за малой глубины проникновения . электронов. Значение Е выбирают из интервала 400, 500 эВ, когда основной вклад в интенсивность рефлекса дают глубинные слои монокристаллического образца.По формуле (1) находят температурный коэффициент свободной поверхностной энергии, при этом значение параметра решетки а берут из справочника.В таблице приведены...

Номер патента: 834460

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Берикетов, Журтов, Шебзухов

МПК: G01N 13/02

Метки: двухкомпонентныхвеществ, натяжения, поверхност-ного, состоянии, твердом

...на которой определяют искомуювеличину.По экспериментальным данным 3, и Д,с помощью (1) сначала строится зависимость -от,х, а затем методомчисленного интегрирования ь от хпо Формуламп 1 .0-1, д /х"-х(" 1 п=,ь,(2)дх, р)"ф 15-где- значение поверхностного натя 1 Ъжения сплава с концентрацией х.При и(хо = О) имеем поверхностное натяжение чистого второго компонента =) =ЪЗадача упрощается для систем,близких к идеальным., В этом случаерасчетная формула для всего концентрационного интервала имеет вид 25- 1 п (1 - ) х(3)Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.Получают Ожа-спектры чистых комопонентов сплава и выбирают неперекрывающиеся пики конкретных Ожепереходов.По интенсивностям 1 и 1 определяют коэффициент К = - =+- . После3этого...