Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Номер патента: 1702259

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Алексеев, Филимонова

МПК: G01N 21/45

Метки: интерференционный, монокристаллов, показателей, преломления

...направлению распространения света в кристалле отвечает свое значение (и- п") и соответственно свое значение периода Лпространственной модуляции рассеянного света, а следовательно, и свое 30 значение периода б контрастных интерференционных полос, наблюдаемых со стороны грани кристалла, оротсгональной биссектрисе угла между соответствующими главными осями оптической индиктрисы, 35Именно это и определяет возможность, облучая кристалл, например, в двух различных направлениях (,в той или иной плоскости облучения и измеряя периоды б; и б соответствующих интерференционных кар тин, а также зная длину волны Аобпучающего кристалл света, определить численные значения разности показателей преломления (и- и") и(п - и") в данном направлении в...

Номер патента: 1705424

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Аккуратова, Гаврилов, Тихонов, Цыганова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, силленита, структурой

...происходит отклонение от стехиометрического состава за счет интенсивного испарения ВцОз, имеющего более высокое парциальное давление паров по сравнению с ЯЮг и бе 02. В соответствии с диаграммой состояния это и приводит к снижению темпеоатуры плавления на поверхности слитка. Из расчетов скорость охлаждения слитков силиката висмута диаметром 65 мм равна 7,1 град/ч, однако проведенные исследования показали, что использование малых скоростей охлаждения целесообразно лишь в зоне аномального возрастания напряжений. Для монокристаллов силиката и германата висмута они лежат в диапазоне 500-700 С,Проведенные эксперименты показали, что скорость охлаждения при температурах51 О 15 20 25 30 35 40 45 50 за пределами указанного диапазона можно...

Номер патента: 1453960

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов, Чалый

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...длины кристалла 27 мм. При этой алике форма фронта кристаллизации изменяется ат астравыпуклай к ГГавнавыпуклой. Скорость вращения, вахиная ат длины кристалла 27 мм,604выращивание из расплава коническойчастн кристалла с постоянной скоростью вытягивания и вращения до из"5менения формы фронта кристаллизацииот островыпуклой к плавковыпуклой,уменьшение скорости вращения по заданной зависимости до цилиндрическойчасти кристалла и последующее выращивание цилиндрической части в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения выхода годных монокристаллов диаметром до110 мм с плотностью дефектов не боФлее 3 см за счет уменьшения длиныконусной части кристалла, затравлива"ние ведут при вращении...

Номер патента: 1220394

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...12203Изобретение относится к технологии получения изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промышленностях. 5Целью изобретения является увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшения длины конической части кристалла.П р и м е р 1. В тигель загру- Ю шают шнхту - смесь окислов гаплия и гадолиния в соотношении 53,92 мас.3 Сд Оз + 46,08 мас, Е Са С . Шихту плавят. высокочастотным нагревом ири-. диевого тигля. Азот подают к тепло вому узлу перед началом нагрева тиглякислород (2 об,7) добавляют в момент появления расплава. Начиная с момента затравливания, содержание кислорода в процессе роста умень шают. до 0,9 об. М.Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она...

Номер патента: 1347513

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...кислород, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увели чения выхода годных монокристалловдиаметром 105-110 мм с плотностьюдефектов кристаллической структуры7 см-, после изменения формы фронта кристаллизации скорость вытягиваЗ 0 ния уменьшают до получения заданногодиаметра монокристалла по закону-ЛЧ = мм/ч - 0,11 ммЬ мм,где Ь - текущее значение длины конуса, отсчитываемое от момента изменения формы фронта кристаллизации, мм,Скорость вытягивания изменяют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом Ь 40 мм, а скорость вытягивания 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла растят с постоянной скоростью вытягивания 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектон 0-7 см скорость...

Номер патента: 1354791

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...режимы позволяют увеличить процент выхода годных монокристаллов гадолинийгаллиевого граната с плотностью дефектов менее 7 смдо 45(см., таблицу, примеры 1-11),В том случае, когда скорость вра"щения при затравливании менее35 об/мин инверсный диаметр увеличивается, количество дефектов в области перехода формы фронта кристаллизации увеличивается, выход годныхкристаллов уменьшается (см. таблицупримеры 12-14, 27),При затравлении со скоростью,превышающей 45 об/мин, фронт кристаллизации на конусе изменяется отостровыпуклого к выпуклому. Такаяформа Фронта кристаллизации ухудшает качество кристалла и снижает выход годных (см. таблицу, примеры15, 16),Уменьшение скоростивытягиванияначальной части конуса менее 2 мм/чприводит к тому, что кристалл...

Номер патента: 1707089

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Васильев, Лифшиц, Севастьянов, Семенков, Станишевский, Чиркин

МПК: C30B 15/24, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...преобрэзоеэте,.ь 8 регу 1 руемого электроприесдэ Заданная скоппс ь тягиьания кристалла о,еспечиеа-; ся при помощи преобразователя 10 котос. й сравнивает два сигнала - сигнач задания и сигнал тахогенерэтора 9,,с;э овленного нэ еэлу злектподеигателя 8"1 рл нэл чии рассогласпьания скоростьэчектродеи этеля 8 аетс.этическ 11 коррек суется Погрешность поддержэ я скоро:ти вытягивания при этсм не превышает0,5.Для поддержания постоянства диаметра еыращиеаемого кристалла екчючаетсядатчик 5 массы тиля 4 с блоком 15 регулирования мощности нагревателя 3 (при схемеработы устройства с контролел массы растущего кристалла включается датчик 17 массы кристалла), При появлении сигналарэссоласоеания датчиков 5 или 17 массы5101520 25 КР 1 С аЛЛЭ ИЛИ ГИГгЯ С...

Номер патента: 1710602

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, ортотанталата, основе, растворов, сурьмы, твердых

...отношение жидкой и твердой фаз являетсясущественным для поддержания длитель-.ного пересыщения в зоне синтеза, Если,например, взять количество твердой фазы45 по объему равной жидкой, то практическиполучается вязкий раствор, который затрудняет массоперенос и снижает подвижность растворенных компонентов, Этообстоятельство лимитирует синтез и вы 50 ход монокристаллов твердых растворов(ЯЬ 1-, Вх) Та 04,Таким образом, все отличительныепризнаки способа причинно связаны сцелью изобретения и достаточны для его55 осуществления. Нарушение того или иногопараметра приводит к невоспроизводимости предложенного способа. Разработанный способ позволяет синтезироватьмонокристаллы (ЯЬ 1-, Вх) Та 04 с выходом80 - 93 мас.от исходной шихты с содержанием 0,1...

Номер патента: 1710603

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: йодида, монокристаллов, свинца

...скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЫ 2 заданного вы хода. Было найдено, что при В/ 14 см/с(Я - скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта -40 45 50 55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ 2.смПри И/ 17 выход монокристалловсРЫ 2, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Такимобразом, интервал 14 И/ 17 - являетсмсся оптимальнымдля получения монокристаллов иодида свинца с заданнымвыходом. Концентрация водного раствораСНзСООН составляет 16-20 мас,%, что всочетании с другими параметрами процессавполне достаточно для растворения шихтыРЫ 2 и образования насыщенного...

Номер патента: 1319641

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...до 0,9 об.% в конце процесса.Затравку вращают со скоростью 25 об/мин. При касании затравкой рас 25 плава происходит затравливание, после чего начинают перемещение затравки вверх со скоростью 8 мм/ч. После выращивания конуса длиной 70 мм при достижении диаметра кристалла130 мм скорость вращения затравкиуменьшают до 1 1 об/мин, а скоростьперемещения до 4,0 мм/ч. Выращивание цилиндрической части кристаллаведется с постоянными скоростями 53,92 46,08 25,0 2 53,92 46,08 27,0 3 53,92 46,08 29,0 4 , 53,92 46,08 26,0 5 53,92 46,08 35,0 41 2вращения и перемещецця 1 об/мин и 4,0 мм/ч соответствеццо.Полученные моцокристаллы гадолиний-галлиевого граната имеют диаметр 130 мм, массу 13,5 кг, плотность дефектов 0 - 6 смДанные по примерам 2 - 12...

Номер патента: 1723211

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: висмута, монокристаллов, оксида

...висмута, Значение температурного перепада также является существенным с точки зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада (ЬТ 20 С) приводит к уменьшению пересыщения, необходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристаллов оксида висмута. Увеличение же значения температурного перепада ( ЬТ30 С) способствует интенсивному массопереносу исходной шихты(В 20 з) в верхнюю зону реакционного пространства автоклава. Это обстоятельство приводит к высокой скорости зародыше- образования по сравнению с ростом кристаллов ВгОз, которые имеют малые размеры, Так, например, при ЬТ = 32 С и при прочих равных параметрах размер монокристалловоксида висмута составляет не...

Номер патента: 1723506

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Иванов, Савенко, Сидоров, Смирнов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследования, монокристаллов, приставка

...реэьбового соединения 10, а внутренней полостью 11 подключена через державку 12 монокристалла 13 и капилляр 14, установленный внутри нажима 15 к заправочному каналу 16, и загерметизирована с помощью прокладок 17, установленных между корпусом 8 и державкой 12, и уплотненных с помощью нажима 15, имеющего резьбовое соединение 18 с корпусом 8, При этом рабочая часть 19 камеры 7 высокого давления выполнена в виде полусферы, расположенной концентрично полусфере вакуумной камеры 4. На корпусе заправочного вентиля 9 расположено средство для создания температурного 5 10 15 20 25 30 35 40 50 режима исследования - змеевик 20 (с намотанным на нем нагревателем), по которомупропускают поток холодного газа, азота илигелия, Приставка основанием 5...

Номер патента: 1531363

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Дубовиков, Миронов, Попова

МПК: B28D 5/00

Метки: граната, монокристаллов, резки

...пластины образование дефектов связано с тем, что в центральной части слитков гадолиний-гвллиевого граната существует напряженная об 5 пасть, образующаяся при его получении из расплава и связанная с фундаментальными условиями роста, Для уменьшения влияния этих напряжений на образонанне дефектов при окончании процесса резки необходимо также уменыпать скорость вращения слитка. Влияние скорости. перемещения диска в этой области менее критично. В связи с этим резание областей слитка, составляющих 0-0, 11 Кр и 0,91-1,0 Ккр (отсчет ведется от поверхности слит- ка), проводят с постоянныки скоростями вращения кристалла 0,3 - 0,45 об/мин и 5-6 об/мин соответственно. Область кристалла в диапазоне 0,11-0,91 Кр является менее напряженной...

Номер патента: 1726570

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, свинца, хлорида

...многочислен ные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скоро сть конвекционного движения раствора, При введении в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий 1-5 мм скорость конвективного движения раствора 15 при температуре 100-145 С, ЬТ 4-7 С изменялась от 12 до 16 см/с. Указанная величина скорости конвекционного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЬС 2 заданного выхода. Было найдено, что при ЧЧ 12 см/с ЧЧ - скорость конвекционного движения раствора) массоперенос растворенных форм хлорида свинца от границы...

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1737034

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Леонюк, Меликсетян, Урусов

МПК: C30B 29/32, C30B 9/06

Метки: бария, выращивания, монокристаллов, титаната

...скоростью 20-30 С/ч, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают до температуры 800 С со скоростью 1-3 С/ч.В таблице представлены экспериментально найденные параметры процесса кристаллизацииПри других соотношениях исходных компонентов и температурных режимах и ложительный эффект отсутствует,П р и м е р 1. Смесь ВаТЮз, В 20 з, КГ, взятую в соотношенг и 10,6 и 84 мас.0 ь соотСостав смеси, мас.ВаТОз ВгОз КР 80-65 8 - 10 20-30 1 - 3 Качест, не- сдвойникованные, объемные монокристал- . лы кубической формы толщиной в несколько миллимет ов Составитель Н,МеликсетянТехред М,Моргентал Корректор М.Пожо Редактор М.Петрова Заказ 1871 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12 ...

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1738876

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Карасик, Качарава, Тогонидзе, Цинцадзе

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...малую площадь контакта с шихтой, что исключает растрескивание кристаллов за счет разности температурных коэффициентов расширения,Целью изобретения является увеличение размеров, повышение выхода кристаллов и облегчение их извлечения из шихты.Поставленная цель достигается тем, что приготовленную смесь из ВаО, СцО и У 1 ВагСозО-х нагревают в алундовом тигле до 970 - 990 С и выдерживают в течение 24 - 30 ч, после чего тигель перемещают через градиент температуры1,5 С/мм со скоростью 1 - 2 мм/ч, при этом в температурной области 700 - 600 С охлаждение производят со скоростью 15 - 20 С. Весь процесс роста происходит в атмосфере воздуха.На фиг. 1 дача установка зонной плавки; на фиг. 2 - температурный профиль установки.Сущность изобретения...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...

Номер патента: 1738878

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бунина, Гурьев

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: германата, монокристаллов, свинца, состав, травления

...комплекса, а также возможно ее выделение в коллоидном состоянии. Не исключено, что все эти процессы протекают одновременно, что определяется соотношением компонентов в растворе и условиями осуществления реакции (температурой, перемешиванием). К тому же многоатомный спирт способен адсорбироваться на поверхности, что влияет на особенности растворения кристалла.Пределы концентрации азотной кислоты определяют опытным путем. При содержании кислоты менее 1 мас,; реакция протекает с малой скоростью, и результат травления получается неудовлетворительный: поверхность становится матовой, доменные границы не видны. При содержании кислоты более 5 мас.ф реакция протекает с очень большой скоростью, поверхность образца получается блестящей,...

Номер патента: 1740504

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Абаджян, Готальская, Егоров, Жуков, Кабанович, Мурадян, Рыжков

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов, шихты

...кварца отличается тем, что для обеспечения получения высокопрочных брикетов-кусков, в качестве исходного материала берут аморфный диоксид кремния при влажности 20 - 25%, а обжиг прессованных брикетов осуществляется при 1350-1400 С в шахтных печах в атмосфере водяных пэров в течение 2 ч, после чего брикеты дробят на куски размерами 20 - 35 мм,Установлено, что снижение влажности исходного диоксида кремния способствует уменьшению пористости, а повышение температурыы обжига укорачивает длительность процесса обжига максимум до 4 ч.Предложенный способ подготовки шихты бып испытан в лабораторных и полупромышленных условиях.Способ реализуют следующим образом.Исходный аморфный диоксид кремния с суммарным содержанием микропримесей не более 5...

Номер патента: 1740505

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Безматерных, Васильева, Жгун, Темеров

МПК: C30B 15/00, C30B 9/12

Метки: выращивания, гематита, монокристаллов

...затравочным кристаллом раствора-расплава при температурах, на 510 С выше температуры насыщения, ипоследующее охлаждение раствора-расплава до начальных температур раэращивания в течение 15 - 20 мин позволяетрастворить нарушенный поверхностныйслой затравки и избежать спонтанного зарождения на начальной стадии. С повышением температур и времени охлажденияиз-эа сильного оплавления затравок ухудшается качество наращиваемого слоя,Начальная температура роста Т = Тнас --(5 - 10) С выбирается в середине зоны метастабильности. Процесс роста завершаютпри температурах 800 - 850 С, так как ниже800 С кристаллизуются фазы, содержащиекомпоненты растворителя.При скоростях охлаждения растворарасплава менее 0,7 С/сут не обеспечивается необходимый...

Номер патента: 1745779

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Бузовкина, Васильев, Викторов, Волков, Каргин, Петров, Скориков, Тале, Шульгин

МПК: C30B 15/02, C30B 29/32

Метки: висмута, монокристаллов, ортогерманата

...смешивают в стехиометрическом соотношении 2;3, помещают в платиновый тигель и и рокаливают в воздушной атмосфере в течение суток при 850 С. В известном способе не требуется дополнительной выдержки шихты в видерасплава при 1050 С, не предьявляется также дополнительных жестких требований ксохранению стехиометрии исходного состава шихты, отсутствует необходимость в обеспечении контроля шихты непосредстпарения ВгОз, так и вхождения в шихту неконтролируемых примесей из тигля.Наиболее близким к изобретению является способ выращивания кристаллов ортогерманата висмута, содержащий оксид европия, методом 4 охральского. Шихту прокаливают в платиновом тигле медленными шагами до 850 С. Возникающий в процессе нагрева при испарении соединений...

Номер патента: 1745780

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонов, Леонов, Рыбинцев, Сатункин

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: выращивания, жидкостью, защитной, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...запас устойчивости замкнутой системы в обычном способе Чохральского, Повышение степени астатиэма впервую очередь требуется для обеспеченияточного отслеживания нелинейного программного задания в режиме формирова-.ния конусов. Очевидно, что задача синтезауправления для обычного способа Чохральского практически совпадает для способаЧохральского с жидкостной герметизацией, 25если формирование конуса происходит полностью под флюсом. В этом случае уравнение наблюдения (21) упрощается иопределяется в видеУ(1) = У 1(1) = С(1)Х(1) + Ю (1) Й(1). (22) 30В уравнениях (21) и (22) в отличие отобычного способа Чохральского появляетсяизвестный заранее множитель (1 - , ), Прианализе замкнутого состояния вектор входных воздействий 0 (1) необходимо...

Номер патента: 1746268

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Беляевская, Ингал, Косарев, Ошеров

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, монокристаллов, рентгенотопографических

...зеркало); на фиг.3 - ход рентгеновских лучей в щелевом холлиматоре ПВО (параболическое зеркало).Устройство для рентгенотопографических исследований монокристаллов содержит источник (рентгеновскую трубку) 1 рентгеновского излучения, зеркала ПВО 2 с дополнительными поглощающими пластинами 3, исследуемый монокристалл 4 с держателем, передающую телевизионную трубку- рентгеновидикон 5, телевизионный канал 6 и видеоконтрольное устройство (ВКУ) 7. Зеркала ПВО 2 с пластинами 3 собраны в единый блок кодлиматора, кото. рый может юстироваться относительно оптической оси. Источник 1, держателЬ кристалла с кристаллом 4 установлены неподвижно относительно плиты (не показана), на которой собрана вся установка . (модифицированная установка...