Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при комнатной температуре
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1427268
Авторы: Александровский, Дьяков, Рубинина, Яковлева
Текст
(51) 4 С 01 11 25 ННЫЙ НОМИТЕТ СССР ОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ СУДА О ДЕЛ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ СВИДЕТЕЛЬСТ СК А яков,(21) 4146516,31-25(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРНОГОСОВЕРШЕНСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРЯХРАСТВОРОВ, МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ(57) Изобретение относится к физикохимическому анализу иможет быть использовано для контроля структурногосовершенства элементов. Цель изобретения - расширение класса контролируемых образцов монокристаллов иобеспечение неразрушающего контроля.Проводят декорирующий отжиг в температурной области существования двухтвердых фаз в течение времени, необходимого для образования на дефектах структуры частиц второй фазы размером, сравнимым с длиной волны просвечивающего излучения, а после регистрации дефектов проводят второйотжиг в области гомогенности данногоматериала в течение времени, необходимого для растворения частиц второй фазы.1427268 Формула изобретения Со ст авитель С. БеловодченкоТехред М.Ходанич Корректор М.Васильева Редактор А,Лежнина Подписное Заказ 4847/40 Тираж 847ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к физико-химическому анализу и может быть использовано для контроля структурного совершенства элементов. 5Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.Способ осуществляют следующим об разом,Г Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т соответствующей двухфазной об ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени й, которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2 О фазы поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения ( 1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп, декорированные дефекты наблюдают в проходящем свете в объеме кристалла. Ес О ли частицы второй фазы прозрачны, то для наблюдения эффективен метод "темного поля", Затем кристалл вновь помещают в печь и отжигают при температуре Т в области гомогенности твердого раствора в течение временикоторое также зависит от Т 1 - чем выше температура отжига, тем быстреерассасываются частицы второй фазы,следовательно, тем меньше Й. Когдаразмер частиц становится много меньше 1 мкм, оптические свойства кристалла восстанавливаются. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при ком- . натной температуре, заключающийся в декорирующем отжиге монокристалла и последующей оптической регистрации декорированных дефектов, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения класса контролируемых образцов монокристаллов и обеспечения неразрушающего контроля, декорирующий отжиг ведут в температурной области существования двух фаз в течение времени, необходимого для образования на дефектах структуры декорирующих частиц второй фазы размером, сравнимым с длиной волны оптического регистрирующего излучения, а после оптической регистрации декорированных дефектов проводят второй отжиг в области гомогенности данного материала в течение времени, необходимого для растворения частиц второй фазы.
СмотретьЗаявка
4146516, 12.11.1986
МГУ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
АЛЕКСАНДРОВСКИЙ АЛЕКСЕЙ ЛЕОНТЬЕВИЧ, ДЬЯКОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСЕЕВИЧ, РУБИНИНА НАТАЛЬЯ МИХАЙЛОВНА, ЯКОВЛЕВА ГАЛИНА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 25/02
Метки: комнатной, метастабильных, монокристаллов, растворов, совершенства, структурного, твердых, температуре
Опубликовано: 30.09.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1427268-sposob-kontrolya-strukturnogo-sovershenstva-monokristallov-tverdykh-rastvorov-metastabilnykh-pri-komnatnojj-temperature.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при комнатной температуре</a>
Способ газопламенного отжига монокристаллов
Номер патента: 172287
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Волынец, Губен, Козлов, Охапин, Смирный
МПК: C30B 11/10
Метки: газопламенного, монокристаллов, отжига
...того, с целью уменьшения концентрации дислокаций В монокристалле, ВО Врсмя кристаллизации проводят поочередное, начиная сверху, подключение трубок, расположенных по спирали.Данный способ иллюстрируется конкретным примером его осуществления для выращивания и Отжига моно,рцсталлОВ корунда (температура плавлсш 1 я 2050-С) длиной 150 х 1,1 и диаметром до 25 з 1,11 с крцсталлографической ориентировкой 0, 15", 40, 60, 75 и 90 в стандартной печи. В зоне отжцга были проделаны нормальцыс к поверхности печи (стальНОИ 1 у ,Ожуку ц адуцдовой жарОВО ТрубЕ) круглые отверстия, расположенные по спцральнОи криВО 1 таким ООразом, что каждое слсду 1 ощее ОтВерстне Вын 1 с (ц 1 и нцжс) предыдущего на 12 я,11, а их Осц смс 1 цецы в проекции ца...
Способ отжига монокристаллов барийстронциевого ниобата
Номер патента: 475172
Опубликовано: 30.06.1975
Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко
МПК: B01J 17/00
Метки: барийстронциевого, монокристаллов, ниобата, отжига
...пос15 бо контраста полосы роотсутствуют. я до отжига отжига имел сл та. После отжи различимы, либ ателя преломлен ле отжига 5 10 -дмет изобретени ов бариищий нагрев, ухе, отлиулучшения нагрева ве- С, выдержкус последую - 100 град/ Спос 0 стронци выдерж чающ одноро дут до 5 провод щим ох(61 ополнительное к авт. с Изобретение относится к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого нио бата ВаБг ЛЬз 00, которые применяются в модуляторах и дефлекторах света.Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400 С, выдержку при этой температуре в течение 10 - 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьшению интенсивности окраски для окрашенных...
Преобразователь фаза—интервал времени
Номер патента: 394830
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 25/00, H03M 1/50
Метки: времени, фаза—интервал
...возвращается в исходное состояние, Таким образом,в исходном состоянии на выходе дифференцирующего устройства в момент, когда У -- 02при ) 0 в каждом периоде напр якейния У будет формироваться импульс.Однако трипгер 8 последним иипульсом свыхода схемы совпадения б был переведен всостояние, при котором схема совпадения бзакрыта. В результате в исходном состояниисхемы совпадения 5 и б закрыты, и импульсыс выхода дифференцирующего устройства навыходы преобразователя фаза - интервал времени не поступают,При поступлении на вход 9 импульса Запрос триггер 7 переходит в состояние, при котором схемы 1, 5 открыты, электронный коммутатор 2 закрыт, а на одни из входов схемы б поступает запрещающий оигнал. От импульса Запрос триггер 8...
Преобразователь фаза-интервал времени
Номер патента: 574738
Опубликовано: 30.09.1977
МПК: G08C 9/00
Метки: времени, фаза-интервал
...схему 4,дифференцирующую цепь 5 и триггер 6 сосчетным входом, Прямой выход триггера является ьыходом устройства,1-1 а входы коммутаторов 1, 2 аналоговыхсигналов поступают сигналы, сдвинутые пофазе. При логическом О на прямом выходетриггера 6 со счетным входом коммутатор 1аналоговых сигналов, управляющий вход которого подключен к инверсному выходу триггера со счетным входом, пропускает сигнал,поданный на его вход, на вход пороговой схемы 4, прп этом коммутатор 2 аналоговых сигналов, управляюппгй вход которого подключенк прямою выходу триггера 6 со счетным вхо.дом, сигналы не пропускает,формула изобретейия Составитель В. Митряев Текред Л. ГладковаКорректор И. Позняковская Редактор т. Рыбалова Подписное Заказ 2144/12 Изд.774 Тираж...
Способ измерения длины деканалирования частиц высоких энергий в монокристаллах
Номер патента: 1632344
Опубликовано: 15.06.1992
Авторы: Галяев, Запольский, Чесноков
МПК: H05H 7/00
Метки: высоких, деканалирования, длины, монокристаллах, частиц, энергий
...фиг.2. Затем монокристалл поворачивают и наводят на него пучок со стороны изогнутой части, как это показано на фиг.3, и повторно измеряют,интенсивность отклоненных частиц системой 5 диагностики пучка, В первомизмерении частицы, деканалированные на прямой частимонокристалла длиной Ь, нв будут отклоняться монокристаллом и не захватываются хвостовой частью 4 магнитооптической системы, Во втором измерении 5 частицы, деканалированные на прямой части монокристалла, будут захвачены в аксептансе хвостовой цасти ч магнитооптицеской системы,так как они уме повернуты монокристаллом,Таким Образом отношение зарегистрированных интенсивностей Й 1/Й 2 в первом и втором измерениях равно доле частиц, не испытавшихдеканалирования на прямой части...