Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 768052

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ломов, Мусатов, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Метки: выращивания, киропулоса, корунда, методом, монокристаллов

...процесса. По мере ростакристалла расплав постепенно втягивается снизу внутрь обечайки силамиповерхностного натяжения, При определенных условиях уровень расплава между стенкой тигля и обечайкой можетравномерно распределяться по периметру и к моменту завершения процессакристаллизации понижаться до дна тигля, т,е, полностью переходить внутрьобечайки. Наличие расплава вокругобечайки способствует уменьшению температурного градиента на фронте кристаллизации, а равномерный уровеньрасплава благоприятствует выравниваниютеплового поля и уменьшению градиентаскорости кристаллизации по периметру,Тем самым устраняются условия захватакристаллом пузырей. Благодаря капиллярному эффекту малейшие зазоры между стенкой обечайки и поверхностьюрастущего...

Номер патента: 1633030

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, диоксидифенилсульфона, монокристаллов

...мешалка. Кристаллизатор помещают в жидкостный термостат, темпетура в котором поддерживаетсятоянной с точностью до 0,1 С.оЗатравочные кристаллы получаютпредварительно испарением из раство"ра, аналогично помещенному в кристаллизатор. Их помещают в перегретыйраствор на дно кристаллизатора наспециальной фторопластовой подложкетак, что направление роста кристалла.1633030 Продолжение таблицы перпендикулярно подложке. После этого медленно снижают температуру кристаллиэатора до тех пор, пока не начнется рост эатравочнаго криоталла, что видно по блеску образующихся граней. ТеМ- пературу во время опыта фиксируют и поддерживают постоянной.Так как крьппка охлаждается проточной водой, то на ней образуется кон ,денсат, который стекает в...

Номер патента: 774351

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Маурин, Плинер, Рутман, Таксис, Торопов

МПК: F27D 11/00

Метки: крупногабаритных, монокристаллов, отжига, печь

...со сменными промежуточными блоками 14 из стабилизированной двуокиси циркоиия повышеннойэлектропроводности,Нагревательный элемент с токоподводящими пластинами 10, промежуточными блоками 14 и токоподводящие электроды 11 размещены в высокоогнеупорной футеровке 15 со специальнымигнездами для размещения электронагревателей 16 устройства предварительного нагрева, которое по тепловомуполю обхвать 1 вает весь электронагреватель в сборе, Боковые пластины 4электронагревателя имеют специальные элементы 7 крепления, представляющие собой периферийные уменьшенного сечения участки пластин 4, покоторым не протекает электрическийток, Это достигнуто благодаря нали"чию фигурных вырезок 18 в теле пластины 4. Боковые пластины электронагревателя...

Номер патента: 1636745

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Агеев, Захарченко

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометр-разбраковщик, монокристаллов

...с вершиной,обраценной к опорной поверхности инаходящейся на расстоянии а от нее.При этом длина вершины меньше диамет Ора стержня, а торец стержня совмещенс опорной поверхностью. Затвор 8первичного пучка выполнен в виде полого цилиндра с двумя диаметральнорасположенными окнами у нижнего еготорца для пропускания первичного идифрагированного пучков, Затвор 8установлен внутри корпуса 3 соосноклину 7 с возможностью возвратнопоступательного перемещения вдоль 4 Оих общей оси под действием массыраэбраковщика (образца) или усилияпружины 9,Дифрактометр-разбраковщик работает следующим образом. 45Прибор приводят в рабочее состоя-+ние открытием активной части изотопаили включением рентгеновской трубкиПервичный пучок источника 1 проходитвдоль канала...

Номер патента: 1636860

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Беликова, Перстнев, Писаревский, Регель, Сизова, Сильвестрова, Турская

МПК: G01N 23/20, G21K 1/06

Метки: гидрофталатов, диспергирующих, монокристаллов, фокусирующих, элементов

...2 МПа (ось сжатия под 45 к плоскости (010.Однако при изгибе пластины с малым радиусом изгиба (100-200 мм) напряжения ,. разрушения всегда значительно ниже указанных напряжений разрушения при сжатии ( в 10 раз), так как при изгибе происходит раскрытие поверхностных трещин, которые при сжатии "задавливаются".При расколе кристалла на тонкие пластины в пластинах возникают напряженные области, которые при дальнейшем изгибе являются концентраторами напряжения, на которых происходит разрушение. Вероятность разрушения пластин из гидрофталатов при изгибе резко возрастает с уменьшением радиуса изгиба, Поэтому рассматривается только деформация изгибом пластин с малым радиусом (200 и 100 мм), Радиусы более 200 мм не являются критическими...

Номер патента: 1638221

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов, Федоров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/00

Метки: гранатов, монокристаллов

...Проведение отжига с темпера.турой более 400 С нецелесообразно,из-з а сложности высокотемпературныхпечей, Проведение отжига при температуре порядка 1000 С и более приводитк выпаданию фазы УА 10 э и т.д., кдиффузии атомов, что в свою очередьприводит к образованию точечных дефектов типа Г-центров, 0-вакансий ит.д,Длительность импульса лазерногоизлучения, которым проводят обработ -ку, равна 10 -1 О с и определяетсяэкспериментально, 40Уменьшение длительности импульсаприводит к тому, что времени для перехода частицы в новое кристаллическоесостояние становится недостаточно,то есть она находится при высокой 45температуре мало времени.Увеличение длительности, импульса приводит к уменьшению энергии вотдельном "пичке" лазерного импульсаи данной...

Номер патента: 1132606

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Антонихин, Блецкан, Дерябин, Кузьмина, Макаров, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...на чертеже показаны помещенныйв тигель 6 формообразователь 13,представляющий собой цилиндр из молибдена.или вольфрама толщиной 0,10,5 мм и высотой 0,8-0,9 высоты тигля 6, часть выросшего от затравочного стержня 11 кристалла 14, отделенная от расплава 15 островыпуклымфронтом кристаллизации, обозначенным пунктирной линией. При сборкеописанного устройства его элементы1-13 должны располагаться соосно другдругу.Введение в устройство отражателя12 повышает его стойкость, увеличиваясрок службы всего устройства до 50 иболее процессов. Введение отражателя обеспечивает достижение стабильности теплового поля кристаллизационного узла через 5-6 процессов, в товремя как в известном устройстве вертикальный экран 2 выходит из строяраньшечем...

Номер патента: 1641899

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: калия, монокристаллов, стибиотанталата

...3,9-4,5 мм,Основные параметры процесса получеиия монокристаллов К БЬТаО представлены в таблице,Определение химического состава и идентификацию монокристаллов осу ществляли методом рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа.В рентгеноструктурных исследованиях использованы методы Лауэ, Вейсенберга и порошка при СцК 0-излуче нин аУстановлено, что монокристэллы относятся к дитригональнопирамидальному (3 щ) классу тригональной сингонии с параметрами элементарной ячейки: а = 10,653+0,004, с= 11,597++0,005 А (в гексагональной установке).Изучение систематики погасанийрефлексов на вейсенбергограммах,симметрии лауэграмм с учетом изучения пироэффекта позволяет выбрать длямонокристаллов К БЬТа 0 полярнуюпространственную группу...

Номер патента: 1641900

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы

...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...

Номер патента: 1641901

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: качества, корунда, монокристаллов, профилированных

...в таблице данные имеют следующие обозначения: Т - температура отжига; Р - парциальное давление кислорода в зоне отжига; т 1 - время разогрева печи; х - время изотермической выдержки; тз - время снижения температуры; х 4 - время инерционного охлаждения; М - энергетические затраты по сравнению с прототипом; К - коэффициент скрытого брака.Печь нагревают в течение времени т 1 до температуры Т и выдерживают при этой температуре в течение времени г 2, после чего выключают нагрев, и печь инерционно остывает до комнатной температуры в течение времени гз . Затем извлекают из печи отожжейные образцы и визаульно контролируют наличие инородной фазы (помутнение кристаллов),При сравнении результатов отжига основными показателями...

Номер патента: 1643633

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, соединения

...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 1658050

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Гундырев

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновских, топограмм

...27, содержащая системутонких плоских пластин 28, равномерно распределенных по всему основаниюгребенки 27 и выполненных иэ хорошопоглощающего рентгеновские лучи материала. Плоскость каждой пластины28 проходит через точечный фокус Френтгеновского источника и перпендикулярна отражающим кристаллографическим плоскостям.Устройство работает следующим образом.При среднем положении камеры узкий пучок характеристического излучения направляется на центр образца ипо детектору 14 образец выводится вотражающее положение К компонентыизлученияПосле этого раскрываютсящели неподвижного коллиматора 26 всоответствии с требуемой горизонтальной расходимостью первичного пучка,которая определяется шириной используемого участка спектра, углом...

Номер патента: 1414015

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Крутиков, Островский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, кальций-ниобий-галлиевого, монокристаллов

...пихту вьппе температуры плавления КНГГ составляющей 1 ч 50 С. Затеи снижают давление над расплавом путем откачивания ростовой камеры до давления не более 0,1 мм рт,ст. на время 3 минь после чего камеру заполняют инертным газом и кислоро дом (Аг + 5 об.7 О ). Выращивание кристалла проводят при 1450 С в цент. ре тигля. Максимальная температура Ф О у стенок тигля составляет 1550 С. Вытягивание.кристалла осуществля;ют со скоростью 3 мм/ч при скорости вращения 30 об/мин,Кристаллы имеют диаметр 30-35 ммпри хорошем оптическом и структурном совершенстве.Дачные о режимах роста и качестве кристаллов сведены в таблицу.Как видно из таблицы, выдержкарасплава перед выращиванием при давлении значительно больше 0,1 юя.рт.ст.не приводит к снижению...

Номер патента: 1659535

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Антонова, Васильев, Веселинов, Кузнецов, Кунев, Малеев, Павлюк, Петров, Харченко

МПК: C30B 15/00, C30B 15/04, C30B 29/32 ...

Метки: молибдата, монокристаллов, свинца

...м едл е н н о (1-2 ч), что бы избежать термоудара. Перед началом процесса вытягивания расплавляют 2-3 мм затравки для удаления поврежденной обработкой части. Начинают вытягивать монокристалп (скорость вращения затравки 12 об/мин) со скоростью 0,25 мм/ч. Разращивают со сбросом температуры в 0,5 С/см до диаметра 25 мм и убирают сброс постепенно после 40 мм вытягивания, Кристалл в конце опыта резко отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 30,/ч, Кристалл имеет слабо желтую окраску, оптически однородный, без блоков и макровключений. В нижней части кристалл имеет диаметр 35мм при длине 70 мм, вес 791 г. П р и м е р Э. Шихту, приготовленнуюметодом осаждения, нагревают со скоро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стью 150/ч. Процесс...

Номер патента: 1668489

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Базалей, Бондаренко, Коломиец

МПК: C25C 5/02

Метки: ванны, водного, двухслойной, меди, монокристаллов, нитевидных, слоя, состав, электролитической

...слой - раствор олеиновой кислоты в октане (0,3 мольл). "Ъ,Рф Медный дисковый катод диаме 1 ром 50 мм, толщиной 4 мм, вращающийся вокруг горизонтальной оси со скоростью 2 об/мин, опускают так, чтобы нижний край катода был погружен на 8 мм ниже границы раздела водного и органического слоев и проводят электрокристаллизацию нитевидных моно- кристаллов мери пуи плотности тока на катоде 400 А/рм, Выход нитевидных1668489 Составитель Н, ТуминТехред М.Морге нтал Корректор ипле,едактор А, Козо аз 2631 . Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 д, ул, Гагарина, 101 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. У монокристаллов порошка меди на 1 м катогда...

Номер патента: 1668495

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: лазеров, монокристаллов, оксида, цинка

...выращенном в данных условиях, возрастает по сравнению с исходным образцом, полученным без добавления металлического цинка в шихту, в 3 раза.П р и м е р 2. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но шихту вводят 2,3 мас.% металлического цинка, Усиление ЭФЛ составляет около 2.П р и м е р 3. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но в шихту вводят 4 мас,% металлического цинка. Интенсивность ЭФЛ меньше, чем у исходных монокристаллов, выращенных без добавления цинка в шихту.На графике показаны спектры фотолюминесценции при лазерном возбуждении (ЛГИ) и Т=80 К кристаллов ЕпО, полученных гидротермальным методом из необогащенной (кривая 1) и обогащенной ионами цинка среды: кривая 2 - с добавкой 2,3 мас.%...

Номер патента: 1668496

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: nво, где, монокристаллов

...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...

Номер патента: 1673651

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Комарова, Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин, Цур

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, окрашенных, оксида, цинка

...из печи и затем открывают и извлекают из него вкладыш, Вкладыш раскрывают, вынимают выращенный кристалл,промывают его дистиллированной водой от 10следов щелочного раствора, высушивают ивзвешивают,Получают прозрачный кристалл оксидацинка краСно-оранжевого цвета, ограненный двумя моноэдрами, призмой, пирамидой, массой 3,4 г.П р и м е р 2. Основные параметры ростасоответствуют примеру 1. Для окрашиваниякристалла в красно-оранжевый цвет используют оксид марганца в концентрации 200,01 масПолучают прозрачный слабоокрашенный в красноватый цвет монокристалл оксида цинка.П р и м е р 3. Режимы роста соответствуют примеру 1, концентрация оксида марганца в растворе 3 масПолучают непрозрачный темно-красного оттенка монскристалл оксида...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1679313

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: дилатационных, исследования, монокристаллов, несовершенств, рентгеноинтерферометрический

...от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего кристалла, получают1 11 оьь ЮьоКопо - Ив1. В двухкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первого и второго кристаллов отличаются одно от другого, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго кристалла.2. В трехкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первых двух(первого и второго) или последних двух (второго и третьего) кристаллов одинаковы, но отличаются от межплоскостных расстояний оставшегося (третьего или первого) кристалла, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего...

Номер патента: 1682415

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Борисова, Гуськов, Харитоненков, Шапкин

МПК: C30B 29/58, C30B 30/08, C30B 5/00 ...

Метки: макромолекул, монокристаллов

...спусвводят в замкнутый контейнер 6 с небольшим избытком. Далее спускник 15 воздуха закрывают с помощью винта 11, при этом происходит удаление Воздуха иэ контейнера 6 и небольшого избытка кристаллизационного раствора, Затем ведут герметизацию при помощи уплотнительной прокладки 13, При этом контейнер 6 изолирован от воздействия окружающей среды подвижным защитным колпачком 7 (положение А).Заправку раствора осадителя производят через спускник 16 воздуха. При этом происходит напитка тампонного материала 2 раствором осадителя, Затем проводят герметизацию кристаллизационной камеры винтом 12 с уплотнительной прокладкой 14, С помощью ручки 9 перемещают подвижный защитный колпачок 7 из положения А в положение Б (показано штрих- пунктиром). При...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...

Номер патента: 1684357

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Барсукова, Зайцева, Кожоева, Кузнецов, Охрименко, Федоров

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, гидрофталата, калия, монокристаллов

...размеров кристаллов при сохранении их однородности, перемешивание раствора ведут путем вращения платформы с затравкой с частотой 40- 60 об/мин. Составитель Е, ЛебедеваРедактор М. Недолуженко Техред М,Моргентал Корректор О, Ципле Заказ 3486 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,:К. Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 травке при скорости вращения платформы 60 об/мин,Подготовка эксперимента аналогична примеру 1, Перемешивание раствора вращающейся платформой ведется со скоростью 60 об/мин, График снижения температуры: 3 сут - 0,16 С/сут; 1 - 15 С;1 - 0,3 С,1 - 0,8 С;1 - 1,7 С,3 - 4,2 С/сут. В результате...

Номер патента: 1685719

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Гаврилюк, Гарбузов, Гулидов, Ерошин, Таращанский, Чистяков

МПК: B28D 7/04

Метки: монокристаллов, резки

...15 20 25 30 35 40 45 50 55 чтобы происходил процесс резания, нужно,чтобы вектор Чп был направлен к центру режущей кромки отрезного круга. Это является необходимым условием непрерывного контакта режущей кромки с монокристаллом. Из схемы (фиг. 1 э) видно, что это услобранном положительном направлении вектора Ч сверху вниз возможно такое соотношение между скоростями Ч и х, что суммарный вектор Ч пройдет над касательной т - т и вектор Чп изменит свое направление, т.е, произойдет отрыв режущей кромки от монокристалла.Отрыва не произойдет, если вершина режущей кромки 02 в момент реверса будет находиться на поверхности резания, т.е. на дуге ВС (фиг. 2), В этом случае при любом соотношении между векторами Ч и х проекция Чп направлена к центру...

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....

Номер патента: 864847

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...обеспечение контроля структурного совераенства растущего кристалла и повыщейие за счет этого выхода крупных кристаллов беэ дефектов.Цель достигается тем, что в устройстве для Выращивания монокристаллов 35 из расплава, содержащем держатель затравки, механизм. перемещения кристалла, пьезоэлектрический преобразователь, соединенный с одной стороны сзатравкой, а с другой стороны с блоком преобразования и измерения импульсов, пьезоэлектрический преобразователь соединен с затравкой или держателем затравки через волновод и.снабжен средством для охлаждения, выполненным в виде радиационных экранов . и холодильника,.и кинематицески связанным с механизмом перемещения кристалла,. Иа чертеже изображена схема устройства.Здесь нагреватель 1, расплав 2,...

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Асалханов, Дашанимаев, Желаев

МПК: B28D 5/04

Метки: вакуумного, монокристаллов, полупроводниковых, скола

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...

Номер патента: 1701756

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Демьянец, Косова

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, нефелина

...автоклава, в верхней его части (высотой 20 мм) наблюдается даже при минимальном ЛТ (10 С) значительное образование спонтанных кристаллов нефелина, вплоть до образования "крыши", толщиной 5 - 7 мм. Границы интервала концентраций также определяются, с одной стороны (ниже 3 мас.%), низкими скоростями роста, с другой (выше 17 мас.) - образованием спонтанных кристаллов гидроканкринита, нефелина или содалита, в зависимости от температуры.При проведении процесса в растворах йаОН (С 1 чаон 3 - 17 мас.) скорость роста кристаллов низка, Урюк0,02 мм/сут, при использовании КОН образуется другая фаза - КА 31 О 4 со структурой кальсилита, При использовании смеи 3 анного раствора йаОН + КОН с объемным соотношением меньше 1:2 при тех же исходных...