Патенты с меткой «структурного»

Номер патента: 40465

Опубликовано: 31.12.1934

Автор: Сергеев

МПК: H01J 35/02

Метки: анализа, преимущественно, рентгеновская, структурного, трубка

...1 ощегосяантики тода с интенсивным водянымохлаждением.Такая трубка была построена Стрельниковым в Ха 1)ькове.Трубка Стрельникова работает напринципе ионной трубки, Фокус иа .вращающемся антикатоде перемещаетсяпо окружности диаметром около 90 лм,Шток вращгцощегося ацтикатода, черезкоторый подается Ох)ажла)ощая вола,введен в трубку нц специальном сильциковом уплотнении. По давным авторатрубка выдерживает длительные нагрузки до 200 шА, Недостатком трубкиСтрельникова является Общий для всехионных трубок 11 елостаток; необходимос 1 ь длительной тренировки трубки. для дости)кения более менее спокойной работы ца требуемой мощности изатруднительность регулировки мощности, Эти недостатки особенно сильносказываются при повышении мощноститрубки...

Номер патента: 101297

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Химченко

МПК: G01N 29/20

Метки: анализа, металлов, структурного, ультразвукового

...на испытуемых изделиях, припостоянном коэффициенте усиления.Предлагаемый способ основан наопределении относительного рассеяния (поглощения) ультразвуковыхволн в толще металла в зависимостиот частоты посылаемых в металлультразвуковых колебаний.В качестве показателей степенирассеяния принимаются отношенияамплитуд донных сигналов при прозвучивании.металла на разных частотах ультразвука при постоянномкоэффициенте усиления,В качестве источника ультразвуковых колебаний н индикатора для определения структурных коэффициентов может быть использован ультразвуковой прибор, построенный по принципу ультразвукового дефектоскопа с частотами ультразвука 0,35; 0,7; 1,4 и 2,8 д)гг)4, что делает возможным определение размеров графитных включений...

Номер патента: 107857

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Игнатьев

МПК: G01N 23/207, H01J 47/00, H01J 49/02 ...

Метки: анализа, дифференциальный, рентгене, структурного, счетчик

...чертеже схематически изображено устройство описываемого счетчика в двух проекциях. Счетчик состоит из двух рядом расположенных счетчиков, заключенных в общий корпус 1, Корпусы каждого из этих СМЕЖНЫХ Ст 1 ЕТЧИКОВ, ПРЕДСТВВЛЯЮЦИХ собой катодь. 2, соединены вместе, а НИтц (аНОДЫ) 3 ПОСЛС СООтВЕтетВУО- щих усилителей и интегрирующих схем сосдинены дифференциальной схемой. Гальванометр, включенный в эту схему, показываст разность импу;1 ьсов двух счетчиков. Металлический клин 4. установленный В виде промекуто но стенки между газоВъ Иространствамн двух счет 1 иков, является поглотнтелсм рентгеновских лучей. Острие клина, расположенное против окна 5 для входа рентгеновских лучей, направлено к исследуемому образцу и делит рентгеновскую...

Номер патента: 116717

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Остапченко, Решетников

МПК: H01J 35/06

Метки: анализа, разборная, рентгеновская, структурного, трубка, электронная

...корпусу снизу шестью винтами через металлическую прокладку 13. К аноду припаивается пластинка материала. излучение которого требуется в данном конкретном случае. Охлаждение анода производится проточной водой, поступающей по патрубку И.Стеклянный изолятор трубки 16 соединен через коваровые стаканчики 17 с двумя фланцами 16. С помощью одного фланца изолятор со членяется с корпусом трубки, а второй фланец через резиновую про" кладку 18 сочленяется с катодным блоком рентгеновской трубки 19, крепление которого осуществляется с помощью шести винтов 21 через116717керамические втулки 20, обеспечивающие электрическую изоляцию полюсов накала трубки, Накал трубки и высокое напряжение подаются через винты 21 и 22,В нижней части катодного блока...

Номер патента: 147475

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Скрыпник

МПК: A22C 11/00, A22C 5/00

Метки: агрегат, приготовления, структурного, фарша

...для сыпучих компонентов и специй; дозаторы 4 для жидких компонентов с общим сборным локоми присоедиеным к нему насосом 6 для подачи смеси жидких и сыпучих компонентов по трубопроводу 7 в смеситель; приводную коробку 8 с вариатором скоростей, снабженную регуляторами 9 подачи доз мяса к дозаторам 1 и клапан- ными регуляторами 10 - к дозаторам 2, Последние работают под вакуумом от вакуум-насоса 11 с воздуховодом 12.К дозаторам для мяса присоединен сборник-питатель И для подачи мяса и смеси сыпучих и жидких компонентов в лопастной смеси- тель и вакуумный шприц, смонтированные в общем корпусе 14.Привод отдельных видов оборудования осуществляется от электродвигателя вакуумного шприца (на чертеже не показан) путем последовательного соосного...

Номер патента: 168801

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Иоффе, Легонькова, Николаенко, Предпри, Технике, Фридман

МПК: H01J 35/12

Метки: fckaib, tjino-i, анализаti, рентгеновская, структурного, тгнаii, трубка

...В корпусе сделаны окна 3 для выхода рентгеновского излучения, закрытые прозрачным для мягких рентгеновских лучей материалом, например бериллием.Катод 4 трубки и колба б аналогичны приме няемым в существующих трубках для структурного анализа. В торце корпуса выточена охлаждаемая полость Б, закрытая вкладышем б с фигурным выступом 7. Между фигурным выступом вкладыша и тыльной стороной ано да предусмотрен зазор, в котором охлаждающая жидкость делает резкий поворот, создавая при этом около анодного зеркала турбулентное движение жидкости, Охлаждающая жидкость подводится и отводится через пат рубки 8, впаянные в каналы корпуса. Направление потока жидкости указано стрелками.Такая конструкция позволяет уменьшитьрасстояние между торцом...

Номер патента: 356658

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Егоров, Ордена, Телемеханики

МПК: G06G 7/62

Метки: моделированияавтоматов, структурного

...и, следовательно, п-разрядцые коды могут быть произвольными, то каскад на п элементах может моделировать автомат, заданный произвольным п-вершицным графом, в том числе и полным. Можно показать, что верхняя оценка объема памяти программного блока 3, обеспечивающего воспроизведение на и элементах 1 произвольного и-вершинного графа степени Р или его любого подграфа, составляет 1 мак: п 1 щ 2 - + 1 (бит ) и не может быть улучшена. Вторая грудпа кодов состоит из од,М)кодов, где )М( - число функций в наборе ср. Назначение этих кодов состоит в том, чтобы настраивать каждый элемент 1 г каскада на реализацию одной (любой) функции из ср. При реализации каждого конкретного автомата соответствующие коды второй группы постоянно (не меняясь)...

Номер патента: 379863

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Попов

МПК: G01N 27/72

Метки: рассортировки, структурного, ферромагнитных

...низшую гармонику,Контроль совпадения импульсов производится визуально с помощью световых индикаторов 25, расположенных на специальном табло.При временном совпадении импульсов схема совпадения, подключенная к группе дискриминаторов, пропускает импульсы опознания с частотой повторения, равной частоте высшей гармоники. Выходы каждой схемы совпадения подключены к входам накопителей 2 б - 28 импульсов. С накопителей импульсов сигналы подаются на входы ячеек30 - 32 оперативной памяти, а с их выходов - на входы цепей управления механизмами 37 - 39 рассортировки.Накопители импульсов предназначены для предотвращения ложных срабатываний механизмов рассортировки при кратковременных пропаданиях сигналов, несущих информацию. Потеря информации может...

Номер патента: 441494

Опубликовано: 30.08.1974

Автор: Мирлин

МПК: G01N 25/02

Метки: анализа, металлов, структурного

...1 ли на термографическом иэображении зти участки более светлые. таким образом,при чернобелом изображении по степени почернения участков можно оценивать физические свойства объекта.При цветном изображении могут быть выявле-, ны изотВРмы на Объекте и по различ" ному цвет-локальное распределение температуры на участках поверхности объекта. Полученное фотоизображение может быть затем увеличено обычными фотоспособами до необходимой величины кратно по отношению к объекту.Электрический ток может бытьподведен к объекту двумя электрода 1 о .ми,расположенными на некотором расстоянии один от другого со стороны излучаемой поверхности. Благодаря одностороннему подводу тока он проходит только в поверхностном слое, 15 что уменьшает общий нагрев...

Номер патента: 455397

Опубликовано: 30.12.1974

Автор: Лифшиц

МПК: H01J 35/08

Метки: анализа, рентгеновская, структурного, трубка

...рентгеновских трубок для структурного анализа с неподвижным фокусным пятном.В известных конструкциях рентгеновских трубок для получения заданных размеров и формы фокусного пятна обычно применяется фокусирующий электрод.Однако неточное изготовление катодного узла изместных запаянных трубок приводит к изменению формы и размеров фокусного пятна. Кроме того, поскольку размер зеркала анода превышает сечение пучка электронов, вторичные электроны приводят к появлению афокального характеристического излучения.Цель изобретения - обеспечение заданной конфигурации области испускания рентгеновского характеристического излучения и устранение афокального характеристического излучения той же длины волны.Цель достигается тем, что зеркало анода...

Номер патента: 474733

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Нечаева, Паламарчук, Сявцилло

МПК: G01N 31/06

Метки: кремний, органических, соединений, состава, структурного

...при нагревании с последующими количественным анализом продуктов разложения методом газо-жидкостной хро О ватографии и определением .на основе результатов анализа структурного состава анализи,руемого вещества известным способом. Однако сложный состав разлагающего реагезта ограничивает область;рименения способа и 15 усложняет анализ, вынуждая проводить разложение образца в выносном реакторе.С целью расширения области применения способа и улрощения анализа, предлагается способ определения структурного состава 20 кремнийорганических соединений, основанный на применении,в качестве разлагающего реатента б ифтор ида н атрия.П р и,м е р. В реактор-дозатор помещают 2 лг анализируемого вещества и 7 мг бифто .рида натрия. Реактор-дозатор...

Номер патента: 499524

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Рупасов, Рупасова, Шапошников

МПК: G01N 27/00

Метки: почвы, состояния, структурного

...измерения трещннообразования подрезаемсго пласта псчвы, как функцииструктурного состояния.Цель изобретения - обеспечение возможности измерения трещинообразования подрезаемото пласта почвы.Это достигается тем, что один из электродовдатчика выполнен в виде почворежущего органа, например лемеха плуга, а второй электрод установлен на нем в зоне перегиба.На чертеже схематично изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит электрод 1, выполненвый в виде почворежущего органа, электрод 252, установленный на нем в зоне перегиба через электроизолирующую прокладку 3 и регистрирующую схему 4 с источником питания,Работает устройство следующим образом, При своем движении почворежущнй электрод 1 подрезает пласт почвы, заставляя его...

Номер патента: 553521

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Водовозов, Миненко, Раздольский

МПК: G01N 11/08

Метки: жидкости, изменения, состояния, степени, структурного

...1).Однако этот способ весьма трудоемок,Известен способ определения стспени изменения структурного состояния жидкости поистечению из капилляра при постоянном давлении 21,Согласно этому способу жидкость послемагнитной обработки через ряд промекуточных емкостей поступает в капилляр, выходное отверстие которого помещено между полюсами магнита, и под действием магнитногополя и постоянного давления, обеспечиваемого уравнительной колонкой, по каплям вытекает из капилляра,7 (51) М, Кл,2 б 011 Ч 11/О553521 гооо ьооо оооо илраьРиьЮгщь агюиююа:а Фиг гог 1 Целью изобретения является упрощение и повышение точности определения степени изменения структурного состояния жидкости,Достигается указанная цель за счет того, что истечение струи...

Номер патента: 581214

Опубликовано: 25.11.1977

Автор: Файбишенко

МПК: E04B 1/58

Метки: покрытия, строительный, структурного, элемент

...Вариант крепгсцц 5 к стен к( мтавра и боковойвсрхностц лсс)цць )Сбср жесткости, параггегьгьх ш)лка) двутцра, что обеспечивает,нсл:( снццссущей с:особности строцтельцог з "ем(ч:та,1 а (1)ц. 1 зебр( жсн Бд Од(БОГО:(3 (ццОВэлсменга с;рук.урного;скрытия; ца фцг. 2 - раз:)с ца фиг. 1; ца с)ц. 3 - Бц, ОднОГО из к цщОБ, гс",:(:5 с Осбрами жесткости; ца О фц"1 - разрс; Б -- Б а фцг. 3.сгг 1)интел,:и злсмсп стр) ктурцого покрытя состоит :.3 стерн(ня 1 двутаВрОВОГО цр(филя и цргсрецгсннь: к его торцм ластин 2 с ОтВсрстц 5 и. с) (аж,сОе из ОтВерстиЙ ста НОВ ец збо т 3 с гайкой 4. Болт и аЙка сосдцсц мсждм сОООЙ ц: цгц(ОЙ б, Бс Блецной Б скВО; - нос отве;)стце бо.те 3 ц прорезь 6 В гайкс 4. ОЛТ; сц пря бцость бытьрового Б (СС С ;ОГ(,Ь- ссчсцц...

Номер патента: 679867

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Глинкин, Закиров, Карамышев, Коновалов, Штейнберг

МПК: G01N 29/04

Метки: состояния, структурного, ультразвукового

...на тактирующий вход блока 6 управления, сигналы знака коррекции на выходе 25 отсутствуют и эталонная частота поступает непосредственно в реверсивный счетчик 22, работающий в режиме вычитания. При этом возможны два случая: число й равное числу импульсов эталонной: частоты, поступивших за время Т,5 в реверсивный счетчик 22, меньше или больше емкости счетчика, В первом случае число в реверсивном счетчике 22, за.6798675 6фиксированное в момент окончания интервала 21 коррекцш добавляется число импульсоввремени Т, равно М Ч,1, и число, зафиксированное в счетчикек =а"-ы 22 в момент окончания интервала времени Тк11Чгде а ". - емкость реверсивного счетчика;равно его емкости аЕсли же число И, меньше числа М то число,сь - число аз ядов,...

Номер патента: 692834

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Власова, Кузнецов, Маслош, Мякухина, Попенко, Радченко

МПК: C07D 251/46

Метки: антрахинониламинотриазинов, качестве, компонента, красящего, меркаптопроизводные, окрашивания, резин, структурного

...равна 466,Элементный анализ полученного продукта,%:Вычислено: 56,40 Вычислено: 56,82 2,52 15,17 8,68 9,58 СН 9 М 4 ВС Ог2,45 15,22 8;60 970 25Найдено: 56,56 Найдено: 56,50 2,78 15,18 17,4 отсутствует П р и м е р 2, 2-Хлор-меркапто.6-(1-аминоантрахинонил) -1,3,5-триазин.В трехгорлую колбу, снабженную мешал.кой, термометром и обратным холодильни.ком, загружают 250 мл воды, 12 г 12,4-дихлор.6- (1-антрахинониламино) -1,3,5-триази.на, 200 мл насьпценного раствора сульфиданатрия (Наг 5). Реакционную массу нагревают до 100 С и выдерживают при этой температуре в течение 7 час. Полученный продуктотфильтровывают, промывают водой и сушатпри температуре - 110 С. Получают 7,55 г(63%) порошкообразного вещества желтогоцвета,...

Номер патента: 855457

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Адонин, Батурин, Михайлов, Титов, Фокин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...излучения, кристалл-монохроматор 2, коллиматор 3, исследуемый,монокристалл 4, установленный н держателе с гониометрическим устройством (не показаны), детектор 5 рентгеновского излучения, оптический детектор б, прерыватели 7 и 8, первый из которых установлен на пути падающего на исследуемый монокристалл 4 рентгеновского пучка, а второй установлен на пути люминесцентного излучения исследуемого монокристалла, идущего на оптический детектор б, Прерыватели 7 и 8 выполнены н виде дисков, синхронно вращающихся от привода 9, и снабжены отнерстиями (или системами отверстий) 10 и 11.Устройство работает следующимобразом.Монохроматизиронанный коллимиронанный пучок рентгеновского излучения падает на исследуемый монокристалл 4 под бреггонским...

Номер патента: 894500

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Александров, Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Лобанович, Фалеев

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристалла, поверхностного, слоя, совершенства, структурного

...с энергией25 кэВ при дозах 3,110 см- и6,210"ф см . Измерения производились на трехкристальном спектрометре при использовании СцК,- излучения и симметричного отражения типа (Ш),На Фиг.б показана серия спектровкремния облученного ионами бора сдозой 3,1 10" см-, а на фиг.7представлены хвосты двухкристальной кривой отражения от этого кристалла, причем пунктиром показанакривая отражения до облучения. Изфиг,7 видно, что при углах, меньшихбрегговского, появляется дополнительная область днфракции, тогда какс другой стороны кривая отраженияпрактически совпадает с кривой от"ражения ненарушенного кристалла.Этот факт находит четкое выражениев трехкрнстальных кривых, полученных предлагаемым способом, При по"вороте кристалла в сторону большихуглов...

Номер патента: 894502

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Суходольский, Шилин

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного

...на собственном поворотном держа" теле 13, установленном на держателе 8.Все держатели 3, 5, 8, 13 снабжены, как это принято в дифрактометричес- фо кой аппаратуре, средствами юстировки кристаллов путем их перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, как зто, например, реализовано в известном устройстве, 65 Спектрометр работает следующим образом.Рентгеновский пучок от стационарного источника 1 падает на первый кристалл-монохроматор 2, установленный в отражающее положение, например, с помощью детектора (не показан), Отраженный от кристалла-монохроматора 2 рентгеновский пучок падает на воторой кристалл-монохроматор 4,установленный параллельно монохроматору 2 с помощью поворотной платформы 6 и поворотного держателя 5. При этом...

Номер патента: 898302

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин, Якимов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного

...содержит стационарный источник рентгеновского излучения 1, первый кристаллмонохроматор 2, установленный в поворотном держателе 3, второй кристалл-монохроматор 4, установленный в поворотном держателе 5, который расположен на поворотной платформе 6, Исследуемый монокристалл 7 установлен в поворотном держателе 8, когорый расположен на второй поворотной платформе 9, Оси поворотов платформ б и 9 совпадают с осью поворотадержателя 3 первого кристалла-монохроматора 2, Дифрагированное исследуемым монокристаллом 7 излучение регистрируют детектором 10, который установлен с возможностью поворота относительно оси поворота держателя 8 исследуемого монокристалла 7 В спектрометр могут быть введены дополнительные детекторы для целейнастроики...

Номер патента: 935759

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Адамян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/205

Метки: исследования, монокристаллов, пьезоэлектрических, совершенства, структурного

...топограмму получают в условиях воздействия на исследуемый монокристалл постоянного электростатического поля.На чертеже показана схема получения рентгеновской топограммы методомЛанга..Рентгеновский пучок 1, прошедшийчерез коллимирующие щели 2, падает35под брегговским углом на исследуемый пьезоэлектрический монокристалл3 с косым срезом, помещенный междупрозрачными для рентгеновского излу 40чения обкладками конденсатора 4, накоторые подается постоянное напряжение от источника (не показан), Прошедший через коллимационную щель 5,задерживающую также первичный пучок1, дифрагированный пучок 6 рентгенов 45ского излучения попадает на рентгеновскую пленку 7 Монокристалл 3 ипленка 7 во время съемки топограммысовершают...

Номер патента: 957077

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Безирганян, Кочарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...ленточный пучок 1 рентгеновского излучения направляют под углом Вульфа-. Брэгга на плоский монокристалл 2. Дифрагированный. монокристаллом 2 пучок 3 рентгеновского излучения падает на клиновидный монокристалл 4. Монокристаллы 2 и 4 установлены на независимых осях поворота (не пока заны)двухкристалльного спектрометра. Дифрагированные клиновидным моно- кристаллом 4 пучки 5 и б регистрируют с помощью рентгеновской пленки. При наличии разориентации монокристаллов 2 и 4 в дифракционной картине присутствует картина муара с маятниковыми полосами.В случае идеальных кристаллов (не имеющих решеточных поворотов, растяжений и сжатий) вершины маятниковых полос должны быть расположены на центральной линии 00 отраженного от системы пучка, так...

Номер патента: 1035489

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Аветисян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...причем рентгеновский пучок направляют под угломВульфа-Брэгга к выбранной системе кристаллографических плоскостей идеального монокристалла и регистрируютдифракционную картину за исследуемым монокристаллом, по которой судят о его структурном совершенстве Г 23В известном способе повышение чувствительности достигается за счетдифракционного увеличения получаемойдифракционной картины эа исследуемым объектом ( монокристаллом) с помощью более. толстого совершенногомонокристалла.Однако известный способ не позволяет исследовать незначительные нарушения кристаллической решетки исследуемого монокристалла.Цель изобретения - повышение чувствительности способа,Поставленная цель достигается тем,что согласно способу исследованияструктурного...

Номер патента: 1048441

Опубликовано: 15.10.1983

Автор: Черных

МПК: G01V 9/00

Метки: глубинного, ископаемых, картирования, обнаружения, объектов, полезных, скрытых, структурного, структурных, целевых

...под глубокое бурение при нефтегазопоисковых работах, в частности, не подменяя обязательной сейсморазведки, локализуют последнюю непосред-, ственно на целевые объекты, сокращая объемы пустых проф:Фей и т.д.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу глубинного структурного картирования, обнаружения и измерения скрытых структурных целевых объектов и полезных ископаемых, включающему глубинно геологицеско картирование деформированных комплексов, измеряют вдоль различных направлений в естественных координа" тах деформографические характеристикикривизны, по меньшей мере, однойбазовой структурной поверхности:радиусы и центры кривизны, выпуклостьнаправления монотонных уменьшенийзначений радиусов и скорость их 5изменений - и в...

Номер патента: 1133520

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Асланян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/20

Метки: варианты, его, исследования, монокристаллов, рентгенографический, совершенства, структурного

...дифракцию лентообраэного падающего пучка на ступенчатый кристалл в двух случаях: первичный пучок падает с 1 О гладкой стороны монокристалла (фиг.1), первичный пучок падает со ступенча- той стороны монокристалла (фиг. 2). При лентообразном падающем пучке 15поперечное сечение пучков, дифрагированных в ступенчатых мозаичных и со,вершенных монокристаллах, будетиметь вид, показанный на фиг. 5-12,где обозначены . ступенчатый моно Окристалл 1, первичный пучок 2, поперечное сечение 3 дифрагированногопучка, когда первичный пучок падаетс гладкой стороны, поперечное сечение 4 дифрагированного пучка, когда 25первичный пучок падает со- ступенчатойстороны,Поперечные сечения пучков, дифрагироваиных в мозаичных и совершенных монокристаллах,...

Номер патента: 1173278

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких

...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...

Номер патента: 1185220

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Летуновский, Федоров

МПК: G01N 29/00

Метки: анализа, структурного, ультразвукового

...частоте возбуждают импульс ультразвуковой плоской волны, Принимают этот импульс после прохождения образца и измеряют амплитуду принятого сигнала. По измеренной амплитуде определяют коэффициент затухания ультразвуковых волн, например, методом сравнения экспоненты с огибающей эхоимпульсов на экране осциллографа. Затухание импульса плоской волны обусловлено геометрическим рассеянием и поглощением. Коэффициент затухания в этом случае определяется 25 между плоскопараллельными поверхностями в начальный период времени прихода эхоимпульсов, когда геометрически рассеянные волны в виде структурных помех не оказывают су- З 0 щественного влияния на амплитуду принятых эхоимпульсов, Затем в том же образце на той же частоте возбуждают импульс...

Номер патента: 1255906

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Гуреев, Даценко, Кисловский, Кладько, Низкова, Прокопенко, Скороход, Хрупа

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...исследуемого кристалла, позволяет использовать немонохромати 906 4участвует в Формировании дпфрагированных пучков с интенсивностями 1э 1и 1соответственно в эталонном иисследуемых образцах, а также неизвестную аппаратурную функциюи, которая оказывается практически одинаковой в эталонном и исследуемом образцах. Измерить для каждой 1 величину 11 в первичном пучке гри наличии падающего полихроматическогопучка с расходимостью к 8, значительно превышающей область углов интерференции исследуемого кристалла,не представляется возможным,Использование в качестве падающего первичного пучка рентгеновскихлучей немонохроматизированного излучения непосредственно от источникасущественно упрощает схему измерений. В этом случае полностью...

Номер патента: 1272196

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Виноградов, Гасанлы, Мельник, Тагиров

МПК: G01N 21/65

Метки: кристаллов, перехода, структурного, точки, фазового

...помещаютв ячейку 2 высокого давления. Затемв бомбе 3 постепенно увеличиваютдавление при его значении ниже давления,структурного перехода и прикаждой величине приложенного давления кристалл 1 освещают монохроматическим излучением 4 криптононоголазера .через окно 5. Рассеянный свет 6собирают оптической системой 7 сборарассеянного излучения и направляютн спектрометр 8, где и анализируютрассеянный свет,Анализ н спектрометре включаетвыделение односимметричных линий спектра, что осуществляют любым известным способом, например фильтрованием.По мере повьппения давления следят эавзаимным расположением выделенных однОсимметричных линий до появления устойчивого сближения этих выделенныхлиний. И н этом интервале устойчивого сближекия определяют...

Номер патента: 1341528

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Беляевская, Звягин

МПК: G01N 1/28

Метки: изучения, минералов, подготовки, последующего, разбухающих, слоистых, структурного, электронографического

...керамика и т.д.).Целью изобретения является обеспечение изучения 10-20 мг образца, упрощение и ускорение процесса за счет исключения отмывки от калийсодержа щего раствора и раэмачивания.П р и м е р 1. 10 мг порошка изучаемого вещества асканита помещают на предметное стекло, затем на него наносят каплю 0,01 н. раствора КОН 20ои высушивают при 100 С, Высыхание определяют визуально. Всего проводят 75 циклов размачивания-высушивания в течении 1,5 ч.На электронограмме от подготов ленного образца асканита появились дискретные рефлексы. С использованием этих рефлексов и учетом распределения интенсивностей выявляют специфику структуры асканита. 30П р и м е р 2. 5 мг порошка изучаемого вещества нонтронита помещают на предметное стекло,...