Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1482034

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Бушуева, Зверева, Петров

МПК: B24B 1/00

Метки: монокристаллов, сферических, феррограната

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕРИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФЕРРОГРАНАТА, при котором из монокристаллов вырезают кубические заготовки, придают им сферическую форму, шлифуют сферическую поверхность в несколько этапов и полируют на вращающемся инструменте абразивом с размером зерна 10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий из иттриевого феррограната за счет обеспечения оптимальной ширины и однородности кривой ферромагнитного резонанса, полирование ведут в течение 15 2 мин со скоростью инструмента 8000 1000 об/мин, после чего изделие подвергают термической обработке при 1100

Номер патента: 1450612

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Бушуева, Петров, Шильников

МПК: G01R 33/12

Метки: монокристаллов, разбраковки, феррогранатов

СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий воздействие на монокристалл постоянным насыщающим магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, на монокристалл поочередно воздействуют постоянным насыщающим магнитным полем в трех взаимно перпендикулярных направлениях, после каждого воздействия монокристалл удаляют из области действия постоянного насыщающего магнитного поля и измеряют изменение напряженности постоянного насыщающего магнитного поля, а годность монокристалла определяют из условийC

Номер патента: 1788700

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

...способа синтеза с помощью варьирования охлаждения АВД желательно проводить при наличии дополнительного источника тепла 5 или 6.Например, пусть система нагрева состоит из трубчатого нагревателя 4 и дополнительного источника тепла 5.В начальный момент синтеза мощность дополнительного источника тепла 5 равна нулю, а по полым пальцам 13 и 14 протекает вода обычной температуры 20 С.В процессе роста алмаза, когда перепад температуры между источником углерода 1 и поверхностью растущего монокристалла 15 уменьшается, увеличивают мощность нагрева дополнительного источника тепла 5, что ведет к увеличению температуры у источника углерода 1, и одновременно увеличивают интенсивность теплоотвода от реакционной ячейки со стороны растущего...

Номер патента: 1771147

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Дехтяр, Задерий, Карасевская, Кобяков, Кононенко, Котенко, Народенко

МПК: B23K 15/00

Метки: металлов, монокристаллов, сварки, стыковой, тугоплавких, электронно-лучевой

СПОСОБ СТЫКОВОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ СВАРКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ в вакууме с предварительным подогревом, при котором свариваемые монокристаллы состыковывают по идентичным кристаллографическим плоскостям, отличающийся тем, что, с целью создания монокристаллических объектов с моногранной поверхностью путем оптимизации условий кристаллизации и повышения степени совершенства тонкой структуры сварного шва, предварительно определяют наиболее плотноупакованную кристаллографическую плоскость, совмещают указанную плоскость с плоскостью стыка, луч наводят на стык, после чего осуществляют сварку и формируют шов равной ширины с лицевой и корневой стороны соединения, а температуру подогрева выбирают от 0,6 до 0,8 температуры начала...

Номер патента: 1771214

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Потапенко, Рубаха

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани, отличающийся тем, что, с целью снижения отходов, в качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в начале процесса визуально контролируют возникновение в растущем кристалле источника центра образования дефектов, который удаляют на всю толщину затравки.

Номер патента: 955741

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ершов, Кацман

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения:

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1814332

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Васильев, Волков, Каргин, Скориков, Щенев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Метки: монокристаллов, оксидов, сращивания

...предварительно наВ 1 г 4 ВгОз 9, или В 11 оСбз 01 в или т,п,) толщи"ной -0,1 мм. Сверху накладывают вторуюмонокристаллическую пластину и устанавливают их в держателе в печь, Печь нагрева 5 ют до 770 - 780 С, т,е. до температуры на10-15 выше температуры плавления нанесенного поликристаллического слоя. Скорость нагрева 50 - 100 град/ч. После выдержкив течение 10-30 мин при конечной темпера 10 1 уре печь охлаждают со скоростью 50 - 100град/ч. Таким образом, получают необходимые монокристаллические элементы требуемого размера,П р и м е р 1, Берут монокрирталличе 15 ские пластины (ВЯО, В 60 или ВТО) размером 30 х 70 (40 х 80) ммг и толщиной 2 - 5 мм.На боковую сторону одной из пластин предварительно наносят равномерный слой порошка...

Номер патента: 1266248

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Каргин, Кожбахтеев, Марин, Нефедов, Скориков

МПК: C30B 29/32, C30B 7/10

Метки: ge3o4)3, висмута, монокристаллов, ортогерманата

Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, включающий синтез из исходных оксида висмута (III) и оксида германия (IV), расплавление полученной шихты и выращивание монокристаллов направленной кристаллизацией на ориентированную затравку, отличающийся тем, что, с целью упрощения, интенсификации и удешевления процесса при сохранении сцинтилляционных характеристик монокристаллов, синтез проводят гидротермальным методом в 3 7,5% -ном растворе фтористого аммония при следующем соотношении исходных оксидов, мол.Оксид висмута (III) 30 45Оксид германия (IV) 55 70

Номер патента: 1823537

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Трейвус

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: монокристаллов, мочевины

...кристачлизатор ставят в термостат, который имеет температуру ниже температуры насыщения раствора. После снижения температуры раствора ниже температуры насыщения ндчиндется рост кристалла,3. Периодически или непрерывно (с помошью автоматического устройства) снижают температуру термостата.Примеры осуществления способа, 1, Для приготовления раствора использова 1 и однократно перекристаллизованную мочевину марки "да", истертую в ступке и просушенную в течение двух месяцев при 50 С, и стандартный Я-метилформамид.2, Взяли навеску мочевины, приготовленной описанным в п.1 способом, в количестве 47 г, что соответству ет концентрации насыщения раствора в 100 мл Х-метилформамида при 28 С и растворили в указанном количестве Х-метилформамида при 30...

Номер патента: 1279277

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Колесников, Кулаков, Савченко

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/50 ...

Метки: монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.

Номер патента: 917574

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Степанова, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее герметичную камеру с поддоном, тигель с расплавом, электронагреватель с шинами питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, долговечности работы установки и безопасности ее обслуживания, оно снабжено аварийным датчиком, установленным между тиглем и поддоном, ресивером с датчиком давления и реле, установленным на шинах питания, при этом аварийный датчик соединен с ресивером, а датчик давления подключен к реле.

Номер патента: 989912

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бобырь, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: ампуле, выращивания, монокристаллов, расплава

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнительного усилителя, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения воспроизводимости условий кристаллизации на начальной стадии процесса выращивания, датчик температуры верхнего нагревателя установлен в объеме верхней камеры так, чтобы выполнялись условия0,5 ...

Номер патента: 1322716

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бондарь, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая, Чернякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: cualse2, монокристаллов, соединения

Способ получения монокристаллов соединения CuAlSe2, включающий синтез сплавлением исходных элементов в тигле, помещенном в вакуумированную кварцевую ампулу, и последующую направленную кристаллизацию полученного соединения, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, их оптической однородности и стабильности на воздухе, исходные элементы берут в нестехиометрическом количестве, соответствующем составу CuxAlSey, где x 1,04 1,08, y 2,02 2,04, тигли используют из пиролитического нитрида бора, кристаллизацию проводят перемещением тигля со скоростью не более 0,3 мм/ч в вертикальной двухзонной печи с температурой в зоне расплава 1368 1448 К, с градиентом температуры на фронте кристаллизации...

Номер патента: 1619750

Опубликовано: 20.07.1997

Авторы: Зайцева, Пономарев, Рашкович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, кдр, монокристаллов, типа

...кристалла, г;У - объем кристалла, см ; р - плотность кристалла г/см ;з,Рр и Рс - исходные веса раствора и солисоответственно, г;СО=а+ЬТ - разновесная концентрация притемпературе Т, г соли/г раствора.Для КДР а=0,799 гс/гр-ра Ь 0,00335гс/гр-рфК; р = 2,338 г/см3Для ДКДР (Х=0,9) а=0,844 гс/гр-ра,Ь=0,0037 гс/гр рафК; р = 2,356 г/смзОбъем кристалла в момент измерения 1вычисляется по его размерам, определяемымс помощью ортогональной сетки на платформе и катетометра. На следующий отрезоквремени Л 1 (например, сутки), зная скоростьроста 2., можно вычислить предполагаемыйобьем У и из уравненияА ехр(В/Т )-(Р -Ч р)Г(а+ЬТ )(Р -Ч р)+1 = О,(3)получить температуру Т, до которой нужно снизить температуру для роста кристалла с Копз 1 за время Л 1,...

Номер патента: 1122012

Опубликовано: 20.10.1997

Авторы: Будаковский, Иванов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на расстоянии 0,4 0,8 ее диаметра от дна кожуха, а отношение ее диаметра к диаметру кожуха 0,8 0,95.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что кожух вакуумирован.

Номер патента: 1037773

Опубликовано: 20.06.1998

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: G01T 1/202

Метки: n-терфенила, детекторов, монокристаллов, основе, стильбена, сцинтилляционных

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов п-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до +60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в течение 3 - 5 ч с последующим охлаждением со скоростью 1 - 2 град/мин до комнатной температуры.

Номер патента: 1367547

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Васильев, Карпов, Колесникова, Смольская

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: иодидов, металлов, монокристаллов, щелочных

Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного материала в ампулу, его дегидратацию в вакууме, плавление и направленную кристаллизацию в присутствии добавки таллия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости монокристаллов при сохранении оптимальной концентрации рабочих центров, в исходный материал дополнительно вводят иодистый аммоний в количестве 0,1 - 0,5 мас.%.

Номер патента: 1589688

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Вааг, Карпов, Лызганов, Самбуева, Смольская, Юрьева

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, калия, монокристаллов, хлористого

Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в количестве 0,02 - 0,10 мас.%.

Номер патента: 1595023

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Киселева, Крутова, Пензина, Письменный, Попов, Сандуленко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/28

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, монокристаллов, основе

Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 ...

Номер патента: 1529777

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Дмитриев, Зуев, Кащеев, Кийко, Макурин, Перепилицын

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: бериллия, выращивания, монокристаллов, оксида, шихта

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%:Be(OH)2 - 66,7 - 71,5BeСО3 - 28,5 - 33,3и в количестве 16 - 24 мас.% по отношению к растворителю, соотношение компонентов в котором равно, мас.%:V2O5 - 60 - 70PbF2 - 30 - 40

Номер патента: 988008

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Васильев, Дранкин, Жвирблянский

МПК: C30B 15/02

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной...

Номер патента: 703936

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Волков, Докучаев, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Кокшаров, Фотиев

МПК: C30B 29/32, C30B 9/14

Метки: бронз, вольфрамовых, монокристаллов

Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз для активных элементов датчиков рН птуем электролиза расплава смеси вольфрамового ангидрида и вольфрамата натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения верхнего предела измерения рН щелочных сред, в расплав за 3 - 5 мин до окончания электролиза вводят вольфрамат лития в количестве 30 - 40 вес.% или вольфрамат магния в количестве 10 - 15 вес.%.

Номер патента: 421229

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Калиев, Комаров, Скиба, Смирнов, Тарасова, Тетерев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/14

Метки: двуокиси, монокристаллов, урана

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не более 10-3см2 при 400 - 450oС и скорости нарастания тока 0,2 - 0,3 мА/ч.

Номер патента: 710128

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Фрейман

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава, содержащее герметичную камеру с отверстием в верхней стенке, втулку, установленную в отверстии и соединенную с приводом вращения, тигель, расположенный в полости камеры по оси втулки, затравкодержатель, подвешенный в камере над тиглем на гибкой связи, присоединенной к намоточному барабану, и привод вращения барабана, отличающееся тем, что, с целью осуществления процесса в условиях вакуума, оно дополнительно снабжено вакуумно-плотным корпусом, герметично присоединенным к втулке, барабан установлен внутри корпуса, привод его вращения укреплен на наружной поверхности корпуса и гибкая связь выполнена в виде нити.2. Устройство по...

Номер патента: 774285

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Бабенко, Барабошкин, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 7/12

Метки: монокристаллов, расплавленных, солей, электролизом

1. Способ получения монокристаллов электролизом расплавленных солей на затравочном кристалле, размещенном на катоде, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и одновременного получения множества кристаллов с идентичным составом и свойствами, в качестве катода используют пластину из индеферентного материала, на которой размещают затравочные кристаллы на расстоянии, определяемом конечными размерами получаемых монокристаллов, и процесс ведут при стационарном катодном потенциале на 3 - 10 мВ отрицательнее равновесного потенциала монокристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют катод из стеклоуглерода.

Номер патента: 978615

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бабенко, Барабошкин, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, ванадиевых, монокристаллов, оксидных

1. Способ получения монокристаллов оксидных ванадиевых бронз MxV12O30 типа , где 2 для М = Li, Na, Ag, Cu; x 1 для М = Ca, Sr, Ba и x 1,2 для М = К, кристаллизацией из расплава пятиоксида ванадия и оксидной соли металла, взятых в стехиометрическом соотношении на затравочный кристаллоксидной ванадиевой бронзы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и повышения...

Номер патента: 665425

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: выращивания, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов кислородсодержащих соединений путем электролиза расплава их солей на постоянном токе и зарождении монокристалла в капилляре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, зарождение монокристалла в капилляре ведут при плотности тока 0,2 - 1,5 А/см2 до спада катодного потенциала, а затем осуществляют выращивание монокристалла при катодном потенциале на 3 - 20 мВ отрицательнее равновесного потенциала получаемых кислородсодержащих соединений.

Номер патента: 1083840

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Богданов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллов

Способ изготовления монокристаллов твердых растворов иодат лития-иодоватая кислота наращиванием из водного насыщенного раствора, отличающийся тем, что с целью получения эпитаксиальных структур на подложках Li1-xHxIO3 X = 0,04 - 0,08 ориентаций, наращивание ведут из раствора, содержащего 2 - 26 мас.% иодноватой кислоты, при температуре 40 1oС.