Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 1138717

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гусев, Дорожкин, Комяк, Левчук, Петрашень, Чернов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционных, монокристаллов, отражение, рентгеновских, топограмм

...1 рентгеновских лучей располагается в одной плоскости с фотопластинкой 2 или дру гим регистрирующим устройством. При этом отражающие плоскости кристалла 3 должны быть параллельны,пласкОС". ти;регистрации., Во время съемки кристалл облучают расходящимся йубж рентгеновских лучей через щель 4 так, чтобы имело место одновременное отражение обеих составляющих К дуплета (3, и д ) и линейно сканируют в направлении, перпендикулярном к отражающим плоскостям. При этом как и согласно известному способу, имеет место фокусировка по длинам волн ( см, чертеж, штриховые линии А( А") и В 1,Вц) - точки на кристалле; А и В - соответствующие им точки в плоскости регистрирующего устройства ). В симметричном случае дифракции изображение всегда...

Номер патента: 1142532

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель

...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...

Номер патента: 1111515

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Атабекян, Винецкий, Геворкян, Езоян, Ерицян

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, монокристаллов

...эл/см температура 1073 К) зачастую приводят к возникновению дефектов в виде дислокационных петель из междоузельных катионов.Целью изобретения является повышение прозрачности монокристаллов вультрафиолетовой области спектра.Поставленная цель достигается тем,что в известном способе обработкимонокриста лов корунда, К -А 1 п 03включающем облучение их потокомэлектронов, обработку ведут потокомэлектронов с энергией 2 ф 10б5 10 эВ дозой 10 - 10 эл/см .Повышение прозрачности достигается благодаря тому, что при облучениикристалла малыми дозами высокоэнергетичных электронов происходит разрушение или изменение зарядового состояния структурных дефектов. Структурные дефекты, например вакансиии междоуэельные ионы, возникают впроцессе выращивания...

Номер патента: 1158909

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Аветян, Анчаракян, Аракелян, Мшецян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследований, монокристаллов, рентгенотопографических

...платформу 4, на которойустановлены источник 1 и зеркала2 и 3, держатель 5 исследуемого монокристалла 6, рентгеновский видикон 1, телевизионный тракт 8 и видеоконтрольное устройство 9, Платформа4 установлена с воэможностью линей"ного перемещения перпендикулярно коптической оси устройства, Каждоеиз зеркал 2 и 3 установлено с возможностью юстировки углового положения относительно оптической оси 1 О(направления распространения центрального луча от источника 1) и ихплоскопараллельного перемещения перпендикулярно к оптической оси 10.Механизмы для выполнения движенияплатформы 4 и зеркал 2 и 3 сами посебе общеизвестны, В качестве зеркал 2 и 3 полного внешнего отражения используют стеклянные пластины с нанесенной пленкой серебра толщиной...

Номер патента: 248637

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Либин, Носоновский, Пищик

МПК: B01J 29/16, C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...

Номер патента: 1173278

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких

...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...

Номер патента: 1176457

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Адищев, Потылицын, Хакбердиев

МПК: H05H 6/00

Метки: кристаллографических, монокристаллов, направлений

...плоскостью (см.фиг.2).В .том случае, когда ось вращения перпендикулярна пучку, искомое направление пучка совпадает с прямой соответствующей пересечению кристаллографической плоскости, в данном случае (110), с плоскостью, перпендикулярной оси вращения и про. ходящей через начальное направление пучка.Зная количество максимумов вориентационной зависимости выходаэлектромагнитного излучения, рас30 45 50 55 стояние между ними и направлениерезультирующего вектора поляризации в каждом максимуме ориентационной зависймости, можно построитьграфически систему проекций кристаллографических направления. Сравнивая стандартные проекции для различных направлений данного типарешетки с полученной системой проекций, определяют разориентацию...

Номер патента: 324781

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры

...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...

Номер патента: 1193503

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Антипов, Дрожжин, Рощупкин, Старовиков

МПК: G01N 3/08

Метки: исследования, монокристаллов, ползучести, растяжении

...способаСпособ осуществляют следующим образом. К термопаре 1, связанной с верхним захватом нагружающего уст" ройства (не показаныприклеивают, например, керамическим клеем, образец 2 монокристалла. К другому концу образца 2 приклеивают крестовину 3, за счет веса которой образец 2 нагружают рас. тяжением, К крестовине 3 прикреплено зеркальце 4, По повороту крестовины 3 с зеркальцем 4 определяют уголзакручивания образца. Нагрев образца осуществляют нагревательным устройством 5.О величине углазакручивания судят по отклонению Г светового пятна на шкале 6 от луча, посылаемого осветителем 7 и отраженного зеркальцем 4.О величине деформации растяжения судят по изменению. расстояния между термопарой 1, служащей верхним захватом,. и крестовиной 3,...

Номер патента: 1075600

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Давтян, Налбандян, Шархатунян

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: калия, монокристаллов, пентабората, травления, химического

...травление ме 34 3ханически либо химически полирован -ных пластин.,ЬЩз. МнокристаллыЬд 10 з полируют-.з ВИ, затем опускают в воду при 75 С на 3,5 с. Получалась дислокационная картина травления монокристаллов 1.д 10. Однакоприведенные составы полирующихрастворов не полируют кристаллпецтабората калия и не дают четкойизбирательной картины травления.Известен также способ выявлениядислокационной структуры, заключающийся в полировке монокристалла 25Ьд 10 в НьО + ННОЕ + К.СгО, затемв химическом травлении в НО ++ МаОН.Однако при действии указанныхсоставов полирующего и травильногорастворов на гранях монокристаллапентабората калия не наблюдаетсяэффекта полировки и травления. Кнастоящему времени составы полирую "щего и травильного...

Номер патента: 1233019

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Евграфов, Киселев, Чежин

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, рентгеновского

...углов относительного поворота. Держатель образца смонтирован на оси гониометра 6 и выполнен в виде 3 роликов с параллельными осями, перпендикулярными оси гониометра б. Ролики 7 и 8 шарнирно соединены между собой и поднружинены друг к другу посредстном пружины 9, а ролик 10 является опорным и установлен так, что его образующая в верхней точке находится выше плоскости стола 1. В столевыполнено углубление 11 цилиндрической Формы, соосное с осью гониометра 6, и в нем смонтировано на опорных подшипниках плоское кольцо 12, которое может поворачиваться вокруг оси гониометра 6 посредством прннода 13, например червячного, На верхней плоскости кольца 2 жестко закреплен тор 14, выполненный из эластичного ниометра 6 и оси 17 выведен н отражающее...

Номер патента: 1237352

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Бердин, Голубев, Круглов

МПК: B23K 20/14

Метки: давлением, металлов, монокристаллов, сварки

...дотемпературы сварки и деформируют сжатием вдоль оси до преобразования выпуклой поверхности в плоскую,Выполнение поверхностей, противоположных свариваемым, вогнутой и выпуклой в виде двух поверхностей, пересекающихся по линиям, проходящим через ось монокристаллов и параллельным плоскости единичного скольжения, с разными углами пересечения, и совмещение нормалей к плоскостям единичного скольжения обеспечивают возможность протекания деформации только за счет скольжения дислокаций по выбранным кристаллографическим системам, что позволяет расширить5 1 ц 15 М 25 30 35 4 О 45 50 4,5 допустимый интервал деформации, т.е. интенсифицировать процесс за счет активацни поверхностей вышедшими дислокациями, что повышает качество сварки,...

Номер патента: 1242384

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Бурак, Курочкин, Лысейко, Сай, Саповский

МПК: B28D 5/02

Метки: монокристаллов, ориентированной, резки

...изображен вид устройства для ориентированной резки монокристалла при расположении моно кристалла в трех взаимно перпендикулярных направлениях относительно обрабатывающего инструмента.Устройство для ориентированной реэ. ки монокристаллов содержит основа ние 1, поворотный кронштейн 2 со пиалой, держатель 3 слитка, стопорные винты 4, Фиксатор ф.Поворотный кронштейн 2 выполнен Г-образным с отверстиями 6 и 7 для 25 крепления держателя 3 слитка. Одно из отверстий 6 выполнено в вертикальной плоскости, а другое отверстие - в горизонтальной плоскости, Держатель 3 слитка выполнен в виде спутника 8, ЗО изготовленного из текстолита, и поворотного основания 9,Устройство для ориентированной резки монокристаллов работает следующим образом.Слиток...

Номер патента: 871692

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Безуглый, Бурма, Гришин, Кабанов

МПК: H01L 21/66

Метки: металлических, монокристаллов, совершенства, степени

...взаимодействуют с вызвавшим их ультразвуком. Это взаимодействие проявляется резкими пиками поглощения ультразвука на зависимости Ы (у), где о - коэффициентпоглощения ультразвука; М - угол отклонения между векторамии Н отперпендикулярности (р - волновой вектор звука, М - вектор напряженностимагнитного поля). При этом, если кристаллическая решетка образца близка к совершенной, то н а угловой зависимости Ы И) наблюдается одна пара15 пиков поглощения, расположенных посимметрично относительно направлений открытости, Если образец имеетмозаичную структуру, т,е. состоит изблоков, которые взаимно разориентиро 20 ваны на определенные углы, то на угловой зависимости Ы (%) будет наблюдаться столько пар пиков поглощения,сколько блоков попадет в...

Номер патента: 1248824

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Валинов, Гурьев, Ковалев, Коломенцев

МПК: B28D 5/04

Метки: монокристаллов

...7 выполнен приводным. В корпусе 1 вертикально ус тановлен шпиндель 9 с приводом 10 и крепежными планшайбами 11 и 12, смонтированными посредством Г-образных кронштейнов 13 и 14. На каретке 3 установлена стойка 15 с двумя по воротными дугообразными рычагами 16 и 17, уравновешенными противовесом 18. На рычагах 16 и 17 закреплены ролики 19-23 с натянутой режущей нитью 24, причем ролик 23 выполнен ЗО приводным. На рычаге 16 смонтирована капельница 25 с растворителем.В устройстве предусмотрена возможность установки кристаллодержателя 2 на шпинделе 9 для обеспе 35 чения поворота кристаллодержателя 2 вокруг вертикальной оси.Устройство работает следующим образом.Крупногабаритный монокристалл 26 иодистого натрия устанавливают в кристаллодержателе...

Номер патента: 1255906

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Гуреев, Даценко, Кисловский, Кладько, Низкова, Прокопенко, Скороход, Хрупа

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...исследуемого кристалла, позволяет использовать немонохромати 906 4участвует в Формировании дпфрагированных пучков с интенсивностями 1э 1и 1соответственно в эталонном иисследуемых образцах, а также неизвестную аппаратурную функциюи, которая оказывается практически одинаковой в эталонном и исследуемом образцах. Измерить для каждой 1 величину 11 в первичном пучке гри наличии падающего полихроматическогопучка с расходимостью к 8, значительно превышающей область углов интерференции исследуемого кристалла,не представляется возможным,Использование в качестве падающего первичного пучка рентгеновскихлучей немонохроматизированного излучения непосредственно от источникасущественно упрощает схему измерений. В этом случае полностью...

Номер патента: 1259138

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Брандт, Лавренюк, Минина, Савин

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, монокристаллов, образцов, одноосного, сжатия, условиях

...(ориентацияплоскостей наилегчайшего скольжения),Способ испытания образцов моно- кристаллов в условиях одноосного15 сжатия осуществляют следующим образом,Испытуемый образец 1 в видецилиндра или прямоугольного параллелепипеда размещают внутри упругого элемента 2 в ниде кольца или скобы 20 и с помощью клея 3 или пайки фиксируют торцы образца 1 относительно внутренней поверхности упругого элемента 2, Путем деформирования упругого элемента 2 нагружают образец 1 сжимающим 25 усилием. При этом образец 1 ориентируют в упругом элементе 2 так, что сжимающее усилие направлено вдоль его кристаллографических плоскостей 4 наилегчайшего скольжения. ЭО Способ испытания образцов монокристаллов в условиях одноосного сжатия, заключающийся в том что...

Номер патента: 1135382

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Лазарев, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, галия, монокристаллов, основе, полирования, прецизионного, растворов, твердых, травитель, химического

...и 457-ного ра 40створа плавиковой кислоты НР при соотношениях компонентов, указанных впримерах 1-5. Используются реактивы .марок ОСЧ или ХЧ (молочная кислота)и деионизованная вода марки АТравление поверхности монокристал 45лов СаЯЬ.Образец, например монокристаллическую пластину СаЯЬ ориентации100) или 111 В толщиной 400 -600 мкм, предварительно подвергнутую химико-механическому полированию (ХМП), очищают от поверхностныхзагрязнений, помещают во фторопластовую кассету и подвергают химико-динамическому полированию вначале в55 известном составе травителя (1) или(2) с большой скоростью травления35382 43 мин; обработка в концентрированной НГ - 5 мин, промывка в воде2-3 мин, сушка в центрифуге - 2 мин.Такая последовательная обработкапри...

Номер патента: 1127477

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Герасимова, Луфт, Хусид, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: галлия, монокристаллов, полирования, травитель, фосфида, химического

...концентрированФ55ных азотной и соляной кислот повсей вероятности, уксусная кислотавзаимодействует с активным хлором,образующимся в смесях концентрирован 477 3 ных НС 1 и НБО с образованием хлор 3уксусной кислоты, являющейся более сильной кислотой и лучшим комплексантом по отношению ко многим ионам металлов, .чем уксусная кислота. Это способствует лучшему отводу продуктовреакции окисления фосфида галлия в системе Низ -НС 1 - СН СООН, а следовательно; и повышению полирующей способности предлагаемых составов травителей (по сравнению с прототипом);лучшее по сравнению с прототипомкачество поверхности полированных пластин, особенно монокристаллических пластин, изготовленных из высоколегированных образцов Р - СаР;получение гладкой зеркальной...

Номер патента: 1285402

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Власов, Лопухов, Сопляченко, Стукалов

МПК: G01N 27/72, G01R 33/12

Метки: монокристаллов, текстуры, ферромагнитных

...й является характеристи кой сплава. Она не зависит от его,микроструктуры, поскольку с изменением микроструктуры приращение К и К,одинаково по величине и по знаку,Зависимости механического момента 50 (Фиг, 2), определяемые выражением (3),получены при намагничивании монокристаллов цилиндрической формы диаметром 10-40 мм и длиной 2-200 мм впостоянных магнитных полях напряженностью не менее 500 А/см, Для монокристаллов меньшего диаметра потребуются магнитные поля большей напряженности, так как размагничивающийфактор при уменьшении диаметра ци 1285402линдра возрастает в случае намагничивания до насыщения в диаметральном направлении.Поясним сущность способа контроля текстуры на примере монокристалла сплава ЮНДК 35 Т 5 АА, применяемого для...

Номер патента: 1303914

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Петрашень, Разумовский

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометрическое, исследований, монокристаллов, рентгенодифракционных

...поворот усто ройства как целого с точностью +0,5 вокруг вертикальной оси 3 осуществля 14 2ется вручную с помощью юстировочного рычага, вставленного в гнездо 12. При дальнейшей юстировке кристалла вращают вручную микрометрический винт 14 и винт 15. При вращении винта 14 основание 16 кристаллодержателя поворачивается вокруг горизонтальной оси, проходящей через неподвижные опоры 17, и кристаллодержатель наклоняется. При вращении микрометрического винта 15 поступательное движение винта через шарик 11 передается на угловой рычаг 10, поворачивая его относительно упругого шарнира 5. Движение упругого шарнира 6, находящегося на угловом рычаге, через промежуточное звено . и упругий шарнир 7 передается пгавижной части 4, заставляя се...

Номер патента: 1315199

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик

МПК: B23K 20/16

Метки: диффузионной, корунда, монокристаллов, сварки

...сразу происходит процесс вторичной рекристаллизации, и поликристаллическая прослойка исчезает до создания общих зерен,Технологические параметры процесса (температура. нагрева, скорость перемещения в области нагрева с градиентом температуры и его величина) связаны сложной функциональной зависимостью: чем выше температура проведения процесса, тем выше подвижность межзеренных границ,при этом скорость перемещения может быть увеличена, а величина осевого градиента температуры уменьшена, так как подвижность границы проявляется при меньших термоупругих напряжениях и, наоборот, снижение температуры процесса требует уменьшения скорости перемещения (т.е. увеличения времени нахождения эоны соединения в градиентной области) и увеличения...

Номер патента: 1317341

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Кулиш, Мельникова, Мироненко, Петренко, Порошин, Утенкова

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометру, исследования, монокристаллов, приставка, рентгеновскому

...и механизма 11 радиального перемещения образец 1 юстируют для выведения плоскости среза и плоскостиотражения в соответствии с выбраннойметодикой исследования. Рентгеновскиелучи падают на образецчерез полуснерическую крынку 5 иэ бериллия, чтопозволяет ориентировать образецпод любым углом без изменения степени поглощения рентгеновских лучейкрышкой 5. Откачка воздуха или напус Окание любой газовой среды в замкнутый объем приставки осуществляютсячерез отверстие 7. Вакуум необходимдля уменьшения теплообмена между образцом 1 и окружающей средой, улучшения э 4 ективности и экономичности работы холодильных средств, устраненияобмерзания образца 1 и рассеяния рентгеновских лучей на воздухе вблизи от образца 1. Пропусканием тока в одном или другом...

Номер патента: 1328118

Опубликовано: 07.08.1987

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: B23K 20/14

Метки: диффузионной, корунда, монокристаллов, сварки

...выдержку.После сварки сваренную деталь охлаждают и извлекают из камеры, 25Благодаря использованию смеси порошкообразной окиси алюминия-модификации с ортофосфорной кислотой, наносимой на зону соединения с последующей сушкой, создается защитная пленка,состоящая из чистой окиси алюминия,препятствующая окислению свариваемыхповерхностей, что позволяет повыситькачество соединения. Кроме того, принагреве пленки окиси алюминия выше1100 С-модификация окиси алюминияо 35переходит в Ю, -модификацию и дальнейший нагрев зоны соединения до температуры сварки происходит в парах чистойокиси алюминия, предотвращая процесстехнического травления свариваемыхповерхностей, что также способствуетповышению качества соединения,Благодаря тому, что...

Номер патента: 1380973

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Валинов, Гурьев, Плотников, Трофимец

МПК: B28D 5/02

Метки: монокристаллов

...1 с втулками 2, в которых вращаются полые шпиндели 3 с подвижными рычагами 15 4. Рычаг 4 ца одном конце (подвижном) имеет ролик 5, а на другом конце - ролик 6. Через эти подвижные ролики и ролики 7, которые крепятся к с гойке, проходит режущая нить 8, при водимая в движение электродвигателем с помощью приводного ролика 9. Нужное натяжение нити осуществляется подпружиненным роликом 10.На полые оси 3 установлены сменные 25 поддерживающие планшайбы 11, с помощью которых поддерживается кристалл и одновременно задается необходимый диаметр. С помощью рычагов 4 меняется угол и тем самым - диаметр вырезаемой 30 заготовки.Полые оси 3 с рычагами 4 вращаются с помощью грузов 12. Нить смачивается растворителем из капельницы 13. Монокристалл 14...

Номер патента: 1397555

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Аврутик, Алексиев, Атларски, Бончев, Бородин, Велков, Георгиев, Караризов, Козин, Курлов, Латев, Медко, Миха, Морев, Осипян, Редькин, Россоленко, Столяров, Татарченко, Топчийски, Трифонов, Шишков, Шопова, Яловец

МПК: C30B 15/00, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, расплава, тугоплавких

...37 на вал 38. На валу выполнены шпицевые пазы 39 для скольжения шестерни 40, находящейся в зацеплении с шестерней 41, жестко укрепленной на штоке. Полукольцо 42 соединяет верхние торцы вертикальных перегородок. Герметичная полость 43 непосредственно примыкает к датчику 44, имеющему тягу 45. Уплотнение 46 герметизирует полость весового датчика и штока, Штуцеры 47 и 48 служат для ввода и вывода воды.Установка действует следующим образом.Через индуктор, штоки и систему охлаждения камеры пропускают охлаждающую воду. Подают высокочастотное напряжение на индуктор 12, Увеличивают напряжения до расплавления загрузки н тигле 9. Расцепляют электромагнитную муфту 24 с винтом 18, Включают электродвигатель 29 ускоренного перемещения затравки,...

Номер патента: 1402873

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Казимиров, Ковальчук, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...от его положения, соответствующего максимуму интенсивностидифрагированного им излучения, отраРженный от исследуемого образца пучокнаправляют на кристалл-анализатор подуглом к его поверхности, большим Вз,выделяют диффузный максимум и измеряют его интегральную интенсивность,из акоторой находят относительную величину дефектной области исследуемогокристалла, 5 ил,1402873 разца первого и второго типа соответственно. ф о р м у л а изобретения Способ исследования структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что рентгеновский пучок от источника направляют на 10 кристалл-монохроматор, установленный под брэгговским углом 0 = 9 в, отраженный от первого кристалла пучок направляют на исследуемый образец, повернутый на заданный...

Номер патента: 1411357

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Битюцкая, Бормонтов, Минасянц, Сыноров

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентирования

...методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длинойсм раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают медве площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой АМ ,5/О, Размеры шлифов Зх 5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина трав- ения...

Номер патента: 1411635

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Добровинская, Литвинов, Мильман, Цайгер, Чугунова

МПК: G01N 3/42

Метки: корунда, механической, монокристаллов, обработке, определении, отбраковки, пригодности

...алмазную пирамиду в поверхность рас,кола.По 10 измерениям определяют среднеарифметический размер отпечатка а и среднеарифметическую величину радиальных тре щин вокруг этого отпечатка С. Направление трещины должно совпадать с направлением диагоналей отпечатка с целью измерения в одинаковых условиях нагружения. При отношениях длины микротрещины к размеру отпечатка в интервале 1,7(С/а(5 нагрузка на индентор составляет порядка 350 г.По величине отношения С/а и функциональной зависимости М = 1(С/а) 1 чертеж) определяют величину коэффициента где а - среднеарифметический печатка; С - среднеарифметическое диальной трещины; Х - экспериментальная величина, определяемая как функция С/а согласно зависимости, изображенной на чертеже;Е - модуль...

Номер патента: 1413492

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Алексеев, Курбаков, Трунов

МПК: G01N 23/20

Метки: мозаичности, монокристаллов

...штриховой линией нанесено значение интегрального коэффициента отражения для модели идеального кристалла (Йпр,); (Я, - экспериментальное значение интегрального коэффициента отражения, 20 х - координата сканирования расстояния по кристаллу в направлении, перпендикулярном направлению падения у-пучка; на фиг. 2 - зависимость интегрального коэффициента отражения К, от места прохождения р-пучка через образец для рефлекса 25 (110) на пластине кварца2, размерами ЗОХ 50 К 8 мм", боковая грань которой размерами 8 ХЗО мм совпадает с плоскостью (110); на фиг. 3 - универсальная зависимость интегрального коэффициента отражения (И;) , от отражательной способности кристалла Й,; на фиг. 4 - расчетные зависимости интегрального коэффициента отражения...