Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 403290

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Демьянец, Дудеров, Лобачев

МПК: C01G 17/00

Метки: монокристаллов, натрийкобальтового, ортогерманата, состава

...особ позволяет получать мономинерального продукы натрий-кобальтового орва ХагСобе 04 размером КагСойе 04 получают овиях методом темпе шихты состава СаО+ пературной обработк ными водными раст ри температуре не в гид- ратурСеОг и шихорами менее Предлагаемыи с 1 чагСобе 04 в виде та и монокристалл тогерма ната сост 6 - 8 мм. Монокристаллы ротермальных усл ного градиента из Процесс высокотем ты концентрирован ХаОН проводят пП р и и е р. Смесь состава, г: СоО 7,5 и беОг 21 в мольном соотношении 1; 2 растворяют в ступке (15 мин) и помещают в автоклав. Последний футерован серебряным вкладышем, обоьем вкладыша 142 см". Во вкладыш заливают насыщенный при 18 С раствор ХаОН 113 смз (46 вес. %); коэффициент заполнения /=0,8 соответствует...

Номер патента: 470306

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Емил, Олдрих, Честмир, Ян, Ярослав

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллов, поверхностей, придания, формы

...инструментами и травильными растворами.Цель изобретения - уменьшить потери монокристалла и повысить производительность.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что монокристалл подвергают воздействию инструмента, температура которого равна или выше той температуры, при которой кристалл сублимирует.П р и м е р. Монокристалл хлорида ртути НдС 12 с температурой сублимации 400 С ориентируют на деревянной подложке перпендикулярно к оптической оси кристалла и укладывают в угломерный столик режущего инструмента. На другом конце инструмента создается нагрузка примерно в 36 г. Режущим инструментом служит нить сопротивления длиною в 150 мм и диаметром 0,15 мм, расщепленные концы которой укрепляются в крейцкопфе, совершающем 58...

Номер патента: 473513

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Макарова, Рагозин

МПК: B01J 17/00

Метки: вольфрама, монокристаллов, полировки, травления

...Л/см зоб(зстс 133 с ОтиосцГС 5 к Обгаси Воливки И ТРЗВЛЕИИ 51 МОИОКРИСТЗ;1;1013 ВОЛЬфРЗМ 1 И МО)КСТ ИРИМСИ 51 ЬС 51 В МЕТЛЛОВСДЕИ 311Извсстшя сиосоо электролитисскго трйВ- лсиия крисгалль вольфрама и растворе фс фОРИОЕЦСЛ 010 ИЗТРИЯ Ц СЦОС(И) 13 Ы 5 В(1 СИИ 51 ДИСЛ О К а Ц 13 й В К 13 М И СС 3(О М 1 Р 3 Г И тел (, СД( Р )К йщем К 01-1, КГе(СХ) 61 и воду.11 сдостаткймц известны.; сиосоооВ 3,3 рВ.ки и 1 РВВлсци 5 МОиОк 1 ист 11;101) ВО 1 ь(1)Р 3 0 ЯВ:51 ОТСЯ ЗЦЗИС;1 ЬИЬС ЗЗТРЗ) Ы ВРЕ.(СИИ Ий ВолиОВку 1 восле;УОПсе рй 351 сиис, исОб.(О;имост 1 иримсцсии 5 рази 11 х )й(.3 ВО)ОВ и рсжмо 3. Крмс того, травлсиис дислокаций ГДСТ ИС И ВСС . ИГОСОСТ 51 Х, 3 ТЗК)1(С Зй ГР 310. 1;Э ИО ВЛИ 51 ИИС ГРЗЦИЦ 0(1 КОВ И РЗЦИЦ СМОЗСРСИ.Цс;ь изобрстс 31351 -...

Номер патента: 473514

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Клешко, Неймарк, Осовский, Самелюк

МПК: B01J 17/10

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, монокристаллов, плавкой

...зонной плавкой на затравке с поперечным сечением, меньшим сечения перекристаллизуемого образца, с вращением образца вокруг оси для обеспечения хороших условий проплавления, Нагрев затравки осу ществляют электромагнитным полем вытянутой осесимметричной формы. Для создания необходимого электромагнитного поля используют индукционную систему цз двух индукторов, которые в процессе плавки переме щают один относительно другого в горизонтальной плоскости. Однако процесс плавки с использованием такой системы сложен в конструктивном оформлении.Целью изобретения является значительное 20 упрощение конструктивного оформления процесса. Это достигается тем, что нагрев осуществляют индуктором с овальным витком, поперечный размер которого...

Номер патента: 475172

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко

МПК: B01J 17/00

Метки: барийстронциевого, монокристаллов, ниобата, отжига

...пос15 бо контраста полосы роотсутствуют. я до отжига отжига имел сл та. После отжи различимы, либ ателя преломлен ле отжига 5 10 -дмет изобретени ов бариищий нагрев, ухе, отлиулучшения нагрева ве- С, выдержкус последую - 100 град/ Спос 0 стронци выдерж чающ одноро дут до 5 провод щим ох(61 ополнительное к авт. с Изобретение относится к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого нио бата ВаБг ЛЬз 00, которые применяются в модуляторах и дефлекторах света.Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400 С, выдержку при этой температуре в течение 10 - 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьшению интенсивности окраски для окрашенных...

Номер патента: 475534

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Брандт, Кептя, Минина

МПК: G01N 3/00

Метки: анизотропных, деформаций, монокристаллов, сверхсильных, создания

...даст с компонент тецзорд дО гцдростятцчсского дд системы 2 оо) (1 - оо) (Ь 2/а 2 - 1) и/Я 2 .о) + 2 оо(д 2/а 2 ) сс/р/, = - РЕде Уи 1, .- -относительная деформацсрадиусу образца и воси Л,внутренний и вцешццй рядссы кольца;некоторые функциичиц аЪ, коэффициентовдссоца образца оо ц кольтакже отношения Е /Едулей Юнга кольца Е иразца Е.тера возниказывает, что вспвающего ко я по доль аиб сх и (о велиПу ця, я об Лцалпз аракформации пока лщины поддерн ющеи в образце зависимости от льца и его моОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕРХСИЛЬНЫХ АНИЗОТРОПНЫХ ДЕФОРМАЦИЙ МОНОКРИСТАЛЛОВРсдакгоо Е, Дай Корректор й, Лук Заки; ЛЪ 1007 Изд, ЛЪ 1608 Тираж 90 о Ц 111 ИПИ Госу;арствеиного комигс)а Сгоста Министров СССР ио деляги изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 476891

Опубликовано: 15.07.1975

Авторы: Кириченко, Кондратьев, Мартынко, Мусиенко, Пухов, Скупский

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...выполняют с отверстием в дне, через которое подают при охлаждении струю газа, приподнимающую тигель.Отличием предложенного устройства является выполнение тигля и подставки с коническим сужением к плоскому днищу при отношении внутреннего диаметра цилиндрической й тигель 1 и графи ряющая форму тиг кими в верхней ч ием к плоскому д него диаметра В ц авки к диаметру д ие высоты Н полос цилиндрической ча стенок цилиндричес0,0650. Кварцевы ка 2, повто 15 цилиндричес ским сужен ние внутре части подст 1,8, отноше 20 высоте Й ее толщина пт ставки 0,05 -товая подставтя, выполнены асти с кониченищу. Отношеилиндрическойднища 1,5 - ти подставки ксти 2,5 - 2,8, акой части подройство из распл и кварц монолитющей фо для вы ва с цил вым тиг ой гра...

Номер патента: 477736

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Мининзон, Штернберг

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, кубической, модификации, монокристаллов, сульфида, цинка

...в каодуляторов света,выращивания монока растворителем саяН РО4 м 125 см3ют (в корзХпэ маркиВ зоне утерованный платиной,ику) 25 г шихты - по"Для люминофоров".оста развешивают пять затраталлов Еь 8, представляющих инки толщиной 1,5-2 мм, вырелледьно граням (111) и (100). помещарошка вочных кри собой пласт занные пар 30% н в печь ро н к полуерами . и хоро и и моЭто достигается тем, чтв водных растворах ортофосфоконцентрацией 20-40% при и цесс ведут рной кислоты 20-460 С и . Однако оптические свойст"а монокри таллов Еиб, выращиваемых в концентрированных растворах Н ГОе, ухудшаются из-за вхождения фосфора в кристаллы. Кроме того, растворимость сульфидв цинка в концентрирована ной Н РО высока, что приводит к растворению затравочных...

Номер патента: 485763

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Вишневский, Лавров, Цицугин

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...тем, что,ния диаь 25 подсветк ло расту монохрокИзобретение относится к способам автоматического управления процессом выращивания малоконтрастных монокристаллов методом Чохральского и может быть применено для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов.Известен способ автоматического управления процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского путем измерения диаметра растущего оптического монокристалла с низкой контрастностью зоны расплав-кристалл телевизионным автоматом.Однако такой способ при малой контрастности зоны расплав-кристалл не позволяет с уверенностью управлять процессом роста по диаметру.С целью повышения точности измерения диаметра монокристалла по предлагаемому способу осуществляют подсветку...

Номер патента: 486779

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Воронкова, Яновский

МПК: B01J 17/06

Метки: монокристаллов

...температуры фазового перехода в выращиваемом кристалле. Недостатком известных способов является невозможность получения сегнетоэлектрических кристаллов В 1 з%0 о,Способ, согласно изобретению, устраняет указанный недостаток благодаря тому, что исходную шихту, включающую 30 - 40 мол. % В 1 зОз, 30 - 40 мол. % %0 з, 40 - 20 мол. % Ч 20 нагревают до температуры 800 - 930 С, выдерживают при этой температуре и охлаждают со скоростью 1 - 5 град/мия. П р и м е р. Смесь, состоящую из 20 35 мол, % В 10 з, 35 мол, % %0 з и 30 мол. % Ч 20 о, нагревают в платиновом тигле объемом 50 нл до полного расплавления при 850 С, выдерживают при этой температуре 2 час до полной гомогеццзацци расплава и затем охлаждают до 700 С со скоростью 1 град/час....

Номер патента: 486781

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Гольд, Жадан, Лейбович, Середа, Сухарев, Федоров, Шушков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...через подшипник 12, наконечник 18 держателя б. Для вертикального перемещения держателя б слитка в наконечнике 18 имеются пазы, в которых свободно движется штифт 14. Контур стабилизации температуры содержит регулятор 15 и силовой блок 1 б.Система также включает непрерывный 17 и дискретный 18 датчики высоты подъема затравки, функциональный преобразователь 19, блок 20 изменения установки номинального диаметра кристалла, сумматор 21, аналого- дискретный дифференциатор 22 и регулятор 23 привода подъема затравки.Система работает следующим образом. При подъеме затравки 5 датчик 17 высоты подъема, который представляет собой много- оборотный линейный потенциометр и кинематически связан с приводом подъема затравки, генерирует линейную программу...

Номер патента: 488611

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Курцман, Суворов

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора

...для создания импульсов, разряжение-давление.Трубопровод 6 в виде трубки) имеет,специальный профиль: на вертикальной про-;,екции все ее отрезки имеют уклон к горизонту, а в плане трубка имеет такой профиль, что нижний ее конец после поворачивания достигает центра дна кристаллизатора. После сброса затравки трубку можно, отвести к стенкам кристаллизатора, чтобы он не мешал действию мешалки и дьи-, 20жению жидкости в районе затравки и невносил асимметрию в потоки.Обычно затравки имеют размер не более,3-4 мм, а трубка внутренний диаметр по-рядка 5-6 мм. Она выполняется без рез-26ких переходов и изломов, например из стекла, поэтому ее изготовление не вызываеттрудностей и профиль легко может бытьподогнан по месту,Конструкция трубопровода...

Номер патента: 488612

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Бессонова, Вервыка, Выдыш, Егорова, Жемчужина, Носов, Печерица, Приварников, Проскурин

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...количество которой достаточнодля установления более высокого уровнирасплава вне тигля.Это позволяет обеспечить в процессевытягивания более плавный самопроизволь ный подъем тигля и получить монокристаллы с меньшим разбросом электросопротивления по поперечному сечению.П р и м е р. Загрузку германия в количестве 2500 г с добавкой легирующего 10 элемента (сурьмы) помещают в тигель сдиаметром 130 мм, а последний - в тигель диаметром 165 мм, содержащий расплав германия.Под действием веса загрузки внутрен- И ний тигель погружается в расплав, находящийся во внешнем тигле так, чтоуровень расплава во внешнем тигле вышеуровти расплава во внутреннем. Опускаютзатравку в расплав, находящийся во внут реннем тигле, и начинают процесс...

Номер патента: 385475

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Орлов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, серийного

...способ серийного выращив кристаллов по методу Бриджмена с ем тиглей (или одного многогнезд ля),Однако этот способ отличается вредным влиянием ассиметрии теплового поля в процессе кристаллизации, а при использовании многогнездного тигля еще и неравномерный диффузионный контакт кристалла и расплава с окружающей атмосферой.С целью повышения качества и выхода полученных кристаллов предлагается тигли вращать вокруг общей оси и каждый из них вокруг собственной.Способ осуществляют следующим образом. В тигли засыпают соли веществ, из которых хотят получить монокристаллы и помещают их в зону наргевателя печи. После создания необходимых условий роста (температура, атмосфера и др.), тиглям сообщают двойное вращение с заданной скоростью...

Номер патента: 496043

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Гражулене, Мусихин, Телегин, Шигорин

МПК: B01J 17/06

Метки: веществ, монокристаллов, органических

...м-ТДА по-Во избежание дальнейшего окисления очищен казывают наличие практически единственного ное вещество хранят под аргонЬм. пика, отвечающего времени выхода основногоВыращивание кристаллов проводят в верти. вещества по.сравнению с неочищеннымсоедикальных стеклянных трубчатых печах, напол- нением.ненных двумя несмешивающимися жидкостями.Ампулу диаметром 15 мм и длиной 100 мм глицерином и силиконовым Маслом, благодаря,с концом, оттянутым в виде витка спирали, чему создают резкий температурный градиенткипятят с обратным холодильником с трив зоне роста, метилхлорсиланом в течение часа, сушат приВерхнюю жидкость - силиконовое масло - 1 б 140 о в вакууме, заполняют очищенным м-ТДА, нагревают на 5-7 оС выше температуры план- вакуумируют до...

Номер патента: 496044

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Полторацкий, Рымашевский, Хархардин

МПК: B01J 17/10

Метки: бестигильной, выращивания, зонной, монокристаллов, плавкой

...более плотных участков, равной 1,5 высоты зоны, высотой менее плотных участков 0,75 высоты эоны, с легкоиспаряюшимся наполнителем в порах менее плотныхучастков и с порами, ориентированнымипреимушественно в радиальном направлении.П р и м е р. Выращивают монокристаллкарбида ниобия, Заготовку диаметром 8-12 ммукрепляют вертикально в камере установкидля индукционной бестигельной зонной плавки; заготовка состоит из участков с плотностью 90% и 53% от теоретической, высота плотных участков - 8 мм, менееплотных - 5 мм. Расплавленную зону создают на более плотном участке, высота зомм, Процесс ведут в условиях давинертного газа в камере 2 ати, пе.Йенискина Ред рН.О ,Изд ав фф Тираж 782ЦНИИПИ Государственного комитета С Мовета ииистров СССРпо...

Номер патента: 499889

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Гуляев, Добровинская, Пищик, Савицкий, Цигельницкий

МПК: B01F 17/00

Метки: молибдена, монокристаллов

...его с рааплавом на основе окиси алюминия и направленной кристаллизацией в условиях вакуума и температурного градиента.Однако способ пригоден для получения только плоских монокристаллов, Кроме того, процесс сложен и продолжителен в связи с необходимостью проведения направленной кристаллизации окисла. Целью изобретения является по монокристаллов сложных форм и у чюоцесса.Эта цель достигается тем, что лизуемый образец полностью погру расплав и выдерживают в нем в т времени, необходимого для осушес первичной рекристаллизации. 2Поликристаллический образец любой заданной формы ттомешают в вакуумную печь(либо в атмосферу аргона), погружают врасплав при 1900-2200 С и выдерживают в нем не менее 3,5 час. Затем медленнизвлекают образец, давая...

Номер патента: 499890

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Волков, Капусткин, Фотиев

МПК: B01F 17/06

Метки: бронз, ванадиевых, кислородных, монокристаллов

...ЛОВ КИСЛОРОДНЫХ ванадиевых брОНЗ типапутем взаимодействия пятпокътси ванадия с соединениями соответствующих элементов,например карбонатами, с последующей кристаллизацией бронзы. Однако по этому оно;собу получают мелкие монокристаллы (с 20 размером до 1 мм).С целью получения более крупных 2 монокристаплов, исходную смесь нагревают до температуры на 6 ООС выше температуры плавления с последующим охлаждением расплава при давлении О,О 1-760 мм рт. ст. со скоростью О 5-5,О град/мин. В результате получают монокристаллы с размером до 10-15 мм.П р и м е р 1. Смесь пятиокиси ванаы дия и карбоната кальция, взятых в молярном соотношении У 205 308003 = 631.в количестве 25 г помещают в платиновый тигель и нагревают до 750 С в атмосфере...

Номер патента: 508761

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Зотов, Садыхов

МПК: G01R 33/12

Метки: монокристаллов, намагничивания, осейлегкого, шаровыхферромагнитных

...для сближения магнитов. 25На чертеже представлена конструкция устройства,Устройство состоит из кольца 1, изготовленного из армко - железа и установленного цаэбоццтцой подставке 2, постоянных магнитов 3, изготовленных из высококоэрцитивных сплавов, один из которых находится внутри стеклянной труоки 4; наконечника 5, шайбы 6, с помощью которой осуществляется вертикальное перемещение стержня 7. Образец 8 располагается ца ртутной капле 9, находящейся ца поверхности пробки 1 О, Игла 11 из ферромагнитного материала вставляется в отверсти;, просверленное ця оси оправки 12.Устройство работает следтющим образом.Вращение шайбы 6 медленно приближает верхний постоянный магнит 3 к нижнему, в результате чего образец 8 ориентируется цо одной из...

Номер патента: 403235

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Катрич, Тиман

МПК: B01J 17/24

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...и скорости ия монокристаладан изменения толцины слоя р роста в процессе вырашив р тен их монокСпособ вырешиванияристаллов в вакууме путеца затравки и подачи насырья, отличаюшчто, с целью повышения туг оплавм расп авпения торрошкового тем,к онечн ог о чистот юдут мм пр 01 с асплародукта, кристаллизациюа толшиной не более 5 скорост а, не превышают ок Изобретение может найти применение врадиотехнике, лазерной технике и т.д,Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торцазатравки и подачи на него порошкового сы- арья. Такой способ исключает возможностьполучения особо чистых монокристаллов изсырья технической чистоты,Цель изобретения состоит в повышениичистоты конечного продукта, Это достигается тем, что...

Номер патента: 512790

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Ефремова, Котельников, Кузнецов, Лобачев

МПК: B01J 17/04

Метки: киновари, монокристаллов

...Я 5 (кцновари) размером 6 х 2 х 2,5 м пособу полуи, которые териалом для ских устройствах.5Известен способ получения монокрцсталлов киноварц в гидротермальцых условияхв водных растворах М Я , полученных путем насыщения раствора д бЯсероводородом до значения рН 6,3-7,5 при температуре 225 оС, Способ це позволяет получатьмонокрцсталлы размером более 2 мм,С целью устранения указанного недостатка процесс роста осуществляют при концентрации ЬИН 5 5-15 вес.,ь и температурах 230-265 оС, Целесообразно для снижения рН среды ц предотвращения разложения кицовари в раствор вводцтьэпементарную серу в количестве 10-160 г/л,П р ц м е р, В тефлоновый плавающий 20вкладыш объемом 75 смз загружают цадцо 15 г НдЯ ц 3 г элементарной севи заливают 54 смз...

Номер патента: 516759

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Лариков, Максименко

МПК: C22F 1/18

Метки: вольфрама, молибдена, монокристаллов, основе, сплавов

...обрабняется монокристаллическаяизменения размеров, что подприведенными в таблице,ции моноя по предаоотлои 9 в и от.0,6 от абаничес3 час ературь меняет ис еспечив Изобретение относится к термомехаобработке монокрисгаллов, в частности мталлов тугоплавких металлов и сплавов,быть использовано для изготовления измонокристаллических металлов и сплавов.Известен способ обработки монок ривольфрама и молибдена, заключающийсянической обработке с промежуточными одля снятия напряжений и последующейполировкой.Недостатком такого способа являетсяние размеров изделий в результате сполиромонокристалла.С целью сохранения исходной ориентакристаллов без нарушения размеров изпе 1 ллагаемому способу перед механической обосуществляют деформацию сжатием на 2-...

Номер патента: 521006

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Бунин, Колдобская, Кузнецова, Пахомов, Рез

МПК: B01J 17/04

Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов

...1-2 г/л.Пример, Длявырлов дигидрофосфата калиямарки "чф в дистиллировадят 1 г/л комплексообразвой соли этилендиаминтетроты при 60 С.Выращивание, монохрис течение 4-6 месяцев методом снижения температуры раствора в кристаллизаторе; объемом 250 л. Количество одноврвменйо вырашиваемых кристаллов - восемьРезультаты обследования кристаллов приведены в таблице: 1- кристалл, выращенный известным способом - из раствора соли мар,ки "ч" без натриевой соли этилендиаминтетрауксусной кислоты, 11 - кристалл, выращенный предлагаемым способом - из раствора соли марки "чф с натриевой солью эти- . лендиаминтетрауксусной кислоты, Использование предлагаемого способа значительно повышает эффективность производства, так как позволяет применять исходное...

Номер патента: 506161

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Вервыка, Выдыш, Егорова, Жемчужина, Носов, Печерица, Приварников, Проскурин

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, способу, чохральского

...ве тальный э монокристаллов преимушеств водниковых материалов из раВ известных устройствах ния монокристаллов из распл Чохральского для уменьшения локаций и более равномерног ления используют тепловые ных конструкций, в том числ полость тигля по его оси вт нижним концом в горизонта ваюший на поверхности распНедостатком устройства раном и укрепленной на нем ся изменение положения вту вания расплава в тигле, что менению тепловых условий в тельнои особенностью предлагаемотва является выполнение располополости тигля горизонтального экксимальным диаметром, допускаю- кение тигля без трения, причем рхним концом встроена в горизонкран, опирающийся на коаксиальный му из тигля верхнему конприсоединен горизонтальрый опирается на вертиеский...

Номер патента: 534677

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структуры

...в положении Брэгг-дифракции.Дифрагированные им лучи регистрируются4 Ьсчетчиком излучения 5. Часть рентгеновского излучения, поглощенная кристаллом, вызывает фотоэмиссию электронов, которые выходят из кристалла с определенной кинетичесЯкой энергией,Процесс поглощения рентгеновского кван( Ста энергией п - ( Я - постоянная Планка, с - скорость света, Л - длина волныпадающего излучения) носит локальный характер. Образовавшиеся фотоэлектроны, распространяющиеся по поверхности кристалла,по мере своего движения взаимодействуют сэлектронами атомов решетки кристалла. Врезультате неупругого рассеяния часть элект 9 ронов полностью теряет свою кинетическую энергию и поглощается. Покидают кристалл только электроны, вылетающие с определенной...

Номер патента: 421356

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, сегнетоэлектриков, шихта

...величина оэффициента при ко едостаточно высок лько окисл пироэлектрического мнатной температур а. Кроме того, крис- интервал температу О Тс,0,.вают, помешаютый тигель, нагреталлы имеют узкийКюри.Цель изобретениэлектрического кс слла я - увеличение пироэффициента при комнатвырашенных кристалтервала значений рав нои температуре в лах и расширение и температу.ры Кюри. исту, сую и 1 мол, 2 О Л И С А Н И Е п 11 42 хззбИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬС 7 ВУ",",0 мол.%), 105,1 г МЬО.(50 мод%)тшательно смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в+ " о индукционной печи до 1450 - оО -, при ксторой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/млн, скорость вытягивания 1,5...

Номер патента: 538014

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Демишев, Енишерлова, Кутейникова, Лобанова, Савушкин, Семенов, Стальнов, Татаренков

МПК: C09G 1/02

Метки: монокристаллов, полирования, состав, шлифования

...м) Выбранная скорость сдвига соответствует условиям шпифования и полированиянк) Стандартный состав разбавляют бензином, структура разрушается и предел прочности равен нулю. бСиталп подвергают шпифованию и полиро- ванию по плоскости, Получают спедующие реэупьтаты; съем 2,7-3,0 мкм/мин, качесво поверхности 1 Г 13.П р и м е р 3, Состав дпя шлифования) полирования хрупких монокристалпов со- , держит компоненты в следующих соотноше-. ниях (в вес, %):Алмазный абразив 6 Сополимеры акриповой киспоты (САКАС,. САКАП) обладают поверхностно-активным действием. При введении их в состав для шлифования (полирования) хрупких монокристалпов достигается пластифицирование (по-. вышение вязкости, размягчение) обрабатываемой поверхности монокристалла...

Номер патента: 359884

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Кисиль, Крайнюков, Черник

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов

...сечения ампулы.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, продольный:разрез; на фиг,2 разрез по А-А на фиг, 1.Устройство для выращивания монокристаллов состоит из жаровой трубы 1, разделенной диафрагмой 2 на две камеры: камеру Э плавления и камеру 4 кристаллизации. Диафрагма имеет отверстие 5 для прохода ампулы 6, смещенное вниз относительно центра диафрагмы, и отверстие 7 для перетока воздуха в верхней части диафраглы. Перед диафрагмой в нижней части зонь 1 кристаллизации установлен маломощный высокотемпературный нагреватель 8 в виде полукольца, диаметр которого на 2-3 мм больше диаметра ампулы,Устройство работает следующим, обраЧерез отверстие 7 диафрагмы 2 относительно горячий воздух перетекает из камеры 3 плавления в камеру 4...

Номер патента: 393213

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Лобачев

МПК: C01G 23/00

Метки: висмута, монокристаллов, титаната

...растворах КГ (10-30%). Исходной шихтой является смесь окислов В 1,О и Т Ое в весовом соотношении 2;3. Шихту помеша ют на дно автоклава, заливают раствором ФКГ и автоклав нагревают в печи сопротиволения до 580-600 С (температура в нижнейзоне автоклава)В результате реакции внижней зоне автоклава образуются кристаллы Вс(ТСО) размером до 1 мм,Температура в верхней зоне автоклаваоподдерживается на 10-20 С ниже, чем вреакционной зоне, в результате чего в автоклаве создается конвекционное перемешивание раствора, В 1(Т 4 О)5 растворяясьв нижней зоне автоклава, перейосится вверхнюю зону, где выкристаллизовываетсяна затравочном кристалле или на стенкахреактора в виде отдельных образцов, Регу лируя скорость конвекции раствора (путем.изменения...

Номер патента: 403294

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Лобачев

МПК: C01G 23/00

Метки: монокристаллов, силленита, титанового

...в водном, 15-30%-ном раст О воре фторида калия при соотношении 3120, .ТО в шихте 6:1-12:1 при температурео580-600 С и градиенте температур уежду верхней и реакционной зонами 10-20 С.Способ заключается в следующем. 25 Исходную Шихту Из смеси окислов В 420 в и ТОя в молекулярном соотношении 6:1- -12:1 помешают на дно автоклава и заливают раствором К Р, автоклав нагсревают в печи сопротивления до 580-600 С (температура в нижней части автоклава). В результате реакции в нижней зоне автоклава образуются кристаллы титанового силленита размером, до 4 мм.Температуру в верхней зоне автоклаваоподдерживают на 10-20 С ниже, чем в реакционной зоне, в результате чего в авто- клаве происходит конвекционное перемешивание раствора. Титановый...