Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 284778

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Титова

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: висмут-кальций-железо-ванадиевых, выращивания, гранатов, монокристаллов, общей, основе, ферромагнитного, формулы, шихта

...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...

Номер патента: 1747544

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, тантала

...существенны с точки зрения достижения цели изобретения, т,е. до получения максимального выхода монокристаллов оксида тантэ ла, Значение температурного перепадатакже является существенным с точки.зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада ( ЛТ20 С) приводит к уменьшению пересыщения, не обходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристэллов оксида тантала (Ч). Увеличение значения температурного перепада ( ЛТ30 С) 35. способствует интенсивному массопереносуисходной шихты Та 205 в верхнею зону реакционного пространства реактора.Это обстоятельство приводит к сильнойскорости зародышеобразования по сравне нию с ростом криСталлов Та 205 и последниеимеют малые...

Номер патента: 1749759

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бодюл, Гарабажиу, Кондря, Миглей, Николаева

МПК: G01N 3/00

Метки: анизотропного, деформирования, монокристаллов, упругого

...го монокристалла в стеклянной изоля полученный по методу Улитовского, и щают в упругое кольцо, предварителпроградуирбванное по относительному удлинению от растягивающего усилия. Торцы образца с электрическими контактами закрепляются с помощью эпоксидной смолы на внутренней части упругого Кольца. Растягивающее усилие направляют вдоль кристаллографической оси наилегчайшего скольжения или близкой к ней+450). Путем деформирования упругого кольца нагружают образец растягивающим усилием до 3,50 относительного удлинения образца с последующим снятием нагрузки, Упругие свойства образцов позволяют проводить обратимые циклы растяжения многократно с полным воспроизведением сопротивления, амплитуд и частот осцилляций Шубникова-де Гааза.На фиг. 1...

Номер патента: 1754806

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых

...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...

Номер патента: 1754807

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Васильев, Дудкина, Каргин, Скориков, Цисарь, Чмырев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: висмута, монокристаллов, силиката

...монокристалла В 123 Ого ведут по методу Чохральского при скорости вытягивания 0,7-1,6 мм/ч и скорости вращения 30 об/мин при программном снижениитемпературы расплава, При соотношениимассовых процентов компонента А к5 В 123 Ойдо в шихте 7,5-50 мас,поглощаетсяфоточувствительность в диапазоне 0,4-0,7мкм видимой части спектра при уменьшении коэффициента оптического поглощенияс сохранением его электрооптических10 свойств. Электрооптический коэффициентдля полученных указанным выше способоммонокристаллов силиката висмута равенЧ 41=(4,4 + 0,2) пм В в видимой части спектра, что говорит о том, что он не ниже, чем у15 нелегированного В 12302 о, у которогоЧа 1=4,2 й 0,2 пм В на длине волны Л=546нм,Электрооптическая эффективность полученных...

Номер патента: 1756392

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Векшина, Нагибин, Пепик, Попков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: антимонида, индия, монокристаллов

...эффективного коэФФициейта распределенияпримесей от величинымагнитного поля,воздействующего на расплав, При этом легирование проводят на концентрации носителей заряда (3 - 6)10" см . В работе сиспользованием критериев тепломассопереноса объясняются причины возрастаниякоэффициентов распределения указанныхвыше примесей, 8 данном случае исследования по влиянию магнитного поля на электрофизические параметры получаемогоматериала не проводились,Целью изобретения является увеличениявыхода монокристаллов с подвижностью носителей заряда более 5 10 см /В с ч,э 2Поставленная цель достигается с помощью МГД устройства "поперечйого магнитного поля, позволяющего получать в"центре тигля магнйтное поле с индукциейдо 0,3 Тл.После наложения...

Номер патента: 1761521

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Андреев, Галигузов, Гулидов, Ерошин, Запорожский, Таращанский, Харламов

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллов, резки

...монокриста П р и м е р. Производилась резка моно- кристаллов кремния диаметром 100 мм на пластины толщиной 0,75 мм, Резка производилась на модернизированном станке модели "Алмаз 11". Модернизация заключалась в оснащении станка приводом колебаний слиткодержателя вместе с устройством ориентации монокристалла, Привод колебаний имел числовое программное управление, Применялись алмазные отрезные круги с30 Составитель А,БулековТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор Заказ 3222 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 внутренней режущей кромкой АКВР 422 х 152 х 0,3...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1766685

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Осадчев, Теслюков, Томсон, Шелудько

МПК: B28D 5/04

Метки: монокристаллов, ориентированной, резки

...состоит из закрепленного на плите 10 кронштейна 12, подвижного относительно него по установленным вертикально линейным направляющим кронштейна 12, перемещаемого вращением винта 14 с возможностью отсчета величины перемещения по закрепленному на кронштейне 13 индикатору 15 часового типа, несущей плиты 16, опирающейся одним концом через полуось 17 на подшипник 11, а другим на верхний срез кронштейна 13 и установленной горизонтально с возможностью обеспечиваемого винтом 18 поворота (в пределах 1 - 2 угловых градусов) вокруг оси гониометра и отсчета углов поворота с помощью закрепленного на кронштейне 13 индикатора 19 часового типа, кронштейна 20, перемещаемого по линейным направляющим плиты 16 в радиальном по отношению к оси...

Номер патента: 1768041

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Агеев, Гоганов, Малюков, Наумов, Рейзис, Щелоков

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, ориентации, слитков

...поворота цилиндров) при случайном прикосновении к щели коллимационной системы поворота цилиндра не произойдет, поскольку от шероховатой поверхности человеческой кожи нет интенсивного зеркального отражения светового пучка.В известном техническом решении используется пружинный затвор для перекрывания пучка рентгеновских лучей от радиоактивного источника, что позволяет обезопасить при контроле ориентации слитков персонал от облучения. Однако для надежной работы этого устройства с возможно слабой пружиной для утапливания цилиндрического затвора необходимо приложить усилие, превышающее 7 г. Следовательно, при контроле ориентации монокристаллических (например, кремниевых) пластин диаметром - 76 мм и толщиной1 мм, по крайней мере, один...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1773952

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Поезжалов, Трегубченко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: монокристаллов

...Разращивание такой затравки происходит бездефектно. Для этого амплитуду колебаний постепенно уменьшают и доводят до вполне определенной постоянной величины. Дальнейший рост монокристалла проводят по общеизвестной методике. Поскьльку при образовании затравки, обладающей сингулярными гранями, ее объем не увеличивается, та выращенный кристалл имеет минимальную зону регенерации, равную объему затравки, и может быть использовано почти полностью, за исключением объема, занятого затравкой, который, как правило, не превышает объема нескольких десятков мм,П р и м е р 1. Затравка п,п-диоксидифенилсульфона помещалась в кристаллизатор с насыщенным при 38 С раствором. Кристаллизатор находится в жидкостном термостате, температуру которого...

Номер патента: 1773955

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абловацкий, Бузунов, Иванов, Калугин, Куценогий, Муравицкий, Петров, Тупаев

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...так несколько циклов, при последнем выращивании вытягивают весь расплав.Предложенное решение является усовершенствованием известного способа ивыгодно отличается ат него. Так как отсутствует механизм смены затраваки последующее выращивание производится спомощью того же механизма и на ту жезатравку, то устраня 1 атся факторы, которьемогут привести к сбоя бездислакацианногароста кристалла. Вытягивание за один циклне более 2/3 расплава, содержащегося втигле, позволяет увеличить выход годного,так как при этом, как показала практика, вмонакристалл вытягивается оптимальнаядоля расплава, которая может пойти в годную продукцию, а в тигле остается достаточный остаток расплава, который послесплдвления подпитачных стержней используется повторно для...

Номер патента: 1775509

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Водолазская, Воронкова, Леонтьева, Петровская, Яновский

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: монодоменных, монокристаллов, сверхпроводниковых, типа

...до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7...

Номер патента: 1603844

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина

...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...

Номер патента: 1603863

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов

...После начала плавления изделия под действием грузов 7 начинают линейно перемещать нагреватель сквозь изделие со скоростью, определяемой весом грузов 7. Благодаря этому происходит пооплавление эоны, содержащей напряжения. При этом нагреватель последовательно занимает позиции А, В и С (фиг. 1 и 3). Одновременно с проплавлением (фиг. 4 поз, 9 - расплав) в зоне 8, в 3 - 5 раэ превышающей толщину нагревателя 5, происходит пластическое течение, После пройлавления и пластического деформирования в зоне с напряжениями резко понижается плотность пор уменьшается протяженность границ блоков. После прохождения этой зоны снижают температуру нагревателя и упрочняемого изделия до комнатной.Сапфировый стоматологический имплантант ИС - 105 (фиг, 2)....

Номер патента: 1778202

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/10, C30B 7/10

Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца

...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 1515796

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Вострецов, Нагорная, Овечкин, Пирогов

МПК: C30B 29/32, C30B 33/00

Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки

...в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1783009

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Апинов, Икрами, Кузнецова, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, дифторида, марганца, монокристаллов

...аОЬеге Иеце. ОвнеТтесЬпс пеон, М 7, 1986, р.544.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ(57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания городских территорий, преимущественно типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность - содеркит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15,...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1789577

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты

...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...

Номер патента: 1789578

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...

Номер патента: 786110

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов

...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...

Номер патента: 1253182

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...водоохлаждаемого индуктора 5 с помощьютраверс 8 устанавливают тигель 7, боковая часть которого выполнена в виде многогранной призмы, грани кото"рой представляют собой набор из нескольких пластин, установленных сзазором параллельно друг другу ипоследовательно соединенных, а донная его часть выполнена иэ секций,установленгак с зазором относителнно друг друга, Тигель 7 устанавливают так, чтобы его кромка находи"лась на одном уровне с кромкой верхнего витка индуктара 5. Объем тигля7 и дополнительный объем между,тиглем и индуктором 5 заполняется ис"ходным порошкообразным сырьем, Ьункер 9 заполняется сырьем тогО жесостава. Увеличением мощности, под3водимой от источника б индукционного нагрева к индуктору 5, повышает ся температура тигля 7...

Номер патента: 1496332

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между...

Номер патента: 1165095

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/14, C30B 29/28

Метки: монокристаллов, окислов, сложных

...ратура всего тигля и, следовательно, всего обьема расплава в целом. Это влечет за собой уменьшение эффективности его конвективного перемешивания и, как следствие, увеличение толщины диффузионного слоя вблизи фронта кристаллизации, что благоприятствует скопЛению в этом слое примеси скоэффициентом вхождения меньше единицы, Вследствие эффекта концентрационного переохлаждения скопление такой примеси в диффузионном слое ведет к 25ячеистому росту монокристалла, резкоухудшающему его оптическую однородностьНаиболее близким техническим решением является способ выращивания монокристаллов, включающий плавление исходного материала, затравливание на затравку, ее разращивание до заданного диаметра изменением температуры расплава и последующее...

Номер патента: 1123326

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов

...электромагнитного поля в придонной части тигля, как 25и в приведенном аналоге, значительноослабляется путем взаимодействияэлектромагнитных полей, создаваемыхтоками, протекающими в индукторе идне тигля, Величина индукционноготока, протекающего в верхней частитигля, по сравнению с нижней, будетзначительно выше, что и приводит кее перегреву и, как следствие, куменьшению эффективности конвекциив расплаве. Это влечет за собойуменьшение передачи тепла от тигляк расплаву за счет конвективного механизма и разрушения тигля в процессе выращивания, начинающееся в еговерхней части.Целью изобретения является повышение надежности устройства за счетувеличения срока службы тигля.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для выращивания...