Способ определения поверхностной энергии кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1693479
Автор: Кузнецов
Текст
)5 6 01 й 21/35 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ТЕН ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 43госудинена ственныи унио СССР1979,пластичность и Атомный мехаеталлургиэдат,тельств 21/25, Скол, - В кн. М.; М ЕРХНО ЛЕН ИСТ тся и крист ения Я ПОВ АЛЛОВследований подлое, в частно- поверхностной Изобретение относится к исследованиям поверхностных свойств кристаллов, а именно к способам определения поверхностной энергии.Целью изобретения является увеличение числа типов излучаемых минеральных обьектов.На фиг. 1 изображния мусковита; на фиг,скания мусковита пр12 мкм.Способ может быть реализован на любом серийном ИК-спектрометре или спектрофотометре с приставкой для измерения зеркального отражения.П р и м е р, Берут кристалл мусковита, Откалывают пластинку слюды и, используя метод тензометрии при нагрузках в пределах упругих деформаций, по известному(54) СПОСОБ ОПРЕДСТНОЙ ЭНЕРГИИ К(57) Изобретение касверхностных свойствсти способов опред ен ИК спектр отраже - ИК спектр пропуи толщине пластинки1693479 А 1 энергии. Целью изобретения является увеличение числа типов излучаемых минеральных объектов. Приготавливают естественные сколы, измеряют отражение в области структурного мотива, образующего решетку в данной кристаллографической плоскости, По максимальному значению коэффициента отражения й структурного мотива определяют волновое число поверхностных колебаний гъ, рассчитывают толщину 1 поверхностного слоя, измеряют пропускание пластинки толщиной Т, у которои положение начала пропускания соответствовало волновому числу надольных колебаний, измеряют толщину ггластинки Т и по формуле 1 Р Е Г/;Т д) определяют поверхностную энетию, 2 ил,способу М.С.Мецика определяют морль Юнга Е, который равен 210 дин/см . У этой же пластинки измеряет ИК-спектр отражения на серийном спектрометре ИКСв области 800 - 1150 см г с помощью приставки ИПО, а также записывают отражение от алюминиевого зеркала. По значению коэффициента отражения В определяют максимум отражения с волновым числом Рз = 1040 см, который согласно фиг. 1 равен-г 0,61,и по формуле рассчитывают толщину поверхностного слоя дд-дд дыод8 яив 25,121040 =5,8106 см, Затем проводят эксперимент по измерению пропускания пластинок разной толщины и определяют из них такую, чтобы начало роста пропускания приходилось наволновое число 1075 см с высокочастотной части полосы пропускания, Это и есть оптимальная тольцина при минимальной дефекгности пластинки и она равна для нашего суа 12 мкм, что показано на фиг. 2, Под ставив найденные значения в формулуМ=2 1058 10 ) ЕТ л 2 12 10986= - 558 эрг./см,получают поверхностную энергию кристалла, Погрешность составляет 2 ф,10 Формула изобретения Способ определения поверхностной энергии кристаллов, включающий определение модуля Юнга Е кристалла и облучение его электромагнитным излучением, регист рацию отраженного сигнала, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью увеличения числа типов излучаемых минеральных объектов, готовят естественные сколы, облучают ИК- излучением, измеряют отражение в области структурного мотива, образующего решетку в данной кристаллографической плоскости, по максимальному значению коэффициента отражения В структурного мотива определяют волновое число поверхностных колебаний Ъ, рассчитывают толщину т поверхностного слоя, подбирают пластинку кристалла толщиной Т, у которой положение начала края пропускания соответствует волновому числу продольных колебаний, измеряют толщину Т пластинки и по формулеЕЛР= --Т иопределяют поверхностную энергию.1693479 Редактор М. Янкоа орректор О. Ципле ,Тираж Подписноеосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 акаэ 4072 ВНИИП йю юо Фиг. 3. Спек оста аит ехред М ь Д. Пахомооргентал ОООМУЖОЬО 7
СмотретьЗаявка
4617838, 12.12.1988
ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. О. В. КУУСИНЕНА
КУЗНЕЦОВ СЕРГЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 21/35
Метки: кристаллов, поверхностной, энергии
Опубликовано: 23.11.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1693479-sposob-opredeleniya-poverkhnostnojj-ehnergii-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения поверхностной энергии кристаллов</a>
Способ контроля толщины покрытий
Номер патента: 1055965
Опубликовано: 23.11.1983
МПК: G01B 15/02
...согласно способу контроля толщины покрытий, заключающемся н том, что обьект контроля облучал пучком моноэнергетических электронон, регистрируют 55 спектр интенсивности отраженныхэлектронов и определяют толщину покрытия, облучение производят электронами с энергией н пределах 5-50 эВ, регистрируют спектры интенсивности упруго отраженных электронов до на. - несения покрытия и после нанесения покрытия, а толщину покрытия определяют по разности максимумов интенсивности отраженных электронов до нанесения покрытия и после.Способ контроля толщины покрытий осуществляется следующим образом.Электроны испускаются накаленной вольАрамовой нитью или оксидным катодом, образующийся электронный пучок с конечным энергетическим разбросом "1 эВ Аокусируют...
Способ определения параметров варизонного полупроводника
Номер патента: 1056315
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Неуймина, Стусь, Талалакин
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, параметров, полупроводника
...при указанном способе возбуждения направлено навстречу неосновным носителям, образующимся 10 при возбуждении кристалла. В результате основные носители скапливаются в небольшой области вблизи поверхности полупроводника, где Е равно Е,к ,. Поскольку спектр излучения (пик люминесценции) Формируют неосновные носители, то Е мюк "макс+ +АМ, гДе Ем- шиРина запРещенйой эоны на узкозонной поверхности полупроводника Ьмакс - энергия пика краевой люминесценции, т,е. энергия излученного кванта, при кото-ром интенсивность люминесценции имеет максимальное значение, а АЯ некоторая поправка, учитывающая положение уровня Ферми, глубину залегания примеси, через которую идет рекомбинация, а также особенности формирования пика люминесценции...
Бесконтактный способ измерения толщины нефтяной пленки на поверхности водоемов
Номер патента: 1059419
Опубликовано: 07.12.1983
Авторы: Прянишников, Шевелева, Якименко
МПК: G01B 11/06
Метки: бесконтактный, водоемов, нефтяной, пленки, поверхности, толщины
...предельного угла па. дения второго луча, при котором интенсивность отраженного луча составляет 0,1 - 0,01,от его максимальной интенсивности, находят ряд,значений толщины пленки как функции значений предельного угла падения второго луж в моменты экстремумов отражения первого луча и определяют по этому ряду значенЮ среднее значение толщины пленки.На фиг. 1 изображена функциональная схема устройства, с помощью которого реализуется предлагаемый бесконтактный способ измерения толщины нефтяной пленки на поверхности водоемов; на фиг. 2 - зависимости интенсивности отраженного первого луча от толщины нефтяной пленки и область возможных эначе. ний предельного угла падения второго луча в зависимости от толщины пленки при доверя. тельной...
Устройство для измерения пространственного распределения коэффициента пропускания объектов, прозрачных для ик излучения
Номер патента: 1165901
Опубликовано: 07.07.1985
Авторы: Лисянский, Морозов, Морозова
МПК: G01J 1/44
Метки: излучения, коэффициента, объектов, прозрачных, пропускания, пространственного, распределения
...изображения, трехзапоминающих устройств - 18-20,аналогового измерителя 21 отношений,формирователя 22 строчных и кадровьм 55синхроимпульсов и формирователя 23стробирующих импульсов, два входакоторого соединены с соответствую 901 .4щими выходами формирователя 22 строчных и кадровых синхроимпульсов и формирователя 17 стробирующих импульсов четных и нечетных кадров иэображения, а выход соединен с входом второго запоминающего устройства19, выход. которого подключен к первому входу видеоконтрольного устройства 11, к второму входу которого подключен формирователь 22 строчных и кадровых синхроимпульсов 22,вход которого соединен с одним выходом формирователя 16 тактовых импульсов, два входа которого подключены соответственно к датчикам...
Способ определения рассеяния энергии в материалах при колебаниях
Номер патента: 200259
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G01N 11/16, G01N 3/32
Метки: колебаниях, материалах, рассеяния, энергии
...определяют по соотношению величин подведенной и отведенной энергии.Предлагаемый способ отличается тем, что, с целью повышения точности измерений, одноьременно измеряют перемещения образца и подвижного стола вибратора н рассчитывают величину рассеянной энергии по соотношению амплитуд этих перемещений.На чертеже изображена схема измерений перемещений, деформаций и настройки на резонанс для определения демпфирующих свойств материала испытуемого образца.С пульта управления электродинамическим вибратором 1 ручкой усиления на звуковом генераторе устанавливается определенный уровень резонансных напряжений в испытуемой детали 2. Сигнал с тензодатчика 3 через усилитель 4 выводится на катодный осциллоскоп б и ламповый вольтметр 6. Регистрация...
Предыдущий патент: Способ определения вольфрама в твердых материалах
Следующий патент: Способ определения степени суммарного загрязнения почвы темноокрашенными нейтепродуктами
Случайный патент: Распределительное устройство