Абоян

Способ получения рентгеновских проекционных топограмм

Загрузка...

Номер патента: 1748030

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: проекционных, рентгеновских, топограмм

...рассеяния (в рассеиваемом объеме не происходит многократныхотражений); на фиг. 3 и 4 - топографы, полученные способом-прототипом и предлагаемым способ соответственно.Определив ширины первичного и дифрагированного пучков и их направленияхнаправления сканирования), можно с помощью часового механизма регулироватьшаговые движения образца и пластинки,Казалось бы, при сканировании образца(кристалла) с шагом, равным ширине первичного пучка, области кристалла,подобные ВВ 1 В (фиг, 1), проектируютсядважды и независимо от скорости перемещения пластинки картины таких областейна ней получаются дважды.Однако нетрудно убедиться в том, чтодифракционно проектируемыми зонамикристалла являются только области, облучаемые первичными пучками, т,е....

Рентгеноинтерферометрический способ исследования дилатационных несовершенств монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1679313

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: дилатационных, исследования, монокристаллов, несовершенств, рентгеноинтерферометрический

...от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего кристалла, получают1 11 оьь ЮьоКопо - Ив1. В двухкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первого и второго кристаллов отличаются одно от другого, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или второго кристалла.2. В трехкристальных интерферометрах, когда межплоскостные расстояния отражающих плоскостей первых двух(первого и второго) или последних двух (второго и третьего) кристаллов одинаковы, но отличаются от межплоскостных расстояний оставшегося (третьего или первого) кристалла, период муаровых картин зависит от того, падает ли первичная волна со стороны первого или третьего...

Рентгеноинтерферометрический способ исследования кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1673933

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Абоян, Безирганян, Хзарджян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кристаллов, рентгеноинтерферометрический

...даже до их проектирования, не полны - они преимущественно представляют картины полей деформации, возникших в направлении нормали отражающих плоскостей.В рентгеноинтерферометрических исследованиях, кроме перечисленных, регистрируемые дифракционные изображения (муаровые картины) сильно зависят от направления поворотов отражающих плоскостей, вызванных несовершенствами кристаллов интерферометра, от характера изменения межплоскостных расстояний отражающих плоскостей, от как абсолютного, так и относительного месторасположения несовершенств кристаллов интерферометра. Если в случае отдельного кристалла при формировании дифракционного изображения основную роль играет относительное расположение векторов Бюргерса и дифракции, то в...

Способ получения высокопрочных деталей из порошка на основе железа

Загрузка...

Номер патента: 1542696

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Абоян, Мамян

МПК: B22F 3/12, B22F 3/24, B22F 7/02 ...

Метки: высокопрочных, железа, основе, порошка

...1 табл. засыпки порошка сердцевины устанавливают верхний цилиндрический пуансон, Двухсторонним прессованием формуют сердцевину прямо в поверхностном слое. Когда торцы стержневых и втулкообразных пуансонов совпадут, получают двухслойную прессовку с почти равномерной пористостью 25 - 35% и тут же осуществляют допрессовку до получения пористости 10 - 25%.После холодного прессования брикеты подвергают спеканию при 1150 С в течение 1 - 2 ч в атмосфере водорода или диесоциированного аммиака, Изменением выдержки при максимальной температуре спекания можно регулировать форму кривой науглероживания, С целью предотвращения выгорания углерода спекаемые брикеты помешают в контейнер и засыпают смесью А 10 з+3 - 5% графита. Спекание проводят в...

Электродное устройство

Загрузка...

Номер патента: 1202547

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Абоян, Коган, Красулин, Шепилов

МПК: A61B 5/04

Метки: электродное

...устройство и схема его подключения.Электродное устройство 1 соединено через реограф 2 с самописцем 3, Устройство 1 состоит из трубчатого корпуса 4, выполненного из диэлектрического материала, свинцовых контактных элементов 5"12), неподвижно закрепленных на штоках,13, Последние расположены в отверстиях 14, корпуса в которых плотно фиксируются с помощью пружинящих элементов 15 и пластмассовых тормозных колодок 16, помещенных в каналах 17 корпуса. Электроды попарно с помощью кабелей 18, проходящих внутри штоков, соединяются с входящим каналом реографа 2, электрические сигналы с которого подаются на самописец 3. Пары электродов составляются в зависимости от необходимости изучения кровообращения в различных зонах полового члена....

Генератор импульсов

Загрузка...

Номер патента: 479229

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Абас-Оглы, Абоян, Ломакин

МПК: H03K 3/55

Метки: генератор, импульсов

...между анодом тиратрона 11 и точкой соединения накопителя 2 с зарядной цепью 3, а обмотка 6 подключена одним выводом к нагрузке 18, а другим к катоду тиратрона 11. Конденсатор 15 включен между анодами тиратронов 11 и 12, Катод тиратрона 12 подключен к нагрузке 18, а его сетка присоединена к средней точке делителя 13. Накопитель 8 подключен через зарядную цепь 9 к источнику 10 питания и через модуляторную лампу 7 к нагрузке 18. Дополнительный резистор 17 включен между нагрузкой 18 и обмоткой 6, а разрядник 14 через делитель 13 подключен параллельно резистору 17.Генератор работает следующим образом.После поджига тиратрона 11 накопитель 2 разряжается на нагрузку 18 через последовательно включенные обмотки 5 и 6 импульсного...