Скупов

Номер патента: 2002613

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Аплетов, Григорьева, Давыдов, Скупов, Щербаков

МПК: B28B 1/08

Метки: арболита, формования

...ВС изменяют 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 его частоту и в пределах длины хода штока (16) варьируют размах высот сброса рабочего органа (1) на наковальню (2) в зависимости от типа формуемой смеси,После нескольких тактов уплотнения оси (8) пуансона-пригруза (9) опускаются в проушинах (6) и зафиксируются фиксаторами (7). Вследствие упругой подвески пуансона-пригруза при каждом такте удара рабочего органа о наковальню проходит несколько периодов вибрации пуансона-пригруза, что обеспечивает виброзаглаживание верхней поверхности и снятие внутренних упругих напряжений в образцах. В зависимости от установленного времени выдержки временное реле (29) подключает ждущий мультивибратор (28) к триггеру Шмитта (24). Ждущий мультивибратор (28)...

Номер патента: 2002264

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Аплетов, Давыдов, Скупов, Щербаков

МПК: G01N 33/38

Метки: качества, прочность

...кг/см . а относительную циклическуюдеформацию. изменяющуюся по закону выбирают в пределах 6 = 1/3 при циклической частоте порядка 1 Гц.По полученным диаграммам вычисляют реологические коэффициенты по следующим зависимостям: где А - разность напряжений в крайних точках деформации( е= О, г= 2 к,) установившегося режима,8 - разность напряжений в точках, соответствующих половине амплитуды относительной деформации ( к = а ) установившегося режима;С - разность напряжений. при относительной деформации, равной нулю ( е= О) для статического нагружения и.установившегося режима.В результате последовательных испытаний серий образцов регистрируют массив экспериментальных данных, характеризующий зависимость реологических коэффици.- ентов Е 1. Е...

Номер патента: 1779593

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Аплетев, Горев, Давыдов, Скупов, Щербаков

МПК: B28B 1/08

Метки: смесей, строительных, уплотнения

...выше центра тяжести, а концевики двуплечих рычагов с роликовыми захватами 20 смещены относительно линииподвеса, последние свободно проходят между опорными стойками 17 и ребордой матрицы 13 при опускании пуансона-пригруза в проушины.При включении механизма 6 привода эксцентрик 7 давит на торец горизонтального толкателя 8, вызывая подьем рабочего органа на требуемую высоту сброса. При срыве с эксцентрика толкателя 8 рабочий орган под действием веса падает на наковальню 2, а толкатель 8, набрав инерцию обеспечивает поджатие рабочего органа к наковальне на время переукладки смеси, эа счет чего компенсируется отскокПеремещение горизонтально-подвижного толкателя 8 на время переукладки смеси обеспечивается эа счет подъема опорной плиты...

Номер патента: 1738660

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Аплетов, Викулов, Власкин, Давыдов, Скупов, Хомяков, Щербаков

МПК: B28B 3/08

Метки: арболитовых

...цилиндра 27 и рычагов 25 и 26 протягивается на роликовых ступицах 19 по столу 24, поверхость которого совпадает с верхним обрезом матрицы, и фиксируется в ее проушинах и направляющих от поперечных смещений роликовыми ступицами, а от продольных смещений рычагами 25 и 26, Реле 15 времени устанавливается на заданный цикл формования и включает мотор-редуктор 14 привода эксцентрикового кулачкового механизма 13, Матрица 4 с кареткой-питателем 20, опертые на поддон и плиту, поднимаются на высоту 6 см, определяющую оптимальный режим истечения и послойного уплотнения смеси. При срыве с эксцентрика штока кулачкового механизма плита с установленными на ней поддоном, матрицей, кареткой-питателем ударяется о наковальню 12, В момент удара 5 10 15...

Номер патента: 1726251

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Аплетов, Давыдов, Скупов, Щербаков

МПК: B28B 1/08

Метки: арболита, многокомпонентного, формования

...работает следующим образом.После загрузки формы 1 смесью жестко закрепляют пуансон-пригруз 5 в станине 3 штоком 6 на высоте 6 - 8 см над верхней поверхностью смеси, Регулятором частоты 8 задают частоту следования генерируемых мультивибратором 7 импульсов порядка 12 Гц. Магнитные пускатели 9 в соответствии с частотой следования и длительностью генерируемых импульсов подключают поочередно питание на соответствующие обмотки силовых электромагнитов 10, При подключении магнитным пускателем питания на верхний электромагнит подъемное усилие от якоря 11 через шарниры 12 передается подвижной раме 2, которая с ускорением движется вверх до удара смеси о пуансон-пригруз 5, При длительности генерируемого импульса больше времени подьема рамы и удара...

Номер патента: 1726248

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Аплетов, Давыдов, Скупов, Щербаков

МПК: B28B 1/08

Метки: смесей, строительных, уплотнения

...упругой прокладкой 10, а от горизонтальныхперемещений удерживается роликовымиупорами 11, скользящими по вертикальнымнаправляющим 12 опорной плиты 8, Аналогично удерживается от перемещений в горизонтальной плоскости рабочий орган 1своими роликовыми упорами 11, скользящими по вертикальным направляющим 12рабочего органа.Устройство работает следующим образом.При включении механизма 4 приводаэксцентрик 5 давит на торец среднего горизонтально-подвижного толкателя 6. Перемещение тол кателя 6 вызываетперемещение центральных шарниров шарнирных двухзвенников 7 и подъем рабочегооргана 1 в вертикальных направляющих 12.Средний толкатель 6, не доводя центральные шарниры шарнирных двухзвенников 7до нейтрального положения, освобождается от...

Номер патента: 1702242

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Скупов, Скупова, Цыпкин

МПК: G01N 3/42

Метки: кристаллов, нарушенного, слоя, толщины

...ТОЛЩИНЫНАРУШЕННОГО СЛОЯ КРИСТАЛЛА(57) Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоякристалла. Целью изобретения является поИзобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушения слоя кристалла, и может быть использовано, например, в электронной промышленности,Целью изобретения является повышение точности, определения .толщины нарушенного слоя кристалла путем учета возможности постоянства твердости при разных значениях дефектности кристалла.Способ осуществляют следующим обраверхностн ют толщиым стравиндентор и остоянных нах выдер ометричес Послойно стравливают по слои кристалла, определя стравленных слоев, перед кажд ванием в кристалл...

Номер патента: 1622141

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Жуков, Перевощиков, Скупов

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллических, пластины, полупроводников, резки, слитков

...торца визуально и на металлографическом микроскопе МИМ.Обнаружено, что направление с минимальной плотностью ямок травления близко к одному из кристаллографичес ких направлений (100), на этом же направлении располагается зона с наименьшей плотностью дефектов.В этой зоне плотность ямок травления усредненная (с надежностью 0,98), по 15 полям зрения микроскопа составляет 9+5 ят/см, а в остальной части слитка в среднем - (1,1+0,7) х х 10 ят/см, причем в направлениях .(110) она достигает величины (5,3+ + 0,9) 10 з ят/см .35После того, как на торце слитка получают направление и зону с минимальной дефектностью, его ориентируют для резки по плоскости (001),40 а затем с помощью мастики приклеивают по образующей на оправку. Сначала слиток...

Номер патента: 1423391

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Антипов, Аплетов, Власкин, Володина, Зыков, Карташев, Скупов, Чепелев, Щербаков

МПК: B28B 1/087

Метки: бетонных, смесей, уплотнения

...рессуюшее приспособление состоит из 1 зпорной плиты 17 и опертой на нее через эластичные прокладки 8 наковальни 19 с ударником 20,установленным на наковальню 19 через пружины 21, расположенные в направляющих стаканах 22 и 23.Устройство работает следующим образом.На подвижную раму 4 устанавливают форму 12 с формуемой смесью, а на нее прессующее приспособление, состоящее из опорной плиты 17, эластичной прокладки 18 накольвани 19 и подпружиненного относигельно последней ударника 20. Ударник 20 установлен на наковальню 10 при помощи пружин 21, расположенных в направляющих стаканах 22 и 23. Пружины 2 подбирают 5 10 15 20 25 ся так, чтобы было положизельное рассогласование фаз ударов ударника 20 о наковальню 19 в пределах 0 - :ч/3.При...

Номер патента: 1256928

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Коптелов, Перевощиков, Скупов

МПК: B24B 1/00

Метки: твердых

...выхаживания с применением свободного абразива ее действие на дефекты, введенные при .шлифовке, будет противоположным току, которое обуславливает возникновение этихдефектов. Например, если при шлифовке введены положительные по отношению к ориентации силы резания дислокации, скользящие в глубь материала, то при смене ориентации силырезания на противоположную эти дислокации оказываются отрицательными истремятся выйти из кристалла. Приэтом частично снимаются механическиенапряжения, локализованные вблизидислокационных скоплений, что сниПосле шлиФования н выхаживания на рентгеновском трехкристальном спектрометре измеряют остаточную деформацию кристаллической решетки и разброс на поверхности пластин в 7- Я точках, отстоящих одна от другой...

Номер патента: 1032882

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Вейцман, Кривко, Самойлов, Скупов, Темес

МПК: G01N 23/20

Метки: металлических, поверхности, рентгеноструктурного, состояния

...прибором, соединен-, ных со счетчиком. Контролю подвергается деталь.Деталь перемещают относительно источника и счетчика, при этом измеряют интенсивность отраженного от детали излучения в зоне максимальнойкрутизны дифракционной линии и поизменению интенсивности определяют,например, изменение величины и знакаостаточных напряжений в поверхностном слое детали. В том случае, когда интенсивность отраженного излучения регистрируется,например, на диаграммной ленте, двигающейся с той же скоростью, что и . деталь, на ленте можно легко отметить все аномальные участки поверхности детали.Предлагаемый способ позволяет ускорить и упростить контроль состояния поверхности по всей протяженнос". ти детали и исключает вероятность появления...

Номер патента: 920480

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Петряев, Скупов

МПК: G01N 23/207

Метки: рентгеновский, спектрометр

...10 и затем регистрируются детектором 11.Для выведения кристаллов 9 и 10 в отражающее положение и регистрации угла отражения используют устройство, связанное с кристаллодержателями и представляющее собой рычаг. заданной длины и микрометрический винт, Отсчет углов и регистрация угловых приращений проводится по индикатору, связанному с микро- метрическим винтом.Спектрометр работает следующим образом. Лучи от источника 1 после прохождения коллиматора 2, умень.шающего угловую расходимость, попадают ча поликристаллический монохро атор 3. Отражение от этого монохроматора представляет собой совокупность коаксиальных (дебаевских)конусов, угол при вершине каждогоиз которых равен 4, где 9брэгговский угол для семействакристаллографических...

Номер патента: 873068

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: кристаллов, ориентировки

...кристалла на 180в собственной плоскости, фиксациювторого угла отражения исследуемогокристалла, параллельно исследуемомукристаллу на фиксированном расстоянии устанавливают с помощью подпружиненного Фиксатора эталонный крис-:талл в отражающее положение путемповорота обоих кристаллов вокруг .оси дифрактометра, Фиксируют уголотражения, затем поворачивают исследуемый кристалл на 180 в собственоной плоскости, Фиксируют второйугол отражения эталонного кристаллаи определяют угол среза исследуемого кристалла по формуле:0-о Ра. Р2 2где( и а,- углы, соответствующиеположениям отраженияисследуемого кристалладо и после поворота егона 180 в собственнойплоскостии г углы соответствующиеположениям отраженияэталонного кристалладо и после поворота...

Номер патента: 873067

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...постоянны и собственные оси вращения кристаллов совпадают с отражающими поверхностями, что обеспечивает расширение функциональных возможностей спектрометра,На фиг.1 и 2 представлены схемы спектрометра для измерения малых О(45 о) и больших(9145 ф)углов отражения соответственно на фиг.3 и 4- схемы для расчета углов поворотов кристаллов спектрометра при В 45 и 9745 Спектрометр содержит размещенные на основании 1 рентгеновскую трубку 2, коллиматор 3, кристалл-монохроматор 4, исследуемый кристалл 5 и детектор 6 излучения, расположенный на круговом основании 7, Кристаллы 4 и 5 установлены на держателях 8 и 9, жестко закрепленных на подвижных платформах 10 и 11, имеющих -общую ось поворота О, и снабжены механизмами 12 и 13 поворота с...

Номер патента: 857816

Опубликовано: 23.08.1981

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/20

Метки: рентгеновский, спектрометр

...и кристалла-анализатора, а- также рентгеновских лучей при измерении деформации кристаллической решетки.Рентгеновский спектрометр содержит источник 1 рентгеновских лучей, устройство 2 его линейного перемещения по вертикали, плоские зеркала 3, 3, механизм 4 поворота плоских зеркал, щелевое устройство 5, механизм 8 перемещения целевого устройства относительно плоских зеркал, кристалл-монохроматор 7, щелевое устройство 8, плоское зеркало 9, механизм 10 поворота плоского зеркала, исследуемый кристалл 11, кристалл- анализатор 12, детектор 13 излучения.Источник 1 рентгеновских лучей связан с устройством 2 линейного перемещения по вертикали. На пути от источника расположены два плоских зеркала 3 и 3 для полного внешнего отражения лучей...

Номер патента: 779866

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Голицын, Скупов

МПК: G01N 23/207

Метки: исследования, монокристаллов, структуры

...ось вращения 17 имеют такжела-монохроматара, эталонного кристалла рентгеновские трубки 2 и 1 1, Эта осьи кристалла-анализатора, прйчем источни О проходит через центры фокусов трубок.ки рентгеновского излучения и держатели Ось 17 является неподвижной, жесткокристаллов-анализаторов спектрометров, связанной с основаниями спектрометров,установленных с возможностью независи- а переход на другие порядки дифракциимьа поворотов вокруг общих осей, держа- осуществляется поворотом рентгеновскихтели кристалла-монохрохматора и исследу источников.емого кристалла первого спектрометра Гониометры кристаллов-анализаторови держатели кристалла-монохроматора и 5 и 14 также имеют общую ось враще-эталонного кристалла второго спектромет- ния 18, багодаря...

Номер патента: 718769

Опубликовано: 29.02.1980

Автор: Скупов

МПК: G01N 23/207

Метки: рентгеновский, спектрометр, трехкристальный

...значения 68 лежат в интервале от Ч /2 до О, а положительные - от Ч до Ч /2.К чистоте обработки поверхности зеркала предъявляются такие же требования, как и к поверхности призм, используемых при определении предельного угла полного внешнего отражения рентгеновских лучей.При измерениях ьО сначала на место кристалла 4 устанавливают эталон (недеформированный кристалл). Отраженный от него луч, претерпев полное внешнее отражение на зеркале 6, падает на кристалл-анализатор 5, Угол отражения от анализатора 8, фиксируется по индикатору и служит началом отсчета при определении приращения ьО = О -Оо Затем на место эталона устанавливается исследуемый образец. Если образец деформирован, то отра.женный от него луч Гудет падать на зеркало 6...