Способ определения толщины нарушенного слоя кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5)5 6 01 Й 3/42 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ К АВТОРСКОМУ ЕЛЬСТВ еышение точности. Поставленная цепь достигается за.счет того, что при послойном стравливании поверхности слоев кристалла. сопровождающимся внедрением индентора при постоянной нагрузке и времени выдержки под нагрузкой дополнительно внедряют индентор при другом постоянном времени выдержки под нагрузкой, а за толщину нарушенного слоя принимают общую толщину стравленных слоев при которой наступает стабилизация геометрических параметров отпечатков индентора при каждом времени выдержки под нагрузкой. слоя принимают общую толщину стравленных слоев, при которой наступает стабили- Б зация геометрических параметров отпечатков индентора прИ каждом времени выдержки под нагрузкои.Для повышения надежности производят внедрение индентора при более чем двух временах выдержки под нагрузкой пе-, Ю ред каждым стравливанием поверхностного ЬЭ слоя, строят зависимость размеров выбранного геометрического параметра отпечат- Я ков от времени выдержки индентора под нагрузкой, а за толщину нарушенного слоя принимают общую толщину стравленных слоев, при которой стабилизируется полученная зависимость. эо ые ну лина жкикое НЫ ФормулаСпособ опрешенного слоя критом, что послойноные слои кристал имер, длбины вненарушен е- о ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫНАРУШЕННОГО СЛОЯ КРИСТАЛЛА(57) Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоякристалла. Целью изобретения является поИзобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушения слоя кристалла, и может быть использовано, например, в электронной промышленности,Целью изобретения является повышение точности, определения .толщины нарушенного слоя кристалла путем учета возможности постоянства твердости при разных значениях дефектности кристалла.Способ осуществляют следующим обраверхностн ют толщиым стравиндентор и остоянных нах выдер ометричес Послойно стравливают по слои кристалла, определя стравленных слоев, перед кажд ванием в кристалл внедряют постоянной нагрузке и двух и отличных между собой време под нагрузкой, измеряют ге параметры отпечатков, нвп диагоналей отпечатков или гл ния индентора. За толщину зобретения, деления толщины нару- таяла, заключающийся в стравливают поверхностов, оп ределяют толщи1702242 Составитель С.ВолобуевТехред М,Моргентал Корректор М.Максимишинец Редактор Л.Народная Заказ 4537Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 ну стравленных слоев, перед каждым стравливанием в кристалл внедряют индентор при постоянной нагрузке и постоянном времени выдержки под нагрузкой, измеряют геометрические параметры отпечатков индентора, а о толщине нарушенного слоя судят по стабилизации параметров отпечатков и толщине стравленных слоев, о т л и, ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности, перед каждым стравливанием производят второе внедрение индентора при нагрузке, равной нагрузке при первом внедрении и постоянном времени выдержки под нагрузкой, отличном от времени вы держки при первом внедрении, измеряютгеометрические параметры отпечатков при втором внедрении, а о толщине нарушенного слоя судят с учетом стабилизации геометрических размеров отпечатков при втором 10 внедрении.
СмотретьЗаявка
4484852, 20.09.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8657
СКУПОВ ВЛАДИМИР ДМИТРИЕВИЧ, СКУПОВА ТАТЬЯНА НИКОЛАЕВА, ЦЫПКИН ГРИГОРИЙ АЛЬБЕРТОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 3/42
Метки: кристаллов, нарушенного, слоя, толщины
Опубликовано: 30.12.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1702242-sposob-opredeleniya-tolshhiny-narushennogo-sloya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения толщины нарушенного слоя кристаллов</a>
Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины
Номер патента: 599662
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров
МПК: H01L 21/263
Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя
...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...
Способ а. ф. никулина определения глубины нарушенного слоя обработанной поверхности объекта
Номер патента: 1174726
Опубликовано: 23.08.1985
Автор: Никулин
МПК: G01B 5/00
Метки: глубины, нарушенного, никулина, обработанной, объекта, поверхности, слоя
...определения глубины нарушенного слоя обработанной поверхности объекта, заключающемуся в том, что делают секущий шлиф объекта, проводят трав ление поверхности шлифа, находят границу нарушенного слоя и по ее положению определяют глубину нарушенного слоя, перед получениемшлифа записывают профилограмму 50 поверхности, перед травлениемзаписывают профилограмму поверхности шлифа в направлении, которое является проекцией первой профилограммы на поверхности шлифа в той же 55 системе координат, травление осуществляют изотропным травителем, после травления записывают профилограмму поверхности протравленного шлифа в том же направлении и в той же системе координат, что и в предыдущие профилограммы, и находят на третьей профилограмме границу...
Способ определения толщины нарушенного слоя на поверхности кристаллов
Номер патента: 1455786
Опубликовано: 07.07.1993
Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко
МПК: C30B 33/00
Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины
...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...
Устройство для определения момента окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур
Номер патента: 1608486
Опубликовано: 23.11.1990
Авторы: Михалев, Монахов, Петров, Попов, Степанов
МПК: G01N 5/00
Метки: момента, нарушенного, окончания, полупроводниковых, слоя, структур, травления
...1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью...
Способ измерения толщины нарушенного слоя на поверхности монокристалла
Номер патента: 316136
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Линева, Малкин, Терман
МПК: H01L 21/66
Метки: монокристалла, нарушенного, поверхности, слоя, толщины
...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...
Предыдущий патент: Установка для испытания на усталость группы образцов
Следующий патент: Способ испытания материалов на абразивную износостойкость при трении
Случайный патент: Способ изготовления окрашенного в массе красного (меднорубинового) листового стекла