Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов

Номер патента: 152034

Авторы: Батавин, Волков, Русаков

ZIP архив

Текст

" .б 1 Ч иодиик изовРетввивАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ одписная группа97В, В, Русаков, А, Ф. Волков и В, В. Батавии ОСОБ ОБРАБОТКИ р-п ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬХПРИБОРОВЗаявлено 16 марта 1962 г. за769224/26.9 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРОпубликовано в Бюллетене изобретений23 за 1962 г,В известных способах обработки р-и переходов полупроводниковых приборов защитную окисную пленку на их поверхности создают путем анодного оксидирования при использовании в качестве электролита дистиллированной воды,В описываемом. способе придание защитной окисной пленке гидрофобных свойств и повышение надежности защиты поверхности р-и переходов достигается тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 в 8 в течение 10 - 20 мин.Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СРили в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 мгом и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10мм рт, ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.152034 Предмет изобретения Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П, Курилко Корректор Г, Кудрявцева Объем 0,18 пад. л. Цена 4 коп.Формат бум. 70 К 108/иТираж 1150ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытийпри Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский пер д, 2/6. Поди, к печ. 15/Х 11 - 62 г3 ак. 3652/9 Типография, пр. Сапунова, 2. Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов путем создания защитной окисной пленки на их поверхности в результате анодного оксидирования, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью придания защитной окисной пленке гидрофобных свойств для повышения надежности защиты поверхности р-п переходов, пленку подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 - 800 в течение 10 - 20 мин.

Смотреть

Заявка

769224, 16.03.1962

Батавин В. В, Волков А. Ф, Русаков В. В

МПК / Метки

МПК: C22F 1/02

Метки: переходов, полупроводниковых, приборов, р-п

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-152034-sposob-obrabotki-r-p-perekhodov-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов</a>

Похожие патенты