Способ определения отсутствия контакта в полупроводниковых диодах

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1407341

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Малышева, Павельев

МПК: H01L 29/47

Метки: полупроводниковый, свч-диод

Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

Номер патента: 468331

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Дощечкин, Поволоцкий, Файнберг

МПК: H02H 3/00

Метки: вторичных, защиты, обрывов, трансформаторов, цепей

...вторичной обмотке 3 трансформатора1 ниже порога включения стабилитронов7 и Я,ток по катушке реле 6 не протекаети это реле не включается. 10При нарушении исправности (обрыве) вто-;ричной цепи трансформатора тока 1 на еговторичной обмотке 3 напряжение увеличивается, достигая напряжения включениястабипитронов 7 и 8. По катушке реле 6 15протекает ток и это реле включается, егоконтакты отключают установку и подаютоб этом соответствующие сигналы,Благодаря наличию двух встречно включенных стабипитронов 7 и 8, один из них 20в соответствующий попупериод работаеткак диод, а другой - пороговым элементом,и наоборот.Вместо двух встречно включенных стабипитронов 7 и 8 может быть примененодин симметричный стабипитрон,С помощью сопротивления 9...

Номер патента: 603924

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Горохов, Коробков, Петров

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичный, испытаний, многократных, полупроводниковых, приборов, пробой

...исполнительйый орган, и ея сколь угодно большуюдлительность.На чертеже показана блок-схема описываемого устройства.Устройство содержит клеммы 1,2 для З 0подключения испытуемого прибора 3, генератор импульсов 4 пилообразного напряжения, блок 5 формирования управляющих импульсов, импульсные выходные трансформаторы 6, 7, 8, коммутирующий,:элемент 9, 35ключ.10, триггер 11, блок возврата 12,осциллограф 13, токосъамный резистор 14,Работает устройство следующим образом, В исходном состоянии блок возврата12 запускаемый генератором импульсов 4 40по заднему фронту пилообразного импульса,формирует импульсы возврата, которые закрывают.Пилообразный импульс через открытыйкоммутирующий элемент 9 и токосъемный 45резистор 14 подается на испытуемый...

Номер патента: 148439

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Иванчук, Липман, Рубинов

МПК: H03F 3/10, H03F 3/26

Метки: двухтактный, диодах, полупроводниковых, реверсивный, управляемых, усилитель

...питающего напряжения. Условие гашения управляемого диода выполняется независимо от величины индуктивности нагрузки и момента подачи сигнала управления, если величина емкости конденсатора, входящего в гасящую цепочку, удовлетворяет неравенству1 - 7 --с) "У ая + -где т=2 лЯС; Я, - активная составляющая сопротивления нагрузки Н;- частота питающего напряжения; Р - величина активного сопротивления, входящего в гасящую цепочку. Величина активного сопро. тивления Я не превышает 5 - 89 о от сопротивления нагрузки. В некоторых случаях это сопротивление, ограничивающее импульсный ток управляемых диодов, может быть исключено из гасящей цепочки, так как управляемые диоды допускают значительную импульсную перегрузку.При работе усилителя на...