Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах

Номер патента: 728120

Опубликовано: 15.04.1980

Автор: Шор

МПК: G05F 1/56

Метки: высоким, выходным, нелинейных, повышения, рабочего, сопротивлением-мультитрон, элементов

...7 и диодов б выбрано так, что 40ток коллектора транзистора 7 превышает токбазы транзистора 5 на границе насыщения вовсем допустимом диапазоне токов коллекторатранзистора 5. Напряжение в режиме насьпцениятранзисторов мало, стабилнтроны 8,.9, 10заперты и не оказывают влияния на работусхемы, так как их обратные токи меньшеобратных токов транзисторов (за счет соответствующего соотношения площадей переходов),При уменьшении тока базы ниже границынасьпцения, транзистор 1 переходит в активныйрежим; и напряжечис на нем растет. Когданапряжение на транзисторе 1 приближается кнапряжению пробоя стабилитрона 8, последнийпробивается и уменьшает ток базы транзистора5 в ячейке 2, транзистор 5 переходит в активный режим и далее напряжение на...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Номер патента: 1025296

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Прокофьев

МПК: H01L 27/14

Метки: излучения, полупроводниковый, преобразования, прибор, светового, сигнал, электрический

...транзисторов соединены со стоками усилительных транзисторов, стоки адресных транзисторов соединены с горизонтальными адресными шинами, а истоки усилительных транзисторов в нечетных столбцах соединены с первой выходной горизонтальной шиной, в четных - с второй.На фиг.1 приведена электрическая схема полупроводникового прибора, на фиг.2 - временная диаграмма тактовых импульсов управляющего напряжения, поясняющая работу устройст-,Двумерный полупроводниковый прибор для преобразования световогоизлучения в электрический сигнал,эквивалентная электрическая схемакоторого показана на фиг.1, содержитгоризонтальные стоки фоточувствительных ячеек 1, которые соединены повертикали адресными вертикальнымишинами 2. Каждая горизонтальнаястрока содержит...

Номер патента: 524311

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Каспин, Талинский

МПК: H03K 4/50

Метки: выходного, генератор, запоминанием, значений, линейно-изменяющегося, сигнала, текущих

...открывающие разрядный ключ 4, через который конденсатор 1 разряжается донулевого значения напряжения,С конденсатора 1 пилообразное напряжение положительной полярности поступает навход буферного каскада 5 на полевом транзисторе, представляющего собой истоковыйповторитель.С выхода каскада 5 пилообразное напряжение положительной полярности поступает 5 на неинвертируюший вход операционного усилитепя 14, С выхода усилителя 14 снимается линейно-изменяющееся напряжение, полярность которого определяется величинойи полярностью напряжения смешения, пода ваемого на инвертируюший вход этого усилителя с делителя напряжения 15, При наличии на инвертируюшем входе усилителя14 нулевого или некоторого отрицательногонапряжения смешения с его выхода...

Номер патента: 1517674

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Игнатьев, Насыров

МПК: H01L 31/0203

Метки: гамма-излучения, детектор, полупроводниковый

Полупроводниковый детектор гаммаизлучения, содержащий чувствительный элемент p-n p-i-n-структуры, перед которым по отношению к падающему излучению установлен передний конвертер из легкого материала Z1 7, отличающийся тем, что, с целью повышения избирательности детектора к гамма-излучению в импульсных полях смешанного гамма-нейтронного излучения и уменьшения временного разрешения детектора, он содержит задний конвертер из тяжелого материала Z2 40 толщиной L d2