Способ определения температуры электронно-дырочного перехода полупроводниковых приборов, находящихся под нагрузкой
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
дписная группа М 9 в и Б,М, Юдови Ю. В, Сахаров, А. А. Алещк СПОСОБ ОГ 1 РЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОН НО-ДЫРОЧ НО ОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБПОД НАГРУЗ ТЕМПЕРАТУРЫГО ПЕРЕХОДАРОВ, НАХОДЯЩИХСЯКОЙ М 32234/26рн Совете Мипетров СССт Заявлено 27 мая 1961 г. за омитет по делам изобретений и открытийпубанковано в Бюллетене изобретений М 20 за 962 г. вных носителей товлен прибор) нно при ма становки, п включается врерывателя 3 п ек аИзвестные способы определения температуры электронно-дырочиогоперехода полупроводниковых приборов в силу инерционности темпертурных датчиков не позволяют быстро и точно контролировать температуру электронно-дырочного перехода в перегрузочном режиме, про.должительность которого часто составляет сотые доли секунды.Описываемый способ практически безынерционен и поэтому не имет указанных недостатков,Способ основан на изменении времени жизни неоснотока в полупроводниковом материале из которого изгов зависимости от температуры,Это упрощает процесс измерения особе ссовой проверкеоднотипных полупроводниковых приборов.На чертеже изображена блок-схема измерительной уоясняющей описываемый способ.Исследуемый полупроводниковьй прибор вентиль) 1силовую цепь, состоящую из силового трансформатора 2, п(механического, ионного и т. п.) и нагрузки 4.Измерительная часть представляет собой обычную схему для измерения времени жизни неосновных носителей тока по переходной характеристике электронно-дырочного перехода и состоит из: генератора 5 импульсов, импульсного осциллографа б и устройства 7, включающего делитель, ограничитель и переключатель.Прерыватель т синхронизован с трансформатором таким образом,что он пропускает ток в прямой полупериод и разрывает силовую цепьпри прохождении прямого тока через нуль, обесточивая ис ледуемыйвентиль 1 в течение всего обратного полупериода,С трансформатором 2 синхронизован также генератор 5 импульсовЗапуск его происходит по истечении некоторого времени после р ррмат бум УОХ 08/1 ирак150иий и открытий и.1 оГ1 о . иЛак 102 11,ЯИ изд. с 4 кои ГХСР о и.и и ки, 11 ирииа 1 ни 1 ка 14 п(ни 51 прохождения )рямого тока через вентиль т с тем, чтобы Б иссл(.- дуемом приооре закончились переходные процессы. С генератора 5 на ентиль 1 подаотся импульсы прямой и обратной полярности и с помощью осциллографа 6 производится определение времени жизни нсоновных носителей тока в полупроводниковой пластине прибора, нартой током, протекакпцим через электронно-дырочный переход при нра в прямой полупериод,11 о измеренному времени жизни и его зависимости от температуры для данного образца определяется температура электронно-дырочн(- го перехода. Зависимость времени жизни неосновных носителей тока для пссле 1 уемого образца или группы образцов предварительно нимается в термостате Оез пропускания тока через прибор в прямом направлении,Так как готоянная установления времени жизни с изменением тем ;ературы на несколько порядков ниже постоянной спадания температуры нагретой полупроводниковой пластины прибора, это позволяет определять температуру перехода как в установившемся режиме, так и ри кратковрем(-нных перегрузках.Предмет изобретенияСпооб Определения температуры электронно-дырочного перехода полупроводниковых приборов, находящихся под нагрузкой, Отл и ч а ющ и й с я тем, что, с целью упрощения способа при массовой проверке однотипных полупроводниковых приборов, снимают зависимость времени жизни неосновных носителей от температуры для данного типа приборов и, измеряя время жизни носителей, посредством полученной заисимости нахс.1 яг температуру перехода испытуемого прибора под нагрузкой.
СмотретьЗаявка
732234, 27.05.1961
Алешков А. А, Сахаров Ю. В, Юдович Б. М
МПК / Метки
МПК: G01N 13/00
Метки: нагрузкой, находящихся, перехода, полупроводниковых, приборов, температуры, электронно-дырочного
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-150939-sposob-opredeleniya-temperatury-ehlektronno-dyrochnogo-perekhoda-poluprovodnikovykh-priborov-nakhodyashhikhsya-pod-nagruzkojj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения температуры электронно-дырочного перехода полупроводниковых приборов, находящихся под нагрузкой</a>
Способ измерения критической чистоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов
Номер патента: 134728
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, коэффициента, критической, неосновных, носителей, полупроводниковых, току, триодов, усиления, чистоты, эффективного
...базы диод 3 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока Уколлекторного перехода при отсутствнч входного сигнала.134728После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б,Показания прибора б градуированы в единицах заряда;арРгде Р - частота повторения входного сигнала на зажимах...
Устройство для транспортировки носителя информации в регистрирующем приборе
Номер патента: 251217
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: G01D 15/22, G01D 15/30
Метки: информации, носителя, приборе, регистрирующем, транспортировки
...световой щелью 23 и пла. стина 13, которая с помощью пружин 24 мо. жет самоустанавливаться, образуют канал для движения листа 7 носителя информации. Вспомогательный ведущий валик 25 и прижимной валик 25, опоры которого опираются на пружины 27, служат для транспортировки листов носителя информации и для изменения направления их движения. Привод вспомогательного ведущего валика 25 осуществляется двигателем 22. В изогнутой пластине 28 выполнены прорези, в которые входят укладочные валики 29. Опоры укладочных валиков 29 опираются на проушины 30, благодаря этому укладочные валики 29 могут самоустанавливаться. Укладочные валики 29,приводятся в движение от двигателя 22 через фрикционные муфты, отрегулированные на определенное значение...
Устройство контроля наличия носителя информации в регистрирующем приборе
Номер патента: 577404
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Гоголев, Мельников, Муртазин
МПК: G01D 9/00
Метки: информации, наличия, носителя, приборе, регистрирующем
...фиг. 2), иереход база-эмит тер которого подключен в диагональ моста, а коллектор через резистор 15 соединен с 30 источником питания -Е и через делитель ця резисторах 1 6 и 17 - с базой транзистора 18, в цепь коллектора которого вкпючена обмотка реле 19, Через контакты репе 19 1,ня чертеже не показаны) напряжение 35 с источника питания 12 подается на пентопротяжиый механизм 13.Принцип работы устройства рассматривается в следующих трех сдучаях.1. Между пишущими электродами 6 и металлическим валиком 7 имеется носитель 8, В этом спучае мост находится в уравновешенном состоянии: между базой и эмиттером транзистора 1 4 имеется запирающий потенциал. Потенциалом коллектора гранзистора 14 транзистор 18 открыт, контакты реле 19 замкнуты и...
Способ определения температур переходов в полиимидах
Номер патента: 1631385
Опубликовано: 28.02.1991
Автор: Лаврентьев
МПК: G01N 25/02
Метки: переходов, полиимидах, температур
...40 мкм и ПМэ толщиной 12 мкм подвешивают за один конец и помещают в печь. Производятнагрев образцов до различных дискретных температур в интервале 20-450 С иоохлаждение до комнатной температуры.Далее пленки освобождают из зажимаи помещают между обкладками динамилаксационных и фазовых переполиимидах. Цель изобретеощение определения и обесозможности проведения бескон змерений без воздействия еского поля при комнатной уре. Образцы полимерной пленют в термостат при различных нных температурах в интерваС, После прогрева образцыдо комнатной температуры.еличину поверхностного заряер, методом динами,ескогора с вибрирующим электродомрафик зависимости величинынки от температуры нагревау определяют температурыв исследуемом материале,ческого...
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с переходами
Номер патента: 1092436
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах
...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...
Предыдущий патент: Полупроводниковый диод
Следующий патент: 150940
Случайный патент: Устройство для химического фрезерования