Способ создания электростатических зарядов на диэлектрических или полупроводниковых материалах

Номер патента: 146400

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Бородовский

МПК: G01R 17/20

Метки: движущихся, диэлектрических, заряда, материалах, прибор, процессе, электростатического

...между собой емкостей, т. е, С = С, + С, + СПри движении наэлектризованного материала в виде мычки, ватки или ленты в датчике Д индуцируется заряд, эквивалентный поверхностному заряду Я наэлектризованного продукта, перемещающегося в пределах приемника. При установившемся процессе, наступающем обычно через несколько секунд после запуска машины, этот заряд достигает постоянного значения и распределяется в приборе следующим образом,Емкость С, измерительного конденсатора Кполучает зарядАЧ=Емкости С, индикатора нуля И сообщается зарядсдсЕмкость С датчика Д приобретает зарядсдсгде С = С, + С, + СТак как индикатор нуля и датчик постоянно соединены между собойпараллельно, то они вместе взятые получают заряд+- +- сфПри этом заряде д...

Номер патента: 787316

Опубликовано: 15.12.1980

Автор: Цатурян

МПК: B65G 65/30

Метки: бункер, диэлектрических, сыпучих

...перфорированным цилиндром 5 из электро- изоляционного материала, Размеры ячеек перфорации меньше размера частиц. Такое соотношение размеров исключает контакт между частицами через перфорацию цилиндра. При подаче на течку 2 и стержень 3 напряжения, между ними создается неоднородное электрическое поле, которое заряжает частйцы материала поляризованными, зарядами. В об- ластях течка 2 - цилиндр 5 и цилиндр 5 - стержень 3 частицы между собой контактируют. Однако перфорированный цилиндр 5 исключает контакт между частицами, находящимися внутри и вне цилиндра, Таким образом исключается прохождение тока проводимости через Армянский научно-исследовательский институт механизации и электрификации сельского хозяйства Научнопроизводственного...

Номер патента: 861188

Опубликовано: 07.09.1981

Автор: Цатурян

МПК: B65G 3/04

Метки: бункер, диэлектрических, сыпучих

...1 поступаст в течку, образованную электродами 2 - 4. Под деиствцсм электрического поля частицы сыпучсго матсрцала, находящиеся в течке, ориентируются и образуют цспоч ки, которые исходят от одного из основныхи завершаются ца дополнительном электроде. Прц этом связь цепочек частиц с поверхностью дополнительного электрода усцлцвастся за счет избыточного повсрхцостного 15 заряда последнего, Чувствительность раооты затвора определяется силовым взз 1 модействцсм как основных, так ц дополнцтсль- ЦЫХ ЭЛСКтРОДОВ С ПРЦЭЛЕКтРОДПЫМЦ чаС 1- памц. Силовое взаимодействие цепочек с до полнительным электродом определяется егопотенциалом, которыц можно менять при помощи переменного сопротивления 5,Дополнительный электрод может бытьвыполнен в виде...

Номер патента: 582459

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Торунян, Цатурян

МПК: G01F 13/00

Метки: диэлектрических, дозирования

...материала,На фиг. 1 показана схема для осуществления способа; на фиг. 2 - кривые напряженийисточников и результирующего напряжения,вызывающего коронный разряд.Способ состоит в следующем,Сыпучий материал 1 из емкости 2 поступав межэлектродное пространство, образоное некоронирующим 3 и коронирующим4 цилиндрическими электродами, Электрод 3заземлен, а электрод 4 подключен к высоковольтным полюсам источника 5 постоянногонапряжения и источника б импульсного напряоения, От источника 5 подается постоянное высокое напряжение (кривая А на фиг, 2),обеспечивающее коронный разряд с интенсивностью, достаточной для запирания истечениясыпучего материала. Для отпирания истече 0 ния дозируемого материала от источника бподается импульсное...

Номер патента: 1375328

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Болдырев, Зырянов, Коростелева, Сысоев

МПК: B02C 17/08

Метки: диэлектрических

...взаимодействиям прилипают к металлическим поверхностям и друг к другу 45 (явления адгезии и аутогезии), образуя приударах плотный футеровочный слой на рабочих поверхностях из самого материала.Локальные импульсы температуры при ударах до 1000 С, а также фоновая температура увеличивают пластичность материа лов и способствуют припеканию частиц, чтов итоге приводит к более плотному и прочному защитному слою.В табл. 2 приведены результаты серийопытов на различных материалах (выявление ассортимента). Установлено, что при 55 обычной, обработке футеровочный слойнепрочный (содержание железа увеличивается со временем обработки), а при одноразовом и двухразовом футеровании с предва 1375328Формула изобретения рительной стадией...