Способ питания параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 151114
Авторы: Долинская, Соборников
Текст
Класс 42 п 1, 14 Юо 151114 СССР исдник изот СКОМУ С 8 ИДЕТЕЛЬСТВ А писная группа Л 1 П. Соборнико. А ДолинскаяНОВ, ВЫПОЛНЕННЫХ НХ ДИОДАХ СОБ ПИТАНИЯ ПАРАМЕТРО ПОЛУПРОВОДНИКОВ Заявлено 24 июня 196. г, за М 736161/26елани изобретений и открытий при Совете М нистров СС 3 Ь Огяитет ний Ма 20 3 публиковано в Бюллетене пзо олу- олущолненных н собранных н онов, в ключей, ономичнь 1 етронов ния нак и перекл накачки рного пе пособа Известные способы питания параметр проводниковых диодах, с использованием проводниковых триодах, недостаточно эк Предлагаемый способ питания параь Это достигается использованием напряже- очника питания триодных ключей, а пр эффект перераспределения напряжения нами и полным сопротивлением коллекто На чертеже изображена схема для сболее экон ачки в качес ючении исполмежду пар рехода триода питания пар мичен. тве исзуется метро- ключа, метроержат зах Схема имеет; высокочастотный генератор 1 накачки; три ключа2, 3 и 4; параметроны 5 - 10, собранные на полупроводниковых диодахР, и трехфазный модулятор 11. Генератор накачки питает все параметроны, а также три ключа, собранных на полупроводниковых высокочастотных триодах. Трехфазный модулятор обеспечивает насыщениесоответствующих ключей по заданной временной тактовой последовательности.Импульсы трехфазного модулятора, отпирающие ключи, содне выше третьей гармоники тактовой частоты, этим исключаетсяват фазы параметров.Генератор накачки может быть выполнен по двухтактной схеме,по два триода в параллель, и в случае необходимости - стабилизирован кварцем. Необходимо, чтобы триоды ключей имели небольшуюемкость и минимальное сопротивление насыщения. Каждый полупроводниковый ключ позволяет коммутировать возбуждение порядка двухсотпараметронов,151114Предмет изобретенияСпособ питания параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах, с использованием ключей на полупроводниковых триодах, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения экономичности устройства питания, напряжение накачки применяют в качестве источника питания триодных ключей, а при переключении используют эффект перераспределения напряжения накачки между параметронами и полным сопротивлением коллекторного перехода триода ключа.Составитель описания Н. М. ХалецкийРедактор Л. Н. Гольцов Техред Т. П, КурилкоКорректор В, П, ФоминаПодп, к печ. 20 Хг. Формат бум. 70 Х 108/. Объем 026 пад. л. Зак, 10303 Тираж 700 Цена 4 коп. ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совсте Министров СССР Москва, Центр М, Черкасский пер., д. 2/6. Типография ЦБТИ, Москва Петровка, 14,
СмотретьЗаявка
736161, 24.06.1961
Долинская Н. А, Соборников Ю. П
МПК / Метки
МПК: H03K 19/162
Метки: выполненных, диодах, параметронов, питания, полупроводниковых
Опубликовано: 01.01.1962
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-151114-sposob-pitaniya-parametronov-vypolnennykh-na-poluprovodnikovykh-diodakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ питания параметронов, выполненных на полупроводниковых диодах</a>
Полупроводниковый ключ
Номер патента: 1095403
Опубликовано: 30.05.1984
МПК: H03K 17/60
Метки: ключ, полупроводниковый
...при этом анод третьего диода подключен к эмиттеру транзистора, второй вывод конденсатора соединен с второй выходной клеммой, катодами второго и третьего диодов и анодом четвертого диода, катод которого подключен к коллектору транзистора и катоду пятого диода, анод которого соединен с анодом второго диода.На чертеже приведена схема предлагаемого полупроводникового ключа.Полупроводниковый ключ содержит транзистор 1 и - р -о проводимости с резистором 2, включенным между его базой и эмиттером, при этом коллектор транзистора 1 подключен к первой выходной клемме 3 ключа, Вторичная обмотка 4 первого трансформатора 5 через диод 6 подключена к цепи баэа - эмиттер транзистора 1, Конец вторичной обмотки 7 второго трансформатора .8 подключен к...
Полупроводниковый ключ
Номер патента: 437221
Опубликовано: 25.07.1974
Автор: Яковлев
МПК: H03K 17/60
Метки: ключ, полупроводниковый
...ключа.Полупроводниковый ключ содержит схему 10 прохождения сигнала, выполненную на транзисторах 1 - 3, включенных по схеме эмиттерных повторителей, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора 4 и сложного инвертора, выполненного 15 на транзисторах 5, б и диоде 7. Режим работы транзисторов задается резистор а ми 8 - 17.Полупроводниковый ключ работает следую щим образом,При подаче на сигнальный вход синусоидального или импульсного сигнала, а на вход управления - высокого уровня напряжения транзисторы 5 и б открыты, а транзистор 4 за крыт и входной сигнал проходит через транзисторы 1 - 3 на выход.При подаче на вход управления низкогоуровня напряжения транзисторы 5, 6 закрываются, а транзистор 4 открывается и...
Полупроводниковый ключ
Номер патента: 1182659
Опубликовано: 30.09.1985
Авторы: Кабелев, Машуков, Сергеев
МПК: H03K 17/00
Метки: ключ, полупроводниковый
...диода 7 - 10, девять резисторов 11 19 и конденсатор 20, причем первый выход составного транзистора 1 подключен к первому Выводупервого диода 7 и выходной шине 21, второй выход соединен с общей шиной 22, а вход подключен к выходу усилителя 2 мощности, первый и второй питающие выводы которого соединены соответственно с первой 23 и второй 24 шинами источника питания, а вход подключен к коллектору первого транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной 22 к первым выводом первого резистора 11, коллектор второго 35 транзистора 4 подключен к первому выводу третьего диода 9 и через второй диод 8 к выходной шине 21, второй вывод третьего диода 9 соединен с эмиттером второго транзистора 4, 4 О первой шиной 23 источника питания и через...
Полупроводниковый ключ
Номер патента: 1182661
Опубликовано: 30.09.1985
Авторы: Кабелев, Машуков, Сергеев
МПК: H03K 17/60
Метки: ключ, полупроводниковый
...транзисторов, база третьего транзистора 4 подключена к коллектору второго транзистора 3, эмиттер которого соединен с коллектором третьего транзистора 4 и первым выводом первого резистора 7,30 второй вывод которого подключен к базе второго транзистора 3 и через второй резистор 8 к коллектору четвертого транзистора 5, база которого соединена спервыми выводамитретьего 9 и четвертого 10 резисторов, а эмиттер подключен к второму выводу четвертого резистора 10, первой шине 18 источника питания и эмиттеру пятого , транзистора 6, коллектор которого со"40 единен с первым выводом пятого резистора 11, управляющая шива 19 подключена к входу первого элемента 14 НЕ, выход которого соединен с первым выводом шестогорезистора 12 и входом . второго...
Полупроводниковый ключ
Номер патента: 1192133
Опубликовано: 15.11.1985
Авторы: Козлов, Красонтович, Москаленко, Скорубский
МПК: H03K 17/60
Метки: ключ, полупроводниковый
...катодакоторого соединен с выходной шиной4, вывод анода через источник постоянного напряжения 7 соединен собщей шиной 2, транзистор 8 управления, вывод базы которого соединен свходной шиной 5 и через диод 9 сего эмиттером, который одновременносоединен с общей шиной 2 через конденсатор О, коллектор через первич- З 0ную обмотку трансформатора 11 соедивнен с анодом тиристора, а вторичнаяобмотка трансформатора 11 соединенас входом управления тиристора 6.При этом между общей 2 и входной5 шинами включен генератор 12 импульсов, а между общей 2 и выходной4 шинами последовательно включеныисточник 13 электропитания и нагрузка 14. 40Полупроводниковый ключ работаетследующим образом,При поступлении от генератора 2импульсов положительного...
Предыдущий патент: Двоичный одноразрядный сумматор с использованием радиоимпульсов
Следующий патент: Способ съема координат точек односвязных контуров
Случайный патент: Обогреваемый валок для валковых машин