Способ изготовления полупроводниковых приборов

1Р 1ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(22) Заявлено с присоедине (23) Приорите ем заявкиасудерственныи хамит Совета Мннистрав ССС аа делам изабретений и аткрытий(45) Да бликования описания 23, А. Гольдберг и Б 1) Заявите ена Ленина физико-технический институт ф. Иоффе(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Г 1 РИ БОРОВлупроводника вакуумном на осаждении, а ный слой, кот ваться, легко нагреванием,Кроме тог знач ительылении итот неболь о тоньше, чем приэлектрохимическомшой промежуточорый всеустраняе и может обра ся пос ши Цель изобретен особ еализуется значи- не требуя специрименения элект - улучшение электрии повышение быстрооверхностным барье еских ха тельно прош ального обор е исти вестнь твия приборо ания и рического тока,Изобретение относится к технологизготовления полупроводниковых прибоповерхностным барьером,В известных приборах такого типа по 5 тенцпальный барьер металл - полупроводник создают обычно либо напылением металлов на сколотую в вакууме пластину полупроводника, либо электрохимическим осаждением металлов из растворов их солей, Однако вакуумное напыление требует приме 10 нения дорогостоящего оборудования и большого расхода металлов, электрохимическое осаждение, - расхода электроэнергии, Кроме того, в процессе нанесения металлов на поверхность полупроводника между ме 1 б таллом и полупроводником часто возникает промежуточный окисный слой, которыйзначительно увеличивает токи утечки,уменьшает напряжение пробоя и увеличивает инерционность прибора.20 Цель достигается тем, что по предлагаемому способу потенциальный барьер металл - полупроводник создают химическим осаждением на поверхность полупроводника слоя металла из раствора его соединений с последующей выдержкой при тем- пературе ниже температуры плавления эвтектики металла и полупроводника, а для контактных пар, не образующих эвтектики, ниже температуры плавления металла.Осаждение в растворе препятствует окислению пластинки полупроводника; ток при этом не протекает, что также уменьшает вероятность образования окисла. Поэтому получаемый окиспый слой на пластинке по392845 Составитель Г,КорниловаРедактор И.0 рлова Техред И,Карандашова корректор З.Тарасова Заказ ,ДИзд. М )(Ц Тираж 8 ЗПодписное ЦПИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб 24 ф Предлагаемым способом можно получать диоды, транзисторы, фотодиоды и другие полупроводниковые приборы с потенциальным барьером металл - полупроводник.П р и м е р. Использование предлагаемого способа при изготовлении поверхностно - барьерного прибора осаждением олова на поверхность арсенида галлия.Пластинку арсенида галлия с концентрацией электронов 4,51015 см и подвижностью 5000 см 2/сек шлифуют с обеих сторон. На одну сторону пластинкио наносят слой индия и вплавляют при 500 С для создания омического контакта.Другую сторону пластинки полируют алмазной пастой Амна шелке. После полировки омический контакт и торцы пластинки покрывают лаком ХСЛ и подвергают пластинку травлению в течение 15 сек в смеси 0,5% брома и 99,5% метанола, промывают в бидистиллированной воде и сушат. После сушки пластинку неплотно оборачивают алюминиевой фольгой толщиной 0,2 мм и для осаждения олова погружают в нагретгяй до кипения раствор, содержащий 30 г/л двухлористого олова и 60 г/л едкого натра. После осаждения пластинку промывают, сушат и снимают с нее пленку лака. Для удаления окисного,слоя, которыймог образоваться в процессе осаждения, пластинку прогревают в водороде при 150 С в течение 10 мин.Напряжение отсечки вольт-емкостнойзависимости получаемого прибора равно 0,85 в, что хорошо соответствует лит ратурным данным: значение величин диффузионного потенциала для контакта ме О талл - арсенид галлия составляет 0,8 -0,9 в. Это явйяется доказательством отсутствияпромежуточного окисного слоя,15 Предмет изобретения Способ изготовления полупроводниковыхприборов с поверхностным барьером путемоО нанесения слоя металла на поверхностьполупроводника, о т л и ч а ю ш и й с ятем, что, с целью увеличения быстродейст-,вия приборов, металл найосят химическимосаждением из раствора его соединений25 и прогревают структуру при температурениже температуры эвтектики металла иполупроводника, а для контактных пар, необразующих эвтектики, ниже температурыплавления металла.