Способ электролитического травления полупроводниковых германиевых р-п-р-структур

с-"А ЯЪ СПИИЗОБРЕТЕНИЯ ггг 1 39282 Союз Советских Социалистических(32) ПриоритетОпубликовано 05.03.75. Бюллетень9 11 7 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 53) УДК 621.382.002(54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕРМАНИЕВЫХ р - гг - р-СТРУКТУР Изобретение относится к электронной промышленности и может использоваться при производстве полупроводниковых транзисторов, изготавливаемых на основе монокристаллического германия п-типа.5Известные способы электр олитического травления германиевых р - и - р-структур на основе германия п-типа предусматривают проведение процесса электролитического травления в щелочном или кислотном элек тролите при закорачивании эмиттерного р - п-перехода, коллекторного р - и-перехода и базы с подачей на них положительного потенциала напряжения, или при закорачивании эмиттерного и коллекторного р - гг-пере ходов с подачей на них положительного потенциала напряжения при оторванной базе, или при подаче на о - гг-переходы эмиттера и коллектора положительного потенциала напряжения и смещении базы более, положи тельным потенциалом напряжения по отношению к потенциалам на эмиттере и коллекторе, на электролит при этом подается общий отрицательный потенциал напряжения.При осуществлении процесса электролити ческого травления такими способами неизбежно сильное расширение объемных зарядов эмиттерного и коллекторного р - и-переходов в область базы. Это приводит к отравливанию не столько рекристаллизованного 30 р-слоя, сколько области гг-базы, вследствие чего получается широкая (в сторону п-базы), неглубокая и неравномерная лунка травления, Последние обстоятельства отрицательно сказываются на уровне обратных токов эмиттер ного и коллектор ного р - и переходов, увеличивая их, и присущи известным способам электролитического травления германиевых р - гг - р-структур.Предлагается способ электролитического травления германиевых р - гг - р-структур, предусматривающий подачу на отравливаемый р - гг-ггереход наведенного положительного потенциала напряжения через второй р - гг-ггереход транзисторной структуры. При этом р - гг-переход, на который непосредствегшо подают положительный потенциал напряжения, электроизолируют от среды электролита; на электролит подагот отрицательный потенциал напряжения.Такой способ способствует уменьшению уровня обратного тока эмиттерного и коллекторного р - гг-переходов транзисторной структуры и соответственно повышению их высоковольтности за счет отравливания преимущественно рекристаллизованного р-слоя р - п-переходов благодаря незначительному расширению объемных зарядов р - и-переходов в область базы при подаче на отравливаемый р - гг-переход наведенного положительного по.у, у ыФ%;Я фф 3 вф = в "392832 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред Т. МироноваКорректоры: А. Дзесова и Л. Царькова Редактор С. Жиляева Заказ 1428/11 Изд, Мо 500 Тираж 837 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 тенциала напряжения через второй р - а-переход транзисторной структуры.Способ осуществляют следующим образом.Отравливание коллекторного р - п-перехода проводят при подаче положительного потенциала напряжения на эмиттерный р - п-переход. При этом сам эмиттерный р - а-переход защищают любым известным способом от контакта с электролитом (например, лакировкой электроизолирующим лаком или механи ческой защитой диэлектрическим колпачком).Отравливание эмиттер ного р - а-перехода осуществляют аналогично при подаче положительного потенциала напряжения на коллекторный р - п-переход с защитой его от кон такта с электролитом. На электролит подают отрицательный потенциал напряжения. Инжекция дырок в базу, необходимая для протекания электролитического травления, обеспечивается из р - п-перехода непосредственно 20 смещаемого положительным потенциалом напряжения. Защита от контакта с электролитом р - п-перехода, на который непосредственно подают положительный потенциал напряжения, исключает нежелательное отрав ливание области п-базы вблизи этого р - и-перехода, обусловленное расширением объемного заряда и неизбежное при прямом смещении р - а-перехода. Транзисторы, изготовленные с использованием для травления р - а-структур предлага. емого способа электролитического травлени., имеют повышенное напряжение пробоя эмиттерного и коллекторного р - п-переходов, соответственно более низкие уровни обратных токов и повышенную стабильность этих, пара метров во времени за счет отравливания преимущественно только рекристаллизованного р-слоя эмиттерного и коллекторного р а-переходов. Способ электролитического травления полу. проводниковых германиевых р - п - р-структур, например, на основе германия п-типа с подачей на отравливаемый р - а-переход наведенного положительного потенциала через второй р - а-переход транзисторной структуры и подачей на электролит отрицательного потенциала, отл и чаю щи йся тем, что, с целью преимущественного отравливания рекристаллизованного р-слоя, р - п-переход, на который непосредственно подают положительный потенциал, электроизолируют от среды электролита.