Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения

Номер патента: 440104

Авторы: Крамер-Агеев, Пархомов

ZIP архив

Текст

111 440104 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических Республик(32) Приоритет б 0113 00 Государственный комитет Совета Министров СССР публиковано 05,07.75. Бюллетень Меата опубликования описания 19.11.7 3) УДК 539.1.074(088,8) по делам изобретений н открытий72) Авторы изобрет Крамер-Агеев и А. Г. Пархомовна Трудового Красного Знамени инженернофизический институт сковский аявитель 54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СКОРОСТИ ОБРАЗОВ ал,.". ь":"4"1 ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИА ПОД ДЕЙСТВИЕМ НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2 Изобретение относится к определению радиационной стойкости материалов, в частности к измерению скорости образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения.В настоящее время для этой цели измеряют плотность потока быстрых нейтронов. Используя расчетные или измеренные спектры нейтронов, рассчитывают часть энергии, возникающей при нейтронном облучении атомов отдачи, и диссипированную в процессах упругих столкновений с атомами среды. Выход дефектов считается пропорциональным этой части поглощенной энергии нейтронов. Этот метод характеризуется необходимостью знания энергетического спектра нейтронов в месте облучения; сложностью расчетов; значительной погрешностью определения скорости образования дефектов, связанной с низкой точностью значения спектров нейтронов, и с приближениями, принятыми в расчетах диссипированной энергии; невозможностью определения скорости образования дефектов непосредственно во время облучения.Для проведения измерения непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений предлагается одновременно измерять калориметром мощность полной поглощенной дозы в данном полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором, изготовленным на основе того же материала, часть мощности поглощенной дозы, расходуемой на ионизацию и возбуждение атомов, и по их разности оценивать скорость образования дефек- тов Разность сигналов У калориметра и приведенного сигнала 1 полупроводникового детектора И - КТ характеризует долю поглощенной интенсивности излучения, преобразованную в 10 кинетическую энергию смещенных атомов, т. е.в соответствии с современными представлениями скорость генерации дефектов в исследуемом полупроводником материале. Коэффициент связи К можно определить, облучая ка лориметр и полупроводниковый детектор гамма-излучением. Практически вся поглощенная энергия гамма-квантов тратится на ионизацию и возбузкдение атомов. Поэтому .можно считать, что в поле гамма-излучения О - КТ=20 =О, т. е. К= У/1.Таким образом, по данным измерений калориметром и полупроводниковым детектором легко определить величину, пропорциональнню скорости образования дефектов в данном 25 полупроводниковом материале под действиемнейтронного излучения,Преимущества предлагаемого способа зачаются в возможности непосредственного последующих расчетов определения ско и образования дефектов; независимости440104 Предмет изобретения Составитель А. БалашовТехред Т, Курилко Редактор Л. Тюрина Корректоры: Е. Давыдкина и В. ДодЗаказ 3073/3 Изд.873 Тираж 619 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 получаемых результатов от спектра нейтронов; возможности получения результатов непосредственно во время облучения. Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью проведения измерения непосредственно в зксперименте и повышения точности измерений, одновременно измеряют калорнметром мощность полной 5 поглощенной дозы излучения в полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором вклад мощности дозы на ионизацию и возбуждение атомов и по их разности оценивают скорость образования дефектов.

Смотреть

Заявка

1897594, 26.03.1973

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

КРАМЕР-АГЕЕВ Е. А, ПАРХОМОВ А. Г

МПК / Метки

МПК: G01T 3/00

Метки: действием, дефектов, излучения, материалах, нейтронного, образования, полупроводниковых, скорости

Опубликовано: 05.07.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-440104-sposob-opredeleniya-skorosti-obrazovaniya-defektov-v-poluprovodnikovykh-materialakh-pod-dejjstviem-nejjtronnogo-izlucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения</a>

Похожие патенты