Способ получения кристаллических полупроводниковых структур

Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ/48 Н осударственный номитеСовета Министров СССРпа делам изобретенийи открытий43) Опубликовано 25,09.75 Бюллетень35 45) Дата опубликования описания О 9.12.75 Л,в и Ю(5 ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР так как изменение скорости кристаллизацйиосуществляется электрическим током.Однако способ применим лишь для получения Р-т,- переходов и вследствие боль-шой ширины расплавленной зоны длителен;получение структр, состоящих из тонких,порядка 10100 А слоев, затруднительновследствие высокой температуры процессаи идущих быстро диффузионных процессов,получение гетероструктур невозможно.Целью настоящего изобретения является получение многослойных структур с периодически меняющимся составом слоев по- рдка 10-100 АОтличием предлагаемого способа являечся использование в качестве одного твердого тела при пропускании импульса постоянного тока через систему твердое-расплав-твердое твердого раствора соединений,образующих структуру, в качестве второготвердого-одного из соединений, образующихструктуру, а в качестве расплава-металлас температурой плавления ниже температу,ры плавления твердою раствора. Величинаимпульса постоянного тока;устанавливается 0 Периодичесаллизации кое йз е скорости криения величины и дает возможность; на германии. Проен в управлении, р 5 ени зме а сче полярности имполучать рцесс безыне пульса ток - переходы ениуо Ордена Ленина физико-технич Изобретение относится к получению кристаллических полупроводниковых структур, представляющих собой совокупность слоев , материала с разным химическим составом,Подобные структуры находят широкое применение для создания полупроводниковых приборов, использующих свойства р-в- перехода или гетероперехода.Известные способы получения кристаллических полупроводниковых структур или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить растворениеслоя твердого раствора заданной толшины.Процесс получения периодической многослойной структуры, представляющей собойчередующиеся слои 6 аА 1;л 8 Ъ- А 1 д бд;-х 8 Ь(где Х1) проводится следующим образом.В качестве ( о 1 . ) выделяется, а на противоположной границе (638 Ь - 1 ) поглощается тепло Пельтье, Под действием . его происходит растворение слоя твердого раствора 6 ЬЬ .толшиной, определяемой величиной импульса тока,На границе 6 д 8 Ь 81 кристаллизуется слой 41681 86 так как коэффициент сегрегации 41331 во много раз больше, чем у ба По мере уменьшения А 1 в прилегающем к границе В 1-08 Ь слое расплава кристал- лизуется слой 6 аА 1к , После прекращения подачи импульса тока, состав жидкой фазы выравнивается и кристаллизация прекращается. Многократное повторение процесса обеспечивает получение слоев, имен- ших периодически меняющийся состав.Использование в системе растворителя дает возможность снизить температуру процесса. Если в качестве фтвердого используется твердый раствор СаЯЬ А 18 Ь, можно получить гетероструктуры,б Предмет изобретения 1, Способ получения кристаллических по-лупроводниковых структур, заключаюшийся:в пропускании импульсов постоянного токаразличной величины через систему ,твердоерасплав-твердое", о т л,и ч а ю ш и й с ятем, что, с, целью получения многослойныхструктур, например Оа 85 А 135 с периодически меняющимся составом, в качестве одно-,го твердого берут твердый раствор соединений, образующих структуру, в качествевторого твердого берут одно из соединений,образующих структуру, а в качестве рас О плава берут металл с температурой плавления ниже температуоы плавления.твердого раствора,2. Способ по п, 1,о т л ич аю щ н р 1-,с я тем, что величину импульсов токаустанавливают такойд чтобы на границе раздела твердый раствор-расплав обеспечить ),растворение слоя твердого раствора задан-ной толщины.