B01J 17/06 — B01J 17/06

Номер патента: 445462

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кристаллов

...устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный...

Номер патента: 446305

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Бабанский, Строителев, Чернышев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллов, сфалерита

...кристаллов сфалерита из раствора суль фида цинка В расплаве при высокой температуре.Недостатком известного способа является недостаточная интенсив.- ность процесса и несовершенство получаемых кристаллов.Цель изобретения - интенсификация процесса и получение более совершенных кристаллов. Это достигается тем, что по предлагаемому способу процесс ведут из расплава суль ида олова при 980-880 С.азработанныИ способ позволяет получать совершенные кристаллыЯ кубической модификации, что обеспечивает его преимущество перед известным. П р и и е р . В кварцевую .ампулу помещают шихт сульфида оловаи сульфида цинка. улу откачивают до давления 1 О -1 О- мм рт.ст.,5 отпаивают, устанавливают в печь инагревают до 900-95 О С. Охлаждениеампулы ведут со...

Номер патента: 446306

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Каральник, Моржеедова, Обухова, Пикунов, Рогова, Яковлева

МПК: B01J 17/06

Метки: никеля, соединения

...от ОаХ доХ вес. никедя, и выдврживают ее.при температуре выше 50"С до полного растворения никеля. Чем выше 1 о температура выдержки, тем меньшеее продолжительноость. При нагревании смеси до 500 С необходимое время выдержки составляет 2 час, затемсмесь медленно охлаждают ниже 70"С.15 Предпочтительно вести охлаждение до200 оС со скоростью ЗОС в минуту, адальневшев охлаждение - со скоростью 1 С в минуту.,П р и м в р. Исходную смвсьа 2 о содержащую 5 вес. никеля и 95 ве 8.%галлия, подвергают нагреву до,500 Си выдерживают при этой температурев течение 2 час. Ватам охлаждаютсиэвь со скоРОвтью 3 св минуту до 25 200 С, при 200 С смесь также подПРЕДМЕТ ИЗОБР ЕТЕНИЯ составитель В. ПополитонТехред корректор РКИСЕЛЕВа Редакгор Заказ Подписное Ц...

Номер патента: 450587

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Безматерных, Мащенко, Шварцман

МПК: B01J 17/06

Метки: затравочных, кристаллов, кристаллодержатель

...плоскости спомощью изогнутых теплоотводящихстержней, расположенных ниже плоскости расположения кольца. Такойкристаллодержатель позволяет избежать образования паразитных кристаллов, что обеспечивает его преимущество перед известным.На чертеже изображен предлагаемый кристаллодержатель затравочных кристаллов.Кристаллодержатель состоит иэ о вала 1, изогнутых теплоотводящихстержней 2, кольца 9 с затравочными кристаллами и теплового экранаФе .ЛКристаллодержатель с затравоч ными кристаллами, закрепленными45031 а кольце, вводят в раствор-распгав с неоднородным температурным полем (температура поверхности ниже чем у дна). Так как кольцо укреплено на изогнутых теплоотводящих стерж,нях, выведенных из более горячей области раствора, оно...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Голубев, Корнеев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...

Номер патента: 485761

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Карпов

МПК: B01J 17/06

Метки: вертикальной, выращивании, границы, кристаллизацией, кристаллов, направленной, положения, расплава, фаз

...вера кристаллизации и тепрого соответствуют темации и теплопроводности щества.(22) Заявлено 04.01.74 (21) 1982949/23-26 ата опубликования описания 24.12.75 Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано при исследовании процесса направленной кристаллизации для подбора оптитальных параметров режима,В известном устройстве, позволяющем определить положение границы фаз при помощи подвижно установленного по длине ампулы щупа, герметизация внутреннего объема ампулы при необходимости создания высоких давлений и температур затруднительна.,Целью изобретения является обеспечение ВОЗможности определения положения границы фаз в герметичной ампуле с контролируемой газовой средой.Предложенное устройство отличается...

Номер патента: 486779

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Воронкова, Яновский

МПК: B01J 17/06

Метки: монокристаллов

...температуры фазового перехода в выращиваемом кристалле. Недостатком известных способов является невозможность получения сегнетоэлектрических кристаллов В 1 з%0 о,Способ, согласно изобретению, устраняет указанный недостаток благодаря тому, что исходную шихту, включающую 30 - 40 мол. % В 1 зОз, 30 - 40 мол. % %0 з, 40 - 20 мол. % Ч 20 нагревают до температуры 800 - 930 С, выдерживают при этой температуре и охлаждают со скоростью 1 - 5 град/мия. П р и м е р. Смесь, состоящую из 20 35 мол, % В 10 з, 35 мол, % %0 з и 30 мол. % Ч 20 о, нагревают в платиновом тигле объемом 50 нл до полного расплавления при 850 С, выдерживают при этой температуре 2 час до полной гомогеццзацци расплава и затем охлаждают до 700 С со скоростью 1 град/час....

Номер патента: 385475

Опубликовано: 15.12.1975

Автор: Орлов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, серийного

...способ серийного выращив кристаллов по методу Бриджмена с ем тиглей (или одного многогнезд ля),Однако этот способ отличается вредным влиянием ассиметрии теплового поля в процессе кристаллизации, а при использовании многогнездного тигля еще и неравномерный диффузионный контакт кристалла и расплава с окружающей атмосферой.С целью повышения качества и выхода полученных кристаллов предлагается тигли вращать вокруг общей оси и каждый из них вокруг собственной.Способ осуществляют следующим образом. В тигли засыпают соли веществ, из которых хотят получить монокристаллы и помещают их в зону наргевателя печи. После создания необходимых условий роста (температура, атмосфера и др.), тиглям сообщают двойное вращение с заданной скоростью...

Номер патента: 496042

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Крылов, Лужковский, Налетов

МПК: B01J 17/06

Метки: висмут-сурьма, висмута, кристаллов, сплавов

...таллов висмут предлагаемому спос .в направлении, при скостью совершенноправлением роста .с но установлено, чтиях затравки, наприм Эксперименталкоторых положеплоскость (Ш)роста, вообще нные кристаллы,ер, когд рпендикулярна к нудается получить равлени оноблочавка не играет ентир ания монокристаллических материалов. расного Знамени государственный. И. Герцена ющей роли, ни один из блоков не повторяет е ориентации,Известно, что для получениянокристаллических материаловходимо располагать определеннэти способы не применимы примонокристаллов системы висмуткак они не отражают особеннос ния выхода моноблочных криа и сплавов висмут-сурьма пообу затравку ориентируют котором угол между плой спайности (Ц.1) и наоставляет 0 о о. Этот способ позволяет...

Номер патента: 496043

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Гражулене, Мусихин, Телегин, Шигорин

МПК: B01J 17/06

Метки: веществ, монокристаллов, органических

...м-ТДА по-Во избежание дальнейшего окисления очищен казывают наличие практически единственного ное вещество хранят под аргонЬм. пика, отвечающего времени выхода основногоВыращивание кристаллов проводят в верти. вещества по.сравнению с неочищеннымсоедикальных стеклянных трубчатых печах, напол- нением.ненных двумя несмешивающимися жидкостями.Ампулу диаметром 15 мм и длиной 100 мм глицерином и силиконовым Маслом, благодаря,с концом, оттянутым в виде витка спирали, чему создают резкий температурный градиенткипятят с обратным холодильником с трив зоне роста, метилхлорсиланом в течение часа, сушат приВерхнюю жидкость - силиконовое масло - 1 б 140 о в вакууме, заполняют очищенным м-ТДА, нагревают на 5-7 оС выше температуры план- вакуумируют до...

Номер патента: 504554

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Беляев, Евстифеев

МПК: B01J 17/06

Метки: неорганический, растворитель

...ических образцов из раствора в рас 5 Полученный раствор при температуре. 900 - 10 ленно охлаждают до 650 7 час со скоростью 40 - 6 тате получают свинецсодеО в виде мелкокристалличес выдерживают 2 час 00 С, а затем медв 7 С в течение 5 -0 об/час. В резульржащие соединения ких порошков. н неорганическии растворитель для оликристаллических образцов и выя монокристаллов, содержащий мевинца,такой растворитель неэффективен ения свинецсодержащих соединений ллической структурой пирохлора в ой их растворимости.ю устранения указанного недостатка тся в состав растворителя дополвводить фторид калия при следую- ношении компонентов, вес. %: борат свинца 40 - 70 ид калия 30 - 60 Ф о р мул а изобрете ворительбразцовинецсодеетаборачто, сцстворениа, в...

Номер патента: 421356

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов, сегнетоэлектриков, шихта

...величина оэффициента при ко едостаточно высок лько окисл пироэлектрического мнатной температур а. Кроме того, крис- интервал температу О Тс,0,.вают, помешаютый тигель, нагреталлы имеют узкийКюри.Цель изобретениэлектрического кс слла я - увеличение пироэффициента при комнатвырашенных кристалтервала значений рав нои температуре в лах и расширение и температу.ры Кюри. исту, сую и 1 мол, 2 О Л И С А Н И Е п 11 42 хззбИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДНЕЛЬС 7 ВУ",",0 мол.%), 105,1 г МЬО.(50 мод%)тшательно смешивают, помешают в платиновый или иридиевый тигель и нагревают в+ " о индукционной печи до 1450 - оО -, при ксторой производят вытягивание кристалла по методу Чохральского. Скорость врашения затравки 2 100 об/млн, скорость вытягивания 1,5...

Номер патента: 359884

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Кисиль, Крайнюков, Черник

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов

...сечения ампулы.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, продольный:разрез; на фиг,2 разрез по А-А на фиг, 1.Устройство для выращивания монокристаллов состоит из жаровой трубы 1, разделенной диафрагмой 2 на две камеры: камеру Э плавления и камеру 4 кристаллизации. Диафрагма имеет отверстие 5 для прохода ампулы 6, смещенное вниз относительно центра диафрагмы, и отверстие 7 для перетока воздуха в верхней части диафраглы. Перед диафрагмой в нижней части зонь 1 кристаллизации установлен маломощный высокотемпературный нагреватель 8 в виде полукольца, диаметр которого на 2-3 мм больше диаметра ампулы,Устройство работает следующим, обраЧерез отверстие 7 диафрагмы 2 относительно горячий воздух перетекает из камеры 3 плавления в камеру 4...

Номер патента: 552993

Опубликовано: 05.04.1977

Авторы: Батог, Иткина, Портнова

МПК: B01J 17/06

Метки: гидроксодов, двойного, металлов, монокристаллов, соединения, щелочных

...кв/см) наблюдается сегнетоэлектрический эффект.П р и м е р. Для синтеза исходного материала готовят смесь из 62 мол. % гидроксида лития и 38 мол. % пидроксида калия, т. е. состава, отвечающего перитектической точке на диаграмме плавкости системы 11 ОН - КОН. Смесь расплавляют в серебряной чашке в инертной .атмосфере при 360 С и гомогенизируют в течение 3 - 4 час. Охлажденный сплав помещают в кристаллизационную установку. Расплав находится не непосредственно в печи, а в специальном кварцевом сосуде, в котором создается инертная атмосфера, Сосуд представляет собой цилиндр с двумя отводами, в которые впаяны прозрачные кварцевые пластины для визуального наблюдения за процессом кристаллизации, Внутри сосуда на552993 Формула изобретения...

Номер патента: 526094

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Старостин

МПК: B01J 17/06

Метки: веществ, выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...и установпенного на опорах из отрезков вольфрамового прутка. Од нако это устройство не позволяет доби равномерности нагрева контейнера по допьными участками из неск ов, контактируюшихвсей длине, соединенныкже продольно распопоотрезками, выступаюслужат опорами,На фиг, 1 показано предлагаемое устройство; на фиг. 2 - развертка нагреватпя,Устройство состоит цзой водоохпаждаечой кач прикрепленного непосредственнороводач 3 и 4, системы экранов 5,ера 6, механизма и ения 7, установпенцого на повороти ре Р, и вакуумной системы 9.Нагреватель 2 выполнен пз петепь вопьфрамового прутка с продо 1 п участками из нескольких прямых отрезков 10, контактируюшпх друг с другом по всей длине. Продольные участки соединены чежду собой продольно распопоженными...

Номер патента: 293395

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Атрощенко, Гальчинецкий, Кошкин, Руденко, Шаховцов

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллический, материал, полупроводниковый

...Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Рвушсквя наб., д, 4/5 Фп;и 1 ад ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ЙСЯвз 1 ь О5и сплавы ня ихОснОвегде вторым компонентом являютсяэлементарныебинарные, тройные крисгаллические вещества, с решеткой типа алмаза.без 1 квгионных вакансий, например геманий, бфп- алюминий, гаддий, индий;А- магний, цинк, кадмий, ртуть;А - серебро, медь; В - фосфор, сурьма,мьпльях; ц "/ и С 1 - сера, теллур, седенИ(Я 15 7 сдГ Е, Си,1 РТЕ ,Сс 1." п,А 5 1 СОЬ Яе д, )Указанные кристаллические соединенияи сплавы обладают полупроводниковымисвойствами, При воздействии на такие крис 15гадлические соединения и сплавы с решеткой типа алмаза, имеющие в катионной подрешетке...

Номер патента: 572287

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Басистов, Голуб, Дементь, Красавин, Курдюмов, Поспелов, Черников

МПК: B01J 17/06

Метки: веществ, кристализацией, направленной, расплава

...расположен горизонтально и снабжен приводом вращения вокруг продольной оси.На чертеже изображено описываемое уст ройство.Устройство включает цилиндрический контейнер 1, установленный горизонтально, привод 2 вращения контейнера вокруг продольной оси, нагреватель 3, имеющий форму 10 стержня, расположенный в полости контейнера по его оси. Устройство содержит камеру 4 для слива загрязненного материала, Контейнер с камерой слива и приводом 2 вращения укреплен на раме 5, снабжепной приводом 6.15 Устройство работает следующим образом.Исходный материал загружают в полостьконтейнера, включают нагреватель, расплавляют исходный материал, приводят контейнер во вращение при помощи привода 2, Затем уменьшают подводимую к нагревателю мощность, в...

Номер патента: 296396

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Клевцов, Павлюк

МПК: B01J 17/06

Метки: калий-иттриевого, молибдата, монокристаллов

...способ получения монокристаллов 5 калий-иттриевого молибдата из расплава при повышенной темпеоатуре с последующей кристаллизацией при медленном охлаждении.Основными недостатками известного способа являются незначительные размеры и недостаточно высокая степень чистоты монокристал 1 О лов.С целью устранения этих недостатков процесс кристаллизации ведут на вращающуюся затравку в атмосфере. воздуха при наличии осевого до.1 С/мм и радиального до 3 С/мм градиентов температуры расплава с последующим15 охлаждением со скоростью 1 - 3 С/ч.При этом кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную в направлении 11001.Пример. В платиновый тигель помещают О г предварительно синтезированного калий. р иттриевого молибдата и нагревают до расплавления...

Номер патента: 528837

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Киргинцев, Маловицкий, Соловьев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, монокристаллов

...примыкающим к цим нагревателем 4 и надетыми обмоткамц 5, укрепляют затравку 6, имеющую диаметр, близкий к диаметру контейнера. В другом конце ук репляют стержневую загрузку 7 исходногоматериала. Через канал 8 в пустотелом керце 9 прц открьтом вакуумном кране 10 в контейнер подают аргон. На стыке затравки и загрузки включением трубчатого нагревателя сопротивления образуют зону расо плава с температурой 1000 в 1200 С.После подачи воды в обмотки статора,выполненные из восьми витков медной трубки диаметром 6 мм, цх включают через понижающий трансформатор в электрическую сеть и устанавливают ток 300 А. Расплав начинает вращаться относительно контейнера со скоростью 200 об/мин в определенную сторону. Затем сообщают контейнеру вращение в...

Номер патента: 681626

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Вербицкий, Носачев, Силин, Сысоев

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, халькогенидов, цинка

...(макропоры), а в крупных образцах (длиной более 20 мм) возможны концентрационные выпады примесей падлине.Целью изобретения является улучшение оптического качества монокристаллав5 за счет уменьшения количества и размероепор,Поставленная цель достигается тем, чтаплавление сырья ведут под давлением инертного.газа 10 - 20 атм, а перед кристаллиза 10 цией снижают давление,да величины,соответствующей упругости пара халькогенида в интервале температур Ткр -(Ткр+50 ОС), где Ткр - температуракристаллизации.15 П р и м е р 1. Выращивание монокристаллов сульфида кадмия (СбЗ),Тигель с навеской порошкообразногоСбЯ (500 г) помещают в кристаллизацианную камеру компрессионной печи. Систему20 вакуумируют до давления 10 мм рт.ст. Камеру нагревают до 700 С;...

Номер патента: 695531

Опубликовано: 30.10.1979

Автор: Бернхард

МПК: B01J 17/06

Метки: кремния, кристаллов, пластинчатых

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я(-35, Раушская наб д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 100 К 100 Р,70 мм. С помощью индукционного нагревателя из графита в виде трубы нагревают литейную форму перед заливкой в нее расплава и одновременно дно формы охлаждают с помощью медной плиты, охлаждаемой водой, таким образом, чтобы поверхность формы, контактирующая с большей поверхностью расплава, имела температуру около 800 С, Свободную поверхность расплава подвергают воздействию теплового излучения нагретой до 1500 С графитовой пластины, установленной на расстоянии около 2 см от поверхности расплава. Расплав кремния кристаллизуется при этих условиях, не смачивая графитовой формы. 3 акристаллизовавшуюся пластину кремния медленно...