H01L 7/02 — H01L 7/02

Номер патента: 446920

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Беспаленко, Боянков, Бугаков, Зеленский, Котосонов, Романова, Скутнев, Хлявич

МПК: H01L 7/02

Метки: датчик, холла

...виде прибор имеет только два вывода, присоединенных 6920к емкостным токовым эдектродам.Эти,выводы служат одновременно для поцачи высокочастотного тока питанияи выведения сигнала Холла. Тем самым существенно упрощается конструкция датчика Холла и достигаетсявозможность применения его для детектирования и смещения СВЧ-сигналов в СВЧ-детекторах и сместителях.1 О Вместе с тем предлагаемый датчикпозволяет измерять значительныемощности в диапазоне СВЧ в отличие. от известных датчиков Холла.":Для выведения сигнала Холла15 из линии питания током применяетсячастотная селекция,Магнитные наводки в предлага. -емом датчике сведены до минимуматем, что толщина диэлектрического20 слоя 2, определяющая площадь петлихолловского сигнала,...

Номер патента: 471631

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Арифов, Искандерова, Раджабов

МПК: H01L 7/02

Метки: многослойных, структур

...инертных газов с эц,;гцямсг от 1,5(10" до 5 Х 10 гоновгслг 2. Система электростатических линз б служит для ускорения и фокусировки пучка ионов.Система напуска газов ионного источника 7 состоит из игольчатого натекатсля и баллона с исследуемым газом. С помощью ионпзациоцных манометров и масс-спектрометра 8 контролируют давление и состав остаточных газов в измерительной камере,Порядок проведения экспериментов заключается в следующем; после обезгаживация всей установки и мишени и достижения давления в камере це выше 1 Х 10 " - 5 Х 11 тор, включают прямоканальцый иопаритель и производят напыление слоя ца подложку с данной температурой и с выбранной скоростью напыления. После предварительного нагпыле;гия слоя толщиной - 0,1 лкг, це выключая...

Номер патента: 392845

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Гольдберг, Царенков

МПК: H01L 7/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...и полупроводника, а для контактных пар, не образующих эвтектики, ниже температуры плавления металла.Осаждение в растворе препятствует окислению пластинки полупроводника; ток при этом не протекает, что также уменьшает вероятность образования окисла. Поэтому получаемый окиспый слой на пластинке по392845 Составитель Г,КорниловаРедактор И.0 рлова Техред И,Карандашова корректор З.Тарасова Заказ ,ДИзд. М )(Ц Тираж 8 ЗПодписное ЦПИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб 24 ф Предлагаемым способом можно получать диоды, транзисторы, фотодиоды и другие полупроводниковые приборы с потенциальным барьером металл -...