Устройство для генерирования управляющих напряжений для полупроводниковых приборов

О П И С А Н И Е 11470044ИЗОЬРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. Н 02 гп 1/08 с присоединением заявкиГасударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий(088.8) Дата опубликования описания 11.08.75(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕНЕРИРОВАНИЯ УПРАВЛЯЮЩИХНАПРЯЖЕНИЙ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к области автоматизации электроэнергетических объектов и предназначено для генерирования управляющих напряжений для полупроводниковых приборов, например силовых тиристоров.Известны устройства для генерирования управляющих напряжений для полупроводниковых приборов, содержащие последоватсл но включенные конденсатор, нагрузочный элемент, например первичную обмотку импульсного трансформатора, и тиристор, управляющий электрод которого соединен с коллектором транзистора, и блок команд.Однако известные устройства для генерирования управляющих напряжений не обеспечивают релейный сдвиг по фазе на 180 управляющих импульсов относительно опорного напряжения,Предложенное устройство для генерирования управляющих напряжений отличается от известных тем, что для расширения функциональных возможностей параллельно тиристору включен дополнительный тиристор, управляющий электрод которого соединен с коллектором дополнительного транзистора, базы указанных транзисторов соединены с двумя источниками переменного напряжения, находящимся в противофазе, и через диоды с общей точкой конденсатора и тирпсторов. а эмиттеры транзисторов связаны с выходами блокакоманд.Схема устройства для генерирования управляющих напряжений для полупроводнико 5 вых приборов приведена на чертеже,Устройство для генерирования управляющих напряжений для полупроводниковых приборов содержит блок команд 1, имеощий двавыхода 2 и 3, соединенные с эмиттерами10 транзисторов 4 и 5, коллекторы которых соединены с управляющими электродами тиристоров 6 и 7, а базы с двумя источниками переменного тока 8 и 9, находящимися междусобой в противофазе и через диоды 10 и 11 с15 местом соединения тиристоров 6 и 7 с конденсатором 12, Вторая обкладка конденсатора 12соединена с нагрузочным эмиттером, в качестве которого, например, можно использоватьпервичную обмотку импульсного трансформа 20 тора или управляющий переход тиристора.Блок команд имеет по своим выходам четыре состояния, в соответствии с которыми имеетчетыре состояния устройства для генерирования напряжения.25 При больших сопротивлениях между выходами 2 и 3 (показанные электроцныс ключиразомкнуты) на выходе импульсов пет, а коцденсатор 12 заряжен до пикового значениянапряжения источников 8 или 9,470044 бои Составитель Ю. БаеваТехред Т, Миронова ебедев Редактор В. Фельдман оррек ПодписноеСР Тираж 782комитета Совета Министровбретений и открытийРаушская наб., д. 4/5 Изд.690 осударственного по делам изо Москва, лЯ, аказ 192 ИОЦНИИПИ Типография, пр. Сапунова,При малом сопротивлении, допустим на выходе 2, (ключ замкнут) формируются импульсы в начале каждой отрицательной полуволны источника тока 8.Это происходит следующим образом. В отрицательную полуволну источника тока 9 конденсатор 12 через диод 11 заряжается. С источника 8 поступает на базу транзистора 1 и катод диода 10 положительное напряжение, и они тока не проводят,В положительную полуволну источника 9 запирается управляющий переход транзистора 5 и переход анода диода 11. При этом от источника переменного тока 8 отрицательная полуволна протекает через базо-эмиттерный переход транзистора 4 и выхода 2 блока команд 1, При этом ток коллектора, протекая через управляющий электрод тиристора б, включает последний, и конденсатор 12 быстро разряжается через анод - катод тиристора б и нагрузочный элемент 13.Далее процессы повторяются,При малом сопротивлении выход 3 и большом сопротивлении выход 2 блока команд 1 аналогичным образом будут формироваться на выходе импульсы, но уже в каждую полу- волну отрицательного напряжения (9),При малых сопротивлениях на выходах 2 и3 блока команд 1 на выходе импульсов не будет, так как ток от источников переменного тока 8 и 9 будет протекать через малое сопро тивление базо-эмиттерных переходов транзисторов 4 и 5 и через выходные клеммы 2 и 3 олока команд 1. Предмет изобретения1 ОУстройство для генерирования управляющих напряжений для полупроводниковых приборов, содержащее последовательно включенные конденсатор, нагрузочный элемент и тири стор, управляющий электрод которого сое.1 пнен с коллектором транзистора, и блок команд отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей параллельно указанному тпристору включен допол нительный тиристор, управляющий электродкоторого соединен с коллектором дополнительного транзистора, базы указанных транзисторов соединены с двумя источниками переменного напряжения, находящимся в проти вофазе и через диоды с общей точкой конденсатора и тиристоров, а эмиттеры транзисторов соединены с выходами блока команд,