Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах

Номер патента: 481087

Авторы: Иванов-Омский, Коломиец, Огородников, Сидорчук

ZIP архив

Текст

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. Н 01 Е 7/ 2) Заявлено 04.04.73 (21 02056 26-25 с присоединением заявки3) Приоритетубликовано 15.08.75, Бюллетеньта опубликования описания 24.10,7 сударствеииый ио авета Министров СССРо делам изобретений УДК 621,382:538:) СПОСОБ НАХОЖДЕНИЯ ОБЪЕМА ЗАДАННОГО СОСТАВА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХедмет изобретения ого сосх путемводникаточках,цпях от тем, что, лиза циц разреза постояц. р, путем тобы по- паралИзобретение относится к области технологического контроля в полупроводниковой промышленности.Известен способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материа лах, который заключается в вырезании образца из слитка и измерении коэффициента Холла в точках образца, расположенных ца различных расстояниях от его торцов.Недостатком данного способа является низ кая точность локализации объекта с заданным составом, что приводит к значительным потерям материала.С целью повышения точности локализации объекта с заданным составом по предлагае мому способу перед разрезанием выявляют форму поверхности постоянного состава на пластинах (например, путем травления) и вырезают образец так, чтобы поверхности постоянного состава были параллельны торцо О вым граням образца.Способ поясняется фиг. 1 и 2.Исходный слиток полупроводникового материала разрезают на пластины (фиг, 1) параллельно оси роста, На пластинах выявля ют форму сечений поверхностей постоянного состава 1 каким-либо из известных способов, например травлением в селективно-окрашивающем травителе. Изготавливают образец 2 для измерения коэффициента Холла так, что- Зо бы при измерении ток можно было направить по нормали к поверхностям постоянного состава. Измерительные зонды 3 и 4 (фиг. 2) расположены на боковых гранях образца с возможностью цх перемещения вдоль его длины. Измерения коэффициецта Холла проводятся при фиксированной температуре в области собствьчшой проводимости в точках образца, расположенных ца разцых расстояниях 1 от одного цз его торцов, положение которого принимается за начало отсчета, далее строится график зависимости Я от 1, по которому опрсделястся расстояние 1;соответствующее заданному Ро, т, е. задаццыи состав Х и определяются размеры участка Л 1 с заданным составом. Способ нахождения объема задаш тава в полупроводниковых материала вырезания образца цз слитка полупро ц измерения коэффициента Холла в расположенных па разных р асс тоя торцов образца, отличающийся с целью повышеция точности лока объема с заданным составом, перед цием выявляют форму поверхности ного состава ца пластинах, цапримс травления, ц вьреза;от образец так, ч верхцости постоянного состава был лельцы торцовым граням образца.

Смотреть

Заявка

1902056, 04.04.1973

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ АН СССР

ИВАНОВ-ОМСКИЙ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, КОЛОМИЕЦ БОРИС ТИМОФЕЕВИЧ, ОГОРОДНИКОВ ВИКТОР КОНСТАНТИНОВИЧ, СИДОРЧУК ПЕТР ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01L 7/66

Метки: заданного, материалах, нахождения, объема, полупроводниковых, состава

Опубликовано: 15.08.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-481087-sposob-nakhozhdeniya-obema-zadannogo-sostava-v-poluprovodnikovykh-materialakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ нахождения объема заданного состава в полупроводниковых материалах</a>

Похожие патенты