Способ измерения толщины слоев полупроводниковых материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
." :ы иБА библнот 1.= н"ОП ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскиз Йоцалистииесних Республик(51 м заявк Од По ооудеротееннын комнтетСовета йнннотрое СССоо делам нзобретеннйн открытий О 74 Бюллетень38 727) УД ата опубликования описания 25 10 74 8,2) Авторы изобретен. ГЛУИ 1 КОВо А.М. РаСКЕВИЧ И Т.Д. Раой Завод чистых металлов 1) Заявите(54)1 СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛО БОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Изобретение относится к области измерения параметров полупроводниковых материалов и может быть использовано при производстве полу проводниковых приборов.Известен способ измерения талщины слоев полупроводниковых материалов интерференционным методом, который заключается в просвечивании слоя,нанесенного на подложку, светом, йаправленным перпендикуляр но к поверхности слоя, и спектрофотометрическом исследовании интерферирующих отраженных лучей, по результатам которого определяют толщину слоя.Однако нй один из существующих до настоящего времени методов не позволял измерять толщину, слоев, если химический состав проводимости и концентрация носителей тока в них мала отличается от соответствующих величин в материале подложки. Для измерения толщины слоев,мало отличающихся по химическому составу, типу проводимости и концентрацйи носителей от материала з подложки, предлагается способ, покоторому помещают в поляризованный световои поток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ 1 о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.Описываемый способ прост взксплуатации и не требует химичвстб КОй ПОдГОтОВКИ ОбраэцОВ.Принципиальная схема измеренияпо предложенному способу показана на чертеже.Свет от источника 1 проходит 20 через конденсор 2, поляризатор 3,образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему б и попадает на регистрирующее устройство 7.ИсследуемыИ образец 4 помещают 25 между скрещенными поляризатором 32 2 б 7 Составитель А, С Э ЛИ НРедактор С,ХОЙфИЦ Текред Н .СОНИНЭ Заказ 4 З Изд. И )Я Тираж Щ) Подписиое ЦНИИПИ Государствеияого комвтета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113 И, Раушская иаб., 4Предприятие аПатеитэ, Москва, Г.б 9, Бережковская иаб., 24 44 и анализатором 5 так, чтобы, плоскость, разделяющая слои (она параллельна поверхности слоя), была параллельна световому потоку. Учас :тки образца (слоИ и подложка) из-за различных внутренних напряжениИ буут иметь различную яркость при налюдении их за анализатором 5. (Разница внутренних напряжений в слое и подложке обусловлена различ- ными условиями получения слоя и подложки. Поворотом образца вокруг оптическоИ оси системы выбираетсяположение, в котором границы между слоями найболее резкие. Толщина слоев измеряется с помощью окуляр- ного винтового микрометра или с помощью другого оптического прибора, толщину слоев полупроводниковых материалов описанным способом 6 ЯЗ можно измерять поляризационййми :микроскопами. ПРЕЛЦЕТ ИЬОЗРЕТЕНИЯ ь Способ измерения толщййй слоевполупроводниковых материалов, обладающих двойным лучепреломлением, при котором объект измерения поме, щают в световой поток, о т л и 1 о ч а ю щ и И с я тем, что, с цельюизмерения толщины слоев, малоотличающихся по химическому составу, .типу проводимости и концентраций , носителей от материала подложки, 15 помещают в поляризованныИ световоИпоток объект измерения таким образом, чтобы поверхности его слоев были параллельны направлению потока, и по выявленной границе разде 2 о ла между слоями определяют их толщину.
СмотретьЗаявка
1830657, 25.09.1972
ЗАВОД ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ
ГЛУШКОВ ЕВГЕНИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, РАСКЕВИЧ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ, РАСКЕВИЧ ТАТЬЯНА ДМИТРИЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01B 11/06
Метки: полупроводниковых, слоев, толщины
Опубликовано: 15.10.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-446743-sposob-izmereniya-tolshhiny-sloev-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения толщины слоев полупроводниковых материалов</a>
Способ нанесения промежуточного слоя силикагеля на внутреннюю поверхность капиллярной хроматографической колонки
Номер патента: 944635
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Аникеев, Волков, Горяев, Якубовский
МПК: B01J 47/02
Метки: внутреннюю, капиллярной, колонки, нанесения, поверхность, промежуточного, силикагеля, слоя, хроматографической
...присоединения линииинертного газа и капилляра. Давление на входе в колонку .зависит .отобъема; сосуда. Внутрь устройствапомещают 4,2 г фтористого натрия,2 г тоикорастертого оксида кремнияи. добавляют 5. мл концентрированнойсерной .кислотЫ,В результате химической реакциивыделяется газообразный тетрафто"рид кремния, давление в устройстве составляет 0,1 ИПа. Открывают линиюинертного газа и повышают давление в устройстве с помощью инертного газа 1 азота ) до 0,3 ИПа, т,е, создают 30-ную концентрацию тетрафторида кремния в газовой смеси. При указанных условиях скорость движе944635 Эния газовой смеси через колонку сос":тавляет 6 м/мин, Визуально наблюдают образование белого налета на .,стенках капилляра, граница котора"го перемещается по...
Устройство для определения коэффициента трения между поверхностями отливки и стержня
Номер патента: 474390
Опубликовано: 25.06.1975
Автор: Зеньков
МПК: B22D 15/00, B22D 29/00, G01N 19/02
Метки: коэффициента, между, отливки, поверхностями, стержня, трения
...на опоре 21, смонтированной на не:1 одвцжцой цолуформе 1.Для одновременцои записи усилия обжатця шарнирно соединенных частей 5 и б стержня отливкой 9 и усилия вытяжки частей стержня цз отливки устройство снабжено комплектом приборов, состоящим из осциллографа 22, усилителя 28 и блока питания 24, Для измерения и записи температур г 1 оверхностей частей стержня и отливки устройство снабжено потецциометром 25 с регулцруоцим устройством и термо 1 царами 26 и 27, причем термопара 27 вмонтирована в тол,катель 28,Для своевременного извлечения центрального клина, а также шарнирно соединенных частей стержня устройство имеет электропдравлпческие распределители, управляемые при помощи регулирующего устройства потенциометра 25 в соответствии с...
Устройство для определения локальных коэффициентов теплоотдачи между поверхностью раздела фаз и движущейся средой
Номер патента: 1059494
Опубликовано: 07.12.1983
Авторы: Геращенко, Грищенко, Декуша, Сало
МПК: G01N 25/18
Метки: движущейся, коэффициентов, локальных, между, поверхностью, раздела, средой, теплоотдачи, фаз
...среду (жидкостьили гаэ), теплообмен с которой исследуетсяПри этом целесообразноприменять вторую модификацию устройства (фиг. 2), в которой вместо одного из штуцеров в теплометрическомблоке. выполнено отверстие 9, черезкоторое полость заполняется рабочейсредой.Если теплопроводность рабочейсреды изменяется за время проведенияисследований, тб для контроля этогоизменения в комплект с предлагаемымустройством вводят индикатор теплопроводности движущейся среды(фиг. 3), работающий по принципу ., теплометрического моста, собранныйиз таких же элементов, что и предлагаемое устройство (фиг. 2), и отличающийсяот него тем, что вместо защитной пленки или фольги на поверхностях тепломеров 1 и 2 смонтирована дополнительная температуровыравнивающая...
Устройство для нанесения слоя смазки на внутреннюю поверхность трубы
Номер патента: 435877
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Павлов, Саксонов, Суздальницкий
Метки: внутреннюю, нанесения, поверхность, слоя, смазки, трубы
...операций предлагаемое устройство снабжено распыляющим соплом, установленным на переднем конце полого стержня.На чертеже изображено предлагаемое устройство,Устройство содержит короткую оправку 1, полый стержень 2 с радиальными отверстиями 3, распыляющее сопла 4 и волоку 5.Предложенное устройство работает следующим образом,Труба с заостренным концом надевается на короткую оправу 1 и на полый стержень 2, подается к волоке 5, где она захватывается плашками волочильной каретки. С началом волочения подается смазка через полый стержень и его радиальные отверстия в зону деформации. Одновременно смазка (масло, эмульсия) поступает через полый стержень, 5 короткую оправку и распыляющее сопло навнутреннюю поверхность трубы, вышедшей из...
Способ ослабления контакта между поверхностями рудного тела и твердеющего закладочного массива
Номер патента: 1046517
Опубликовано: 07.10.1983
Автор: Штеле
МПК: E21C 41/06
Метки: закладочного, контакта, массива, между, ослабления, поверхностями, рудного, твердеющего, тела
...цель достигается тем,что согласно способу ослабления контакта между поверхностями рудного те 40ла н твердеющего закладочного массива,вюпочающему бурение скважин по рудемежду закладочным массивом и подготсвительнойвыработкой, нагнетание через эти скважины под давлением жидкости в зону контакта руды с закладкой,45которой заполняют выработанное просчранство, скважины бурят из выработаниого пространства до проходки подготовительных выработок, на поверхности рудного тела в местах расположения устьевскважин формируют выемки, которыезаполняют герметичным материалом дозакладки выработанного пространства,а жидкость нагнетают в запошиющийвыемки материал,55На фи. 1 изображен вертикальныйразрез рудного тела и твердеющей заи.ладки;...
Предыдущий патент: Виброконтактное измерительное устройство
Следующий патент: Способ измерения линейных перемещений в оптико-электронных измерительных системах с интерференционной модуляцией
Случайный патент: Копировальный профильно-шлифовальный станок с пантографом и плавающим столом