Патенты с меткой «эмиттерных»

Номер патента: 458605

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Зарецкий, Карпов, Колкин, Николаев, Слотин, Черевко, Шевцов, Эскин

МПК: C22C 1/02

Метки: полупроводниковых, сплавов, эмиттерных

...закалку осуществляют при введени ультразвуковых колебаний в закалочную среду.Это дает, возможность получать однородные 1эмиттерные полупроводниковые сплавы с добавками акцепторных или донорных элементов, не растворяющихся в расплаве компонентов сплава,По этому способу изготовленную шихту загружают в кварцевую ампулу, которую затемвакуумируют и отпаивают,под вакуумом; ампулу с загрузкой, нагревают соскоростью 15 - 20 в мип в расплавесолей до температуры на 50 - 80 выше 2точки плавления наиболее высокотемпературного компонента сплава. В расплав волей вво-дят с помощью магнитострикционного вибратора ультразвуковые колебания частотой20 кгц, которые передаются в расплав метал лов, Ультразвуковую обработку распл изводят до получения...

Номер патента: 1304007

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Осипов, Рабинский, Ружинский

МПК: G05F 1/56, H02M 1/00

Метки: включенных, выравнивания, параллельно, токов, транзисторов, эмиттерных

...суммирующий усилитель 5, первый 15 б и второй 7 базовые резисторы. При этом первый 1 и второй 2 параллельно включенные транзисторы соединены коллекторами между собой, первый 3 и второй 4 эмиттерные резисторы первыми 20 выводами соединены с эмиттерами первого 1 и второго 2 транзисторов соответственно, а вторыми выводами соединены между собой, первый и второй базовые резисторы первыми выводами 25 соединены между собой, а вторыми соединены с базами первого 1 и второго 2 транзисторов, Инвертирующий вход суммирующего усилителя 5 соединен с эмиттером второго транзистора 2,не- ЗО инвертирующий вход соединен с эмиттером первого транзистора 1, а выход соединен с базой второго транзистора 2.Устройство работает следующим образом.При...