Способ упругого анизотропного деформирования монокристаллов

) Иг ф3 "а ВТОРСКОМУ СВИ ТЕЛЬСТВ ормирования(71) Институт ном нагружелоскостей наюл, %27 икладно эикиАНМ С алличе, Использ лавные пл ния фикс покрытия нагружени дуглома к тей, удовлл/4.2 и(72) П,П, Бо ря,Д,Ф, Ми (56) Авторск Ф 1259138. решет нити. скол ьж лян ног нити, а нием и плоско л/4 уют монокрис оскости наи ируют нанесе на боковую и е осуществля направлению етворяющим л 1 табл. талл в виде легчайшего нием стековврхность ют растяже- указанных словию ко ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР юл, В.Ф. Гарабажиу, Е.П. Кандлей и А.А. Николаеваое свидетельство СССРкл, 6 01 М 3/08, 1986,(54) СПОСОБ УПРУГОГО АНИЗОТРОПНОГО ДЕФОРМИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для Изобретение относится к испытательной технике, способам получения сильныханизотропных деформаций монокристаллов типа одноосного растяжения и можетиспользоваться в технике исследованияпрочностных, электронных и магнитных характеристик металлов, а также в измерительной технике как способ регистрациисверхсильных деформаций.Известен способ испытания образцовмонокристаллов в условиях одноосногосжатия, в котором размещенный внутри упругого кольца образец жестко фиксируют поторцам и ориентируют так, что сжимающееусилие направлено вдоль его кристаллографических плоскостей найлегчайшего скольжения, что сдерживает преждевременноепроявление пластических деформаций.Известный способ характеризуется небольшим диапазоном упругих деформаций,который составляет 0,4.Цель изобретения - расширение диапазона упругих деформаций типа одноосногорастяжения,упругого анизотропного де монокристаллов при однао нии путем фиксации главных илегчайшего скольжения в кр В основе способа, позволяющего искус, ственным образом расширить область упругого анизотропного растяжения, лежит представление о необходимости задержать начало пластической деформации путем создания на образце специальных граничных условий, препятствующих развитию пластических процессов, Так как при низких температурах пластическая деформация развивается за счет скольжения, фиксация плоскостей скольжения (для полуметаллов В, ЯЬ, Аэ и сплавов на их основе зто плоскость И) осуществляется стеклянной оболочкой, плотно прилегающей к образцу и в несколько раз превышающей диаметр образца. Растяжением кристалла, заключенного в твердую оболочку, блокируют сдвиги пластической деформации.Способ осуществляют следующим образом,Образец в виде тонкого цилиндриче го монокристалла в стеклянной изоля полученный по методу Улитовского, и щают в упругое кольцо, предварителпроградуирбванное по относительному удлинению от растягивающего усилия. Торцы образца с электрическими контактами закрепляются с помощью эпоксидной смолы на внутренней части упругого Кольца. Растягивающее усилие направляют вдоль кристаллографической оси наилегчайшего скольжения или близкой к ней+450). Путем деформирования упругого кольца нагружают образец растягивающим усилием до 3,50 относительного удлинения образца с последующим снятием нагрузки, Упругие свойства образцов позволяют проводить обратимые циклы растяжения многократно с полным воспроизведением сопротивления, амплитуд и частот осцилляций Шубникова-де Гааза.На фиг. 1 приведена схема растягиваю- щего устройства; на фиг. 2 - осцилляции Шубникова-де Гааза.Предлагаемое устройство содержит монтажную вставку 1 иэ бериллиевой бронзы, пружину 2, растягива 1 ощий винт 3, бронзовое кольцо 4, внешнюю трубку 5, стержень б; контактные пластины 7, образец 8, электрические контакты 9 и механическое, крепление образцов и вращательную головку 10.Осцилляции Шубникова-де Гааза (фиг.2) сняты при 4,2 К и различных.значениях относительного удлинения,. П р и м е р. Монокристаллические образцы цилиндрической формы из 81, 81 - О,ОЗ Яп в стеклянной изоляции диаметром от 3 до 0,8 мкм и длиной от О до 2 мм с электрическими контактами укрепляются на упругом элементе (кольце) эпоксидной смОлой. Ось образцов совпадает с Г. направлением приведенной зоны Брйллюэна, т. е. плоскость совершенной спайности составляет угол =20 с растягивающим усилием, На-.гружая усилием осевого растяжения упругое кольцо, измеряют величину упругихдеформаций. Одновременно исследуют5 электрические и электромагнитные свойства образцов. Максимальная величина деформаций, после чего полностьювоспроизводятся величины удельного сопротивления, частота и амплитуда осцилля 10 ций Шубникова-де Гааза составляет 3,5;Д.Максимально достижимые деформации прииспытании образцов на одноосное растяжение висмута составляет 0,7,В таблице приведены результаты испы 15 таний образцов на одноосное растяжениепри 4,2 К.Таким образом, образцы, подвергнутыерастяжению по предлагаемому способу, выдерживают нагрузки, на порядок превыша 20 ющие известные, позволяя проводитьобратимые циклы многократно,Формула изобретения Способ упругого аниэотропного дефор мирования моиокристаллов при одноосномиагружеиии путем фиксации главных плоскостей наилегчайшего скольжения в кристаллической решетке, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области упру- ЗО гого деформирования за счет задержкиразвития пластических деформаций, используют монокристалл в виде йити, фиксацию главных плоскостей наилегчайшего скольжения осуществляют нанесением 35 стеклянного покрытия иа боковую поверхность нити, а нагружение осуществляют растяжением под углом а к направлению указанных плоскостей, выбираемым из условия л(4 а Ф 4.401749759 ан. е Составитель П. Бодю Техред М.Моргентал Редактор И. Дерба Корректор М,аказ 2590 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 1