Пастон

Номер патента: 1397853

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Пастон

МПК: G01R 31/02

Метки: замыканий, коротких, нагрузкой, обрывов, цепей, электрической

...первые 4 и втрцс 5 клсммы лля пол ключения объекта контроля, блок 6 конрля, первый 7 и второй 8 лоплнительнце лио. ды, причем первый вывол источникапод ключен к первым выводам резисторов 2, вторые выводы которых соединены с сответ. ствуюп 1 ими клемчами 4 и анодами о ветствук) ши х лилов 3, ка толы котс) рц х сое. диненц с первцч вцнлм блока 6, клеммы 5 соединены с вторым вцволоч источника 1, аноды лиолв 7 и 8 соелиненц с вторым вывлч б,ка 6, а кат;Гц соот ветственнс псрнцм и вторцч вцвлами источника 1.Устройство рабтает слелуюцим образм.В Лс журном рсж и ч. кон рол)русч ы. це. пи через резисторы 2 полкан)чены и источникунапряжения и бтекаются перемен. ным током контроля. Поскольку )н)миналы резисторов 2 выбраны равными величинам...

Номер патента: 1325563

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Безбородников, Контарев, Пастон, Фурсин, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

...окон под контакты и формирования металлизации.После изготовления в исходной монокристаллической рподложке 4 вер 55тикальных областей 10 из диэлектрика(операция а) изготавливают разряднуюи-область 3 легированием поверхностиподложки примесью второго типа проводимости без применения фотошаблона. Ширину области 10-1 диэлектрика выбирают меньшей ширины области 10-2 диэлектрика, Термообработку проводят так, чтобы и-область 3 сомкнулась под областью 10-1 изолирующего слоя и не сомкнулась под областью .10-2 изолирующего слоя, Базу 8 и-р-и- транзисторов изготавливают с помощью легирования примеси первого типа проводимости, причем легирование проводят по всей поверхности подложки без применения фотошаблона (операция 6).После этого с помощью...

Номер патента: 1170593

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Дробышева, Пастон, Холоднова

МПК: H03K 5/01

Метки: сигнала, формирователь

...сигнала работает следующим образом.Пусть на входы формирователя сиг нала подается такая комбинация логических сигналов, что все 11 входных транзисторов 1 закрыты, ток в их коллекторной цепи отсутствует и через резистор 2 течет только базовый ток транзистора 3, вызванный прохождением тока источника тока, подключенного к выходной шине 9, через эмиттер транзистора 3.ЪЗа счет протекания коллекторного тока транзистора 3 потенциал на базе транзистора 4 достаточно низкий и транзистор 4 закрыт. Через резистор 7 течет базовый ток транзистора б. На эмиттере транзистора б сформиро ван высокий потенциал, который ниже ,потенциала шины 8 на суммарную ве,личину падения напряжения на открытом переходе база-эмиттер транзистора 6и величину...

Номер патента: 1092561

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Дробышева, Мызгин, Нестеров, Пастон, Холоднова

МПК: G11C 11/407, G11C 7/00

Метки: варианты, его, обращения, памяти

...транзисторрезисторы с первого по третий, причем коллекторы первого и второго переключающих транзисторов подключенысоответственно к одним иэ выводовпервого и второго резисторов, другиевыводы которых соединены с первой шиной питания, база первого переключающего транзистора является информационным входом устройства, база второго переключающего транзистора подключена к первой шине опорного напряжения, эмиттеры управляющих транзисторов подключены к коллектору установочного транзистора, база которого соединена с второй шиной опорного напряжения, а эмиттер подключен к одномуиз выводов третьего резистора, другой вывод которого соединен с второйшиной питания, змиттеры переключающихтранзисторов соединены с коллекторомустановочного транзистора,...

Номер патента: 1045364

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Дробышева, Пастон, Холоднова

МПК: H03K 5/01

Метки: выборки, матрицы, сигнала, формирователь, элементов

...потенциала шины 4 питания на величину папений напряжения нарезисторах 1 и 2 за счет протеканиябазовых токов транзисторов 3 и 6 и вдичину пацения напряжения на открытомперехоце база-эмиттертранзистора 6, Ввыбранном канале через транзистор 3 ициоп 7 течет ток источника 11 токаи на вывоце 10 формируется потенциалниже потенциапа на шине 4 питания навепичину падении напряжений на резисторе 2 эа счет протекания базовых токовтранзисторов 3 и 6 и открытом перехоце база-эмиттер транзисторов 3, а наэмиттерах вхоцных транзисторов формируется потенциал, равный напряжению источника смещения, поцкпюченного к шине 15.Величина источника смещения должнабыть не более чем на 0,4 В ниже потенциала на вывоце 10, чтобы обеспечитьнадежное запирание...

Номер патента: 1027824

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дробышева, Пастон, Холоднова

МПК: H03K 19/08

Метки: выборки, матрицы, накопителя, сигнала, формирователь, шины

...быстродействие, необходимоформировать на резисторе, соединенном сшиной источника питания, что увеличива Оет перепад на базе И транзисторов и соответственно перепап на эмиттерах этихтранзисторов. Снижение быстродействияпроисходит также из-еа наличия большойемкости в коллекторном узле И транэисторов, подсоединенной непосредственно кбаэв формирователя и как следствиебольшой постоянной времени в этом узле,в котором создается основной логическийперепад.111 ель изобретения - повышение быстродействия,Указанная цель достигается тем, чтов формирователь, содержащий 0 транзисторы, коллекторы и базы которых объединены, а эмиттеры подключены к соответствуюшим входным шинам формирователя, выходной транзистор, коллектор которого соединен с шиной...

Номер патента: 763966

Опубликовано: 15.09.1980

Автор: Пастон

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: динамический, памяти, элемент

...выполнении описываемая ячейка представляет собой следующую структуру: на рподложке 14 расположен пф-скрытый слой 12, являющийся одновременно шиной 12 и истоком 3 полевого транзистора. На слое 12 выполнены 0 Гп)- -слой 4, являющийся базой биполяр 66 фного транзистора,-канал 11 полевого транзистора, рр-) -затвор 9полевого транзистора, являющийсяколлектором биполярного транзистора,Ррф) -эмиттер 7 биполярного транзистора, соединенный общим электрическим контактом в виде проводящейметаллической шины 13 с и -стоком6 полевого транзистора,Работа ячейки основана на возможности хранения двоичной информациив зависимости от того, в проводящем(логический "О") состоянии она находится. Запись логического "Оф осуществляется следующим образом: на...

Номер патента: 662974

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Лапир, Пастон, Ракитин

МПК: G11C 19/00

Метки: запоминающее

...регистра 1Ф выходом сдвигового регистра 1 и входом сигнала, наиболее близкого к сигналу5 выхода,ыходы Запись и считывание информации осутора ществляется соответственно через вход нулевому и единичному диму и единичному дифференцирую- Устройства и выход устройства. Вся схема щим входам триггер 5, Нулевой выход может быть выполнена по технологии триггера 5 подключен к управляющему 36 МДП-структур на одном кристалле.у аналогового ключа 6 через кото- Преимуществом изобретения является рый выход гене ато ай в од генератора 2 соединен со то что оно позволяет запоминать много- входом регистра 1 и выходом 7 устрой- Уровневые сигналы без какого либо ограничения времени хранения, Такое запоминаю- Устройство работает следующим обра щее...

Номер патента: 496600

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Володин, Гусакова, Кабанов, Пастон, Ракитин, Шкуропат

МПК: G11C 11/401

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...продолжительное время (около1 10 сек), Кроме того, ячейка содержитконденсаторы 9-12,Ячейка работает следуюшим образом,Отрицательный импульс напряжения ( 1 щщ-2 ц ), подаваемый по шине Э через диод 2на -базу, запирает ее потенциалом (0,5--1 Й ), недостаточным для перевода ячейкииз единичного в нулевое. состояние, ш .О такоего амплитуда достаточна, чтобы зоблокировать открывание Д - О- ц-транзистора) Авторы Е, Б, Володин, Б. И. Гусако изобретения Б, В, Ракитин 54) ДИНАМИЧЕСКАЯ ЯЧЕГ Изобретение относитстехнике и может бытьминаюших устройствахровой автоматики,Известна интегральная матрица накопителя запоминаюшего устройства, ячейки которого состоят из полупроводникового р-тт-р-я-прибора с 8 -ебразной...

Номер патента: 337910

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кубинцев, Пастон, Пате, Ракитин

МПК: H03K 3/14

Метки: многоустойчивый, элемент

...и последовательно соединенные пороговый элемент 3 и блок 4 управления режимом Запись - хранение.Нелинейный блок 2 состоит из триггера 5 со 10 счетным и установочным входами и фильтраб низких частот. Блок 4 выполнен на сборках 7 - 9 и вентилях 10 - 12.На вход 13 порогового элемента 3 подаютслучайный аналоговый сигнал (шум). В ре жиме хранение на вход 14 поступает нулевой потенциал, закрывающий вентили 10, 11 и открывающий вентиль 12 и сборку 7, через которые на счетный вход триггера 5 поступают пачки импульсов с клеммы 15 тактовых 20 импульсов, а на вход 15 установки нуля идетимпульс сброса триггера (клемма 17) с частотой в и раз иеньшей, чем тактовая. Отношение частоты такта к частоте сброса определяет число состояний...