Ячейка памяти

1 ц 49 О) 8 О ОПИСАНИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл, Ст 11 с 1/3 Госудврствениыи комитв 23) итет Совета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий Опубликовано 30.10.75. Бюллетень М 4 Дата опубликования описания 28.01.76 3) УДК 681.327,66(54 3, включенный в цепьВ цепях катодов 5 иимеются резисторы 7первого диода Ганна -атода 4 второго диода6 второго диода Ганна 8, а в цепи катода 9 резистор 10. области вычисли ержащая диод и к шине пие записи и чепотенциала, а ание и через енциала, прирвого щелью в до анода.ствует развязСтирание. юче ин ирпот 10 щеи отсут дом Цель ционны Это д второй к шине катоду второго и черезэксплуат в ячеику введен торого подключен тод - к второму на, второй катод ине Считывание левого потенциала, ячейки и через ренциала. исто На чертеже ячейки памяти.Ячейка памя элементов с ис выполненных и диодов 1 и 2, н оказан один из ианто и состоит из д пользованием эфарсенида галли груженных на оо х активных екта Ганна,ц типа, - ий резистор Изобретение относится ктельной техники.Известна ячейка памяти,Ганна, анод которого подктания, первый катод - крез резистор к шине нулеввторой катод - к шине Срезистор к шине нулевогочем второй катод отделен ополупроводнике, не доходяВ такой ячейке памятика между ее выходом и вхо изобретения - улучшених характеристик.остигается тем, чтодиод Ганна, анод копитания, первый капервого диода Гандиода Ганна - к шрезистор к шине нуй катод - к выходук шине нулевого поте В диодах катоды отделены между собойщелями (не доходящими до анода) 11, 12, 13,делящими активные элементы на области14 - 18,Ячейка работает следующим образом.В исходном состоянии в областях 14 и 15диода 1 Ганна и в областях 16 и 18 диода 2Ганна напряженность электрического поллблизка к пороговому значению и выше минимального поля поддержания домена, а в области 17 напряженность электрического поляниже этой величины.Запись 1 проводят подачей импульса отрицательной полярности на катод 9 диода 1.В результате, в области 14 образуется домен,дрейфующий к аноду, Достигнув конца щелц11, домен распространяется на все сечениедиода 1 Ганна (области 14, 15), вызывалуменьшение тока в резисторе 3 и, как следствие, увеличение напряжения в области 16диода 2. Это приводит к образованию доменав области 16 у катода 4.После того, как в диоде 1 домен разрядится у анода, он вновь образуется в этом диоде,так как наличие домена в области 16 диода 2спяктор И. Г 1 узовя Ия т о 1914Госудярствсшо:о комитет по яслям изобретений Москва, Ж, Ряушскя Тирак 648 Совета Министров ССС откр 5 ят:й пяб., д. 4,5якая 11,19Ц 11 ИИГ 11 одп испо 1:иот 1 я 1 пя, и 1 п Сяпчповд,зызываст понижение потенциала па 1;атоднох рсзисто 1 е и увеличение папр 5 жсни 51 в Об,ас.и 15 Поскольку домены в диоде 1 Гав а и в обласг; 16 диода 2 попеременно отстают друг от друга, происходит непрерывное:ерскчс 11 пе элементов. ДО приходз импульса Отрицательной полярности (сигн 1 ала Считывание) па катод 5 домен из области 16 пстронкпуь в Ооласть 17 вследствие низкого Зпа 1 сния пап 1 яжеппости электричсс 1 с ПО;я в области 1( (нтже мипима.ыОго 1.Оля поддержа;1 ия домена). С приходом сигнала Считывание па электро О домен пз бластп 1 б проГикает в области 17 и 18. С рсз.; - .Ора 8 ситал снимается в 1;агрузку.,Л 5 стира 1111 Я 1 достаточно подать сигпа,;оло 5 кптелыОй поля 1 ности па элскт 1 Од 4, элек 1- и;1 чссхп разв 513 аппь 1 й с выходпы;н цспямп,Предмет изобретения ячейка памяти, содержащая первый диодГанна, анод которого подк;почен к шине пи тания, первый катод - к шине записи и черезрезистор к шине пулевого потенциала, второй катод подключен к шипе Стирание и через резистор к шине пулевого потенциала, отл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью улучше 1 ия 10 эксплуатационных характеристик, она содержит второй диод Ган;1 а, анод которого подключен к шине питания, первый катод - к второму катоду первого диода Ганна, второй катод второго диода Ганна подключен к шине 15 Считывапье и через рсз:стор к шине пулеВого потенциала, третий катод ПОдел 1 О 1 сн к выходт ячсик 1 и через резистор к шине нугс зого потенциала,