Динамическая ячейка памяти

Номер патента: 488259

Автор: Жемейцев

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(и) 488259 Союз Советских Социалистических Республик)М,К 1/40 с присоединением заявкиГосударственный комите Совета Министров СССР по делам изобретеннйи открытий 53) УДК 628 327 66(72) Автор изобретсни Г. Жемейце 71) Заявитель18 рЪ А 54) ДИНАМИ еика памяти тельной техв интегральустройствах.памяти, соа, в которой ра подключео транзистоо и третьего ядной шине,нимает болькак содержит упрощение достигается подклю ранзистора к адрес ема динамическои - временная диаг 2, 3 - МДП-транчейки служат для тственно. На техатвор - подложка зистора 1 врементрического заряда дресная и разряд(23) ПриоритетОпубликовано 15.10.75. Б Предлагаемая динамическая ячотносится к устройствам вычислиники и может быть использовананых оперативных запоминающихИзвестна динамическая ячейкадержащая три МДП-транзисторсток и затвор первого транзистоны к истокам второго и третьегров соответственно, стоки второтранзисторов подключены к разра затворы - к адресной шине.Известная ячейка памяти зашую площадь на кристалле, тактри управляющих шины.Целью изобретения являетсяячейки,Поставленная цельнием истока первого тшине.На фиг. 1 приведена схячейки памяти; на фиг. 2рамма ее работы.Принятые обозначения: 1,зисторы. Транзисторы 2, 3 ясчитывания и записи соотвенологической емкости 4 з(подложка заземлена) транно хранится в форме элекинформация. Шины 5, 6 - а Ей КА ПАМЯТИ - ч ная шины соответственно. По адресной шине 5 ячейка управляется трехуровневым сигналом напряжения, по разрядной шине 6 в двухуровневым сигналом напряжения.Рассмотрим работу ячейки памяти, построенной на МДП-транзпсторах с каналом проводимости п-типа.При записи информации на шину 5 поступает сигнал с высоким уровнем напряжения, на шину 6 - сигнал О (нулевое напряжение) или 1 (высокий уровень напряжения) записываемой информации (фиг. 2), Транзисторы 2, 3 полностью открыты высоким уровнем напряжения. Емкость 4 либо заряжается до напряжения, при котором открывается транзистор 1 (запись 1), либо разряжается до нулевого напряжения, при этом транзистор 1 закрывается (запись 0). После записи на шинах 5, 6 поддерживается нулевое напряжение, транзисторы 2, 3 закрыты, транзистор 1 открыт или закрыт.При считывании на шину 5 поступает сигнал со средним уровнем напряжения, на шину 6 - сигнал с высоким уровнем напряжения. Транзисторы 2, 3 частично открываются средним уровнем напряжения. При считывании 1 транзистор 1 открыт, и ток, протекающий между шинами 5 и 6 (1, ), соответствует сигналу считывания 1. При считывании 048825 9 лах записи регенерацию информации следуетпроводить не реже одного раза в течение времени хранения путем считывания и перезаписи информации в ячейку,Динамическая ячейка памяти, содержащаятри МДП-транзистора, сток и затвор первого 10 из которых подключены к истокам второго итретьего транзисторов соответственно, стоки второго и третьего транзисторов подключены к разрядной шине, а затворы - к адресной шине, отличающаяся тем, что, с целью 15 упрощения ячейки, в ней исток первого транзистора подключен к адресной шине. пос Составитель Р. Яворовс Техред М. СеменовКорректор Л. Денискин Нанки едак ПодписноСР Тираж 648Совета Министрови открытийская наб., д. 4/5 Изд.1899 НИИПИ Государственного комитет по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Рауаказ 375/8 Типография, пр. Сапунова, 2 транзистор 1 закрыт, отсутствие тока между шинами 5 и 6 (/сч, =О) соответствует сигналу считывания О.При считывании О происходит медленный заряд емкости 4 через частично открытый транзистор 3. Это определяет следующие особенности работы запоминающей ячейки, Средний уровень сигнала, подаваемого на шину 5 при считывании, и его длительность должны быть такими, чтобы исключить возможность заряда емкости 4 до напряжения, превышающего пороговое напряжение Уо транзисторов в течение одного цикла считывания, Регенерацию информации в ячейки следует проводить после каждого считывания. Кроме этого, при хранении информации и работе ячейки в цикФормула изобретенияцоптыда-5 апось оГцооьйаное

Смотреть

Заявка

1994661, 07.02.1974

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5885

ЖЕМЕЙЦЕВ АНАТОЛИЙ ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

Опубликовано: 15.10.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-488259-dinamicheskaya-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Динамическая ячейка памяти</a>

Похожие патенты