Шемиот

Номер патента: 1804618

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Дмитриев, Зезин, Концевой, Храброва, Шемиот

МПК: G01N 25/18

Метки: алмаза, алмазных, кристаллов, теплопроводности

...55 Ь 0=1 э а ЬО,1 э - ток эмиттера транзистора;а- коэффициент передачи по току транзистораа;ЛО - изменение напряжения на коллекторе транзистора, измеряемое измерительным прибором (16 на фиг. 3).Тепловое сопротивление тракта междуэмиттером транзистора-нагревателя и датчикомтемпературы 6 равно увеличивается. В соответствии с этим увеличивается коллекторное напряжение ЧТ 1 до значения, при котором уходящий поток тепла компенсируется приростом мощности 5 рассеяния тепла на коллекторе, изменениетемпературы транзистора уменьшается и она устанавливается на первоначальном уровне. Прирост напряжения на коллекторе транзистора измеряется измерительным 10 прибором(16 на фиг. 3).Транзистор ЧТ 4 находится в механической и тепловой связи с теплоотводом...

Номер патента: 357462

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бйш, Концевой, Кудин, Кудр, Меньшиков, Уль, Шемиот

МПК: G01B 9/02

Метки: плоскостности, прозрачныхдеталей

...взаимо действия лучей, отраженных от эталонной иконтролируемой поверхностей. Однако на полезную интерференционную картину наложен ряд паразитных, вызванных интерференцией лучей, отраженных от верхней и нижней по верхносте проверяемой детали, от эталоннойповерхности и нижней поверхности детали 7 и т. д в результате чего расшифровка полезной интерференционной картины сильно затруднена н не всегда возможна,15 Если задать падающему пучку угловые колебания с,периодом, меньшим постоянной времени приемника световой энергии (например, 1/25 сек при наблюдении глазом), то интерференционные картины начинают разлы ваться, причем тем сильнее, чем больше разяость хода между интерферирующими лучами.При изменении разности хода за один период...