Стекло для защиты полупроводниковых приборов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Ьоеоокэзнан атентно-техничеон.;, о ,., тс;нР -/. ОП ИСАЙКЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик) ополнительиое к авт. свид 22) Заявленос присоединени23) Приоритет 7.07.75 (21)м заявки52080/ М, Кл,гС 03 С 3/10 Государственныи комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий. Афанасьев, К. Г. Марин, В, К. Любимов, А. И. Хохл Б. И. Шевченко и Е. А. Коптев 71) Заявите 54) СТЕКЛО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ) нахоцитсг не обеспечив свойств и привв ка ирующего слоя данного в пределах (6.10) 10 т необходимых стабили дит к дрейфу параметров стекла (Й 1/см, чт зирующих прибора.Целью туры онл стабилизации и за боров и интегральн В микроэлектрстекла на основе Рактивных элементо изобретения явля авлениг стекла и п х свойств. стигаетсг тем, чт указанные и игре х, вес.%: РЬОется снижение темпер идание стеклу стаб лизирующи Это д одержит количествовышенно актеризуютсгходимой адгези о легкоплавкое стекло диенты в следующих и и согласо расширенияв указанных циентом термическогх материалов. Но ют стекла, имеющие 65 8одновремен(примерно е стабилизи.Ог гОз ературу оплавлени этим обладающие ами значений пар риборов.ли эким к- 10- 3 тров п ООО 2 изобретению является Ог, ВгОз, ТОг, Сс 10,В таблиих свойств стекло 2 пО 3Темп кл ючающее ература о высокая (нанесения нзистора. че ской устойчиврвому гидролитиых в таблице указанного стекла доучитывая необходи.еночную структуру ациг заряда в поверханзистора при нанесеилавлен10-520 воеи хи сти в воде стекческому классу. характеристик указанных стео стекла. Кроме ла относятся к п ольно Из приведен видно, что темпер кол более низкая его наКонце нтр мос тура оплавлени чем у известно состояниях МДЛ-тр 1,21.Эти стеклавлагостойко стью,ванием с коэффиполупроводниковсоставах отсутствно низкую темп400 С) и нарядуРующими свойствпров одников ых пНаиболее б ситсг к составам легкоплав мых в микроэлектронике длг ты полупроводнтковых присхем.нике известны легкоплавкие 810 г, Вг Оз длг герметизатпти полупроводниковых приборов аны конкретные составы стекол,0 мула и зо бре те ни 10 оО 1 - 4 ПО 2 - 4 Стекло для за оров включающее ЕпО, отличающ ния температуры о табилизирующих св нгредиенты в следу щиты полупроводни РЬО Я 10 г, ВгО е с я тем, что, с ковыхТОг при- СОО, иже- еклу внимание целью сн плавленияойств, о данияжит указ 1619 одер ества ные 3 х коли,ве 541,РЪО 65 - 76 510 ъ 8 - 14 Ь,О, 6-10 8544 Буровце орректор С. Болди мьяно Подписное ета Министров СССРомитета С етений и о 5, Раушск по делам иго13035, Москва, Ж 1 ти наб д 4/5 илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 того, значение концентрации заряда в поверхностных состояниях указывает на возможность получения полупроводниковых приборов со стабильными параметрами.Таким образом, применение этих стекол при герметизации полупроводниковых приборов позволяет снизить температуру процесса оплавления присмерно на 100 С, а следовательно, использовать их в стандартной технологии МДП-транзисторов с алюминием в качестве проводящего слоя,Кроме того, стандартная технология МДП-транзисторов предусматривает стабилизацию параметров прибора путем дополнительного осаждения сиСоставительактор Л. Народная Техред А. ликата свинца или фосфорно-силикатного стекла, обеспечивающих неподвижность ионов щелочных металлов, ионов водорода и других заряженных примесей.Использование же герметизирующего стекла данного состава позволяет исключить из общей технологии изготовления полупроводниковых приборов операцию по нанесению стабилизирующего слоя.В качестве исходного сырья используются окислы указанных элементов со спектральной чистотой по отношению к щелочным и щелочно-земельным Источники информации, принятые впри экспертизе:1. Авторское свидетельство СССМ.Кл. С ОЗ С 3/10, 1971 г.2, Авторское свидетельство СССРМ.Кл. СОЗ С 3/10,19771 г,3, Авторское свидетельство СССРМ.Кл.г С 03 С 3/10, 1966 г. прототип.
СмотретьЗаявка
2152080, 07.07.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5476
АФАНАСЬЕВ ВАДИМ ЯКОВЛЕВИЧ, МАРИН КОНСТАНТИН ГАВРИЛОВИЧ, ЛЮБИМОВ ВИКТОР КОНСТАНТИНОВИЧ, ХОХЛОВ АНАТОЛИЙ ИЛЬИЧ, ШЕВЧЕНКО БОРИС ИВАНОВИЧ, КОПТЕВ ЕВГЕНИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C03C 3/10
Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло
Опубликовано: 25.01.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-543625-steklo-dlya-zashhity-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Стекло для защиты полупроводниковых приборов</a>
Стекло для защиты полупроводниковых приборов
Номер патента: 881028
Опубликовано: 15.11.1981
Авторы: Ганф, Рза-Заде, Шустер
МПК: C03C 3/12
Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло
...стабильности параметров прибора.Целью изобретения является сниже-. ние температуры плавления стекла, повышение удельного сопротивления и улучшение стабилизирующих свойств,Эта цель достигается тем, что стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, ВО, дополнительно содержит 810 Ь, А 10 при следующем Соотношении компонентов, вес.ЪгРЬО 73,18-87,34В,О 574-6,86В 1 ЙО 5,1-20,68д 10 Ъ 0,2-0,7(р д(,ХО м см 20-30 НВВ град 390 365 320 380 360 320 370 330 305 10 ф 9 10 В 8 10 7 87,34 6,86 5,1 О,82,.5 6,5 10,8 О,73,18 5,74 20,68 О,5 109 3 106 ф 109 410810 5 106 15 3 17 5 ЗО формула изобретения защиты полупроводниковключающее РЬО, ВОЗ, 35щ е е с я тем, что, стемпературы оплавления,ьного сопротивления иилизирующих свойств,льно...
Стекло для изоляции полупроводниковых приборов
Номер патента: 617398
Опубликовано: 30.07.1978
Авторы: Дорохова, Ермолаева, Кандыба, Королев, Луканов, Петрова, Чиликина
МПК: C03C 3/10
Метки: изоляции, полупроводниковых, приборов, стекло
...способности стекла для изоляции полупроводниковых приборов.Это достигается тем, что предлагаемоестекло дополнительно содержит РгОз приследующем соотношении и компонентов,мол. %: 10РЬО 26 - 43ВгОз 22 - 31УпО 12 - 3210 г 13 - 18А 1,0, 0,3 - 5,0 15МпО, 0,2 - 0,5СцО 0,2 - 2,0СЙО 0,2 - 0,5РгОа 0,2 в 1,2 20Таблица 1 Состав Компоненты 25 41,7 23,1 13,2 16 03,7 0,2 0,11,7 35 0,3 26,2 24,4 30,6 17,0 0,3 0,2 0,1 0,1 0,1 33,1 30,0 16,6 14,3 4,6 0,4 0,3 0,4 0,3 РЬО ВгОз У.пО Б 10 г МпОг Р 205 СцО СЙО Таблица 2 Температура Угол диэлекГидроли- тический Температураоплавления пленки, С КЛТРХ 107 град о,10Ом см Состав размягчения,ОСтрическихпотерь 1 Р ь 104 класс 9,5 12,1 13,8 472 465 447 64,0 69,8 72,6 680 640 600 301718,5 Стекло для...
Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия
Номер патента: 1248971
Опубликовано: 07.08.1986
Авторы: Авраменко, Мазо, Халилев
МПК: C03C 3/145
Метки: арсенида, галлия, защиты, основе, полупроводниковых, приборов, стекло
...СЙО,.Н ЯОэ, А 1 Г , РЬР и ВГ , Варку стекол проводят в корундовых тиглях нри 1000 о1050 С в течение 20-25 мин, Готовое стекло вырабатывают на металлическую плиту, затем его растирают и из полученного порошка приготавливают суспензию на тетраэтоксисилане, которую заливают в Ч-образные канавки на мезаструктурах арсенида галлия. Затем проводят оплавление в течение 20 - 30 мин при 580-570 С и инерциальное охлаждение. После оплавления стекло ровным тонким слоем покрывает поверхность 7-образных канавок.Оптимапьное количество вводимого в состав стекла фторида висмута нахо 8971 2дится в пределах 14,5-5,0 мас.Е, таккак при введении МГ в количестве,меньшем 5,0 мас.7 не наблюдается хорошего растекания стекла по поверхности СаАз, а введение В 1...
Стекло для защиты полупроводниковых приборов
Номер патента: 258544
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: C03C 3/074
Метки: защиты, полупроводниковых, приборов, стекло
...содержаЫОз 15; ВзОз б; Хпдо 0,3; Т 10 до 0,5;ратуру оплавления5 ное сопротивление101 з ом см, что гарприбора при повышфициент линейноготурах 20 в 2 С 74О мическую при повыдм ет изобретен и Стекло для защить боров, включающее 15 Т 10 з, А 1,0 з, отличаю повышения химическ держит указанные соотношениях (в вес 14 - 15; ВзОз 5 - 6; 20 А 1 Оз до 0,3 и, кро 1 - 4;МпО 1 - 5.Изобретение может быть использовано для защиты активной части полупроводниковых приборов, например кремниевых плана рных транзисторов, от внешних воздействий.Известно стекло для защиты полупроводниковых приборов, включающее РЬО, 510 з, ВзОз, СцО, ТОз, А 1 зОзЦель изобретения - повысить хиустойчивость во влажной атмосферешенных температурах.Это достигается тем, что оно...
Форма выполнения прибора для проверки режущих кромок круглой плашки (лерки) по авторскому свидетельству № 23626
Номер патента: 59950
Опубликовано: 01.01.1941
Автор: Трушкин
МПК: G01B 5/24
Метки: 23626, авторскому, выполнения, кромок, круглой, лерки, плашки, прибора, проверки, режущих, свидетельству, форма
...снабжены рядом отверстий, для соединения требуе 16 ой пары которых применен стопор,На чертеже фиг, 1 показываетвидтакого прибора опереди; фиг. 2 - вид ецио сбоку; фиг, 3 - вид стопора отдельно.По стороне 2 угольника передвигается в направляющих горизонтальная часть пластинки 3, закрепляемая,на угольнике 1 при помощи гайки 4 и винта 6, пропущенного через продолговатый паз в стороне 2 угольника.Сторона 2 угольника и пластинка 3 снабжены рядом отверстий, каждое из которых имеет клеймо, соответствующее размеру проверяемой лерки. Сверление этих отверстии производится при соответствующем Едвиге, определяемом шкалой и нониусом.При установке пластинки 3 в требуемое положение, в соответсгвующие совпадающие отверстия пластинки 3 и стороны 2...
Предыдущий патент: Стекло
Следующий патент: Грунтовая эмаль
Случайный патент: Способ получения коротких электрических импульсов