Способ контроля качества полупроводниковых приборов

ОЛ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советсеа Соцмаямстмцесва Уеспублик(61) Дополнительное к авт вид 51) М. Кл, О 01 К 31 аявлено 10.01 69 (21) 129600 25 с присоединением заяв Гасударственный камнтвт Саввтв Мннпстрав Жр па долам пзаооотаннй н аткрытпй(43) Опубликовано 05.08. 7 53) УДК 621.382333.34(088 8 летень5) Дата опубликования описания 27.10.7 А. С. Савина и Е. И. Модель 2) Авторы изобретени 1) Заявите(5 ОЛУПРОВОДНИКОВБ 1 Х КОНТРОЛЯ КАЧЕСТПРИБОР ОСО Изобретение относится к способам неразрушающего контроля надежности и качества полупроводниковых приборов.Известны различные способы неразрушающего контроля качества полупроводниковых приборов: ренц еловский способ, инфракрасная дефектоскопия и измерение шумовых параметров.Способ шумовых параметров является наиболее близким по назначению ивозможностям к предлагаемому способу контроля качества полупроводниковых приборов,Недостатком известного способа является недостаточно точное прогнозирование иза отсутствия аппаратуры, измеряюше" шумовы параметры полупроводниковых приборов с тр буемой чувствительностью.1 ель предлагаемого иъ бретения - осущеставление более точного .";ротноза отказов траизистороь и диодов при их длительной работе, сравнения различных производственных партий транзисторов и диодов одного типа. диапазоне до 1 сном включении прибора.Предлагаемый способ неразрушающего контроля качества полупроводникового прибора заключается в следующем. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов решается определением параметров л и тП 1,чувствительных к качеству поверхности эмиттерного и коллекторного переходов, и определением диапазона микротоков содержащего наибольшую информацию о качестве переходов, где производятся измерения этих параметров при сохранении структур,Параметр гт был ранее известен в литературе, параметрти предложен вновь для контроля качества коллекторного перехое 1еВ основу пред риближеннереход АТи 1 У)Ц ризует обратный в/а характерис 1=1 ехрЗдесь коэффициен наклон полулогар е ттИ характ ифмический токах Для э-ого измерение токовыхр-л переходов ведут на м 0 мка при прямом и инвермиттирующего перехода лагаемого способа положеновнение прямого тока через285710 Составитель О, АфанасенковаРедактор А. Калашникова Техред 1. Родак Корректор Н. Ковалева Заказ 4970/438 Тираж 1029 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 тики полного тока через переход при прямых смещениях. Величина ти - функция прямого смещения: при номинальных режимах работы прибора где преобладает диффузионный ток) И 1 =1; если смещение уменьшить до величины менее 100 мка (где преобладает рекомбинационный ток), то величина тл возрастает до значений более единицы, а в случае, например, инверсии поверхности иликанального эффекта, величина гп становится 30 более двух.Таким образом, по значениям коэффициента ти измеренного в определенном диапазоне микротоков, можно получить информапию о состоянии поверхности перехода или о 1 б дефектах структуры.С целью более точного прогноза полупроводниковых приборов определен диапазон микротоков, который содержит наиболее полную информацию о качестве поверхности, и щ предложены коэффициенты тй, и и для оценки качества эмиттерного и коллекторного переходов соответственно.Оценку качества транзистора производит при прямом включении и инверсном включении эмиттирующего перехода прибора.Оценку качества диода производят при прямом включении по коэффициенту й 1м Формула изобретения Способ контроля качества полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении токовых характеристик ъ-л -переходов и сравнений их с эталоном, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью более точного прогнозирования отказов цри сохранении структур, измерения ведут на микротоках в диапазоне до 100 мка при прямом и инверсном включении эмиттирующего перехода прибора.