Электролит для анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений

Союз Советскии Социалистических РеспубликОп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 11) 553699 1) Дополнительное к авт. саид-в) 2321602/25 с присоединением заявки Ю Государственный комитет Соевтв Министров СССР по делам изавретений и открытий(45) Дата опубликования оп летеиь 13ни и 11,07.77 21.382(088.8) 53) 2) Авторы изобретени И. Н, Сорокин, В, 3. Петрова и В. И. Козло 71) Заявит ки Московский и лектронно ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ДЕРЖАЩИХ Изобрете а именно к те вых приборо электрохимич полупрово Целью изобретения является увдличение ско.рости анодирования и улучшение диэлектрических ойств покрытия. электроннои технике, ения полупроводниконие относится к хинке изготовл, и может бь ском окисле дниковых соединеть использовано принии,индий содержащихний. а Поставленная цель достигается тем, что электролит дополнительно содержит ортофосфорнуюкислоту и изопропиловый спирт при следующемсоотношении компонентов (об,%);Ортофосфорная кислота 1,0 - 10,0 О Изопропиловый спирт 30-70Глицерин ОстальноеОртофосфорная кислота является электро.проводящей добавкой, изопропнловый спиртрастворителем, глицерин - вязкой добавкой и до полнительным источником ОН - группы. является наличие ио елочных металлов, ко ляются ого по в бретеиболее блиэк П р и м е р 1. Для получения электролита были О приготовлены четыре смеси, каждая из них содер.жит по 50 об. % изопропилового спирта и отличается от других концентрацией ортофосфорной кислоты, равной в каждой смеси последовательно 1, 5, 10, 20, а также содержанием глицерина, со 2 о ставляющим дополнительно до 100% часть каждой ем являетс индий содер лени ий, включаютного элек и недостаточн шине анодног по то окисл Известен электролит для анодного окисления индийсодержащих полупроводниковых соединений содержащий водные или безводные растворы гид роокиси калия с содержанием гидроокиси калия 5 - 10 вес.% 11Основным недостатком известного электролита рые встраиваются в растущии окиселпричиной возникновения неконтролируличине заряда в окисле. им к изобретению техническим электролит для анодного окисащих полупроводниковых сое. щий пицерин 2. Недостаткамиролита являются его селектив.о высокие скорости окисления Ниже описаны примеры реализа553699 Таблица 1 50 50 7,6 5000 2,0 5200 9,0 4400 7,5 2200 510 до 100 до 100 до 100 0 10 20 0 и кислоты, о пирования тью, а при ообще не лектролита каждая из ой кислоты концентра. 17,6 44 25,2 52 290 35 до 10 до 10 до 10 А 70 10,2 2200 19,8 2800 30,0 3000 о 100 о 100 до 1000 70 60 3смеси, Каждую смесь готовят отдельно при 20 Снепосредственно перед проведением анодированияиз препаратов марки "чда",При концентрац. ях ортофосфорноме ньших 1,0 об. %, процесс анхарактеризуется невысокой скоросотсутствии ее полупроводники вокисляются.П р и м е р 2. Для полученияготовят три смеси компонентов,которых содержит 4 об, % ортофосфорЙ= 1,69 г/смэ) и отличается от други При увеличении концентрации изопропилового спирта выше 70 об, % резко возрастает сопротивление раствора, в результате чего образуется неравномерный по толщине окснд.При уменьшении концентрации резко снижается скорость окисления и возрастает саморастворениеоксида,Данные таблицы 1 и 2 получены при анодировании полупроводниковых соединений ЭпАз, ЗпЗЬ п.тнпа с концентрацией носителей 10 см, Раство.рение между полупроводниковыми дисками 425-30 мм и катодом, изготовленным из нержавеющей стали, составляет 1,5 см. Растворы не перемешивались, их температура 20 С. Окисление проПолученные смеси характеризуются следующи. ми параметрами злектроокисления индийсодержащих полупроводниковых соединений (см. табл. 1),до 10019,4 2200 до 100 20,3 2800 до 100 15,0 1500 до 100 10,0 1100 цией изопропилового спирта, равной в каждой смеси последовательно 30, 50 и 70 об. %, а также содержанием глицерина, составляющим дополнительно до 100%часть в каждой смеси. Каждую смесь готовят отдельно так же, как в примере 1.Полученные смеси характеризуются следуюп 1 ими параметрами анодного окислении индийсодержа. щих полупроводниковых соединений (см, табл, 2)Таблица 2 водилось в гальваностатическом режиме при плотности тока 1 - 2 мА/см в течение б - 10 мин до рабочего напряжения , 300 В. Предложенный электролит позволяет получить равномерные по тол шине (5000 А) и стабильные по свойствам беснористые окисные пленки с пробивным напряженнем (2+ 6)10 В/см.Использование этого электролита позволяет уве личить скорость анодирования и повысить днэлект. рические свойства анодных окислов, что обеспечивает их применение для пассивации, максировапия и создания МДП-структур на индийсодержаших ло. лупроводниковых соединениях,553699 Иэопропиловый спиртГлицерин 30 - .70Остальное Составитель В, МякиненковТехред И, Астапов Корректор А, Власенко Редактор 0. Менылова Тираж 976 ПодписноеГНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раугнская наб., д. 4/5Электролит для анодного окисления индий- содержащих полупроводниковых соединений, включающий глицерин, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости анодирования и улучшения диэлектрических свойств покрытия, он дополнительно содержит ортофосфорную кислоту и изопропиловый спирт при следующем соотношении комненентов, об.%:Ортофосфорная кислота Источники информации, принятые во вниманиеб при экспертизе: 1, Ф, Ф. Файзулин, К. В. Егорова. Анодноеокисление антимонида индий в растворе гидроокиси калия. "Электрохимия", 1968, йа 4, стр. 838.0 2. Авторское свидетельство Ма 495971, кл