H01H 21/203 — H01H 21/203
Способ изготовления полупроводниковых диодов на основе соединений а в
Номер патента: 251096
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Алферов, Андреев, Корольков, Носов, Портной, Третьяков
МПК: H01H 21/203
Метки: диодов, основе, полупроводниковых, соединений
...алюмивысокой чистоты позволяет получить концентрацию примесей в выращенных твердых растворах порядка 10Я 1Твердые растворы Яха Яз с ой низкой концентрацией примесей можно получить только п-типа, Использование в качестве подложки 4 оЯВ р-типа позволяет создать р-п-переход и высокочистый слой в области объемного заряда диода в течение одного технологического цикла.Критическая напряженность поля в твердых растворах с шириной запрещенной зоны,25 1096 Составитель М, ЛепешкинаРедактор В. Данилова ТехредА. Демьянова Корректор С. Болдижар Заказ 818/78 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035; Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул,...